Utilisation des plasmas micro-ondes RCE pour préparer des films minces de nitrure de silicium PDF Download
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Book Description
Cette étude démontre la possibilité de déposer, à basse température (200-300°C) et avec une puissance micro-onde limitée (220 W), des films de nitrure de silicium de qualité électronique (résistivité de 1015 Q.cm) avec des propriétés physico-chimiques proches du nitrure de silicium stœchiométrique élaboré à haute température, et qui soit compatible avec une technologie de passivation de matériaux III-V. Des mesures par sonde de Langmuir ont permis de caractériser le plasma d'azote dans les conditions expérimentales utilisées. Une étude approfondie des propriétés électriques, structurales et physico-chimiques des films montre que les propriétés des films sont très dépendantes des paramètres de la source RCE et de la nature du substrat initial. Un procédé de passivation a été défini. Les traitements de surface combinent désoxydation chimique en voie humide et nitruration en voie sèche. Le dépôt de nitrure de silicium peut être réalisé depuis la température ambiante jusqu'à 300°C. Une étude des propriétés physico-chimiques et électriques des interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs a été réalisée. La préparation de surfaces idéales à partir de surfaces "technologiquement contaminées" et d'interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs de qualité à partir de surfaces vierges ou de surfaces technologiques, est délicate à optimiser, notamment en raison de la présence d'arsenic élémentaire, source d'états d'interfaces. Ce procédé de passivation a été appliqué avec succès sur des transistors HEMT et des photodiodes de la filière InGaAlAs/InP. Il est actuellement utilisé de façon courante au laboratoire pour passiver les composants optoélectroniques de type photodiodes.
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Cette étude démontre la possibilité de déposer, à basse température (200-300°C) et avec une puissance micro-onde limitée (220 W), des films de nitrure de silicium de qualité électronique (résistivité de 1015 Q.cm) avec des propriétés physico-chimiques proches du nitrure de silicium stœchiométrique élaboré à haute température, et qui soit compatible avec une technologie de passivation de matériaux III-V. Des mesures par sonde de Langmuir ont permis de caractériser le plasma d'azote dans les conditions expérimentales utilisées. Une étude approfondie des propriétés électriques, structurales et physico-chimiques des films montre que les propriétés des films sont très dépendantes des paramètres de la source RCE et de la nature du substrat initial. Un procédé de passivation a été défini. Les traitements de surface combinent désoxydation chimique en voie humide et nitruration en voie sèche. Le dépôt de nitrure de silicium peut être réalisé depuis la température ambiante jusqu'à 300°C. Une étude des propriétés physico-chimiques et électriques des interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs a été réalisée. La préparation de surfaces idéales à partir de surfaces "technologiquement contaminées" et d'interfaces Si3N4/AlInAs et Si3N4/GaInAs de qualité à partir de surfaces vierges ou de surfaces technologiques, est délicate à optimiser, notamment en raison de la présence d'arsenic élémentaire, source d'états d'interfaces. Ce procédé de passivation a été appliqué avec succès sur des transistors HEMT et des photodiodes de la filière InGaAlAs/InP. Il est actuellement utilisé de façon courante au laboratoire pour passiver les composants optoélectroniques de type photodiodes.
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LES FILMS MINCES DIELECTRIQUES DEPOSES A BASSE TEMPERATURE PRESENTENT ACTUELLEMENT ET PRESENTERONT DANS LE FUTUR DE MULTIPLES APPLICATIONS POUR REPONDRE AUX NOUVELLES SPECIFICATIONS DE L'INDUSTRIE DE LA MICRO-ELECTRONIQUE ET DE L'OPTO-ELECTRONIQUE. NOUS PRESENTONS DANS CE MEMOIRE, L'ETUDE ET L'OPTIMISATION DU DEPOT DE FILMS MINCES DE NITRURE DE SILICIUM DEPOSES DANS UN TYPE DE REACTEUR A PLASMA MICRO-ONDE: LE REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE REPARTIE (RCER). DE NOMBREUX MOYENS DE CARACTERISATION ONT ETE EMPLOYES, POUR MAITRISER LE DEPOT, TELS QUE LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE POUR L'ANALYSE DU PLASMA, L'ELLIPSOMETRIE SPECTROSCOPIQUE ET A ANNULATION POUR DETERMINER L'EPAISSEUR ET L'INDICE DES FILMS, LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INFRA-ROUGE POUR ELUCIDER LA NATURE DES LIAISONS CHIMIQUES. LA COMPOSITION ATOMIQUE DES FILMS A ETE DETERMINEE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE ET PAR SPECTROSCOPIE D'ELECTRONS D'AUGER. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL CONCERNE L'EVOLUTION DES PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES DES FILMS DE NITRURE DE SILICIUM RCER REALISES A PARTIR DU MELANGE GAZEUX DE SILANE ET D'AZOTE, EN FONCTION DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE (N#2/SIH#4) ET DE LA PUISSANCE MICRO-ONDE. UNE PHASE GAZEUSE FORTEMENT DILUEE EN SILANE ET UNE PUISSANCE MICRO-ONDE ELEVEE PERMETTENT D'ELABORER DES FILMS DENSES, LEGEREMENT SUR-STOECHIOMETRIQUES EN AZOTE. DANS LA DEUXIEME PARTIE POUR CONFIRMER NOTRE POINT DE FONCTIONNEMENT, NOUS PRESENTONS UN ENSEMBLE DE MESURES ELECTRIQUES REALISEES SUR DES STRUCTURES MIS (AL/SIN/SI ET AL/SIN/INP). LES VALEURS DU CHAMP CRITIQUE ET DE LA DENSITE D'ETATS D'INTERFACE, DEDUITES DES CARACTERISTIQUES RESPECTIVEMENT I(V) ET C(V) SONT LES PLUS ELEVEES DANS LE CAS DE L'INP. TOUTEFOIS, LE MECANISME DE CONDUCTION DOMINANT EST CELUI DE FRENKEL-POOLE, QUELLE QUE SOIT LA NATURE DU SUBSTRAT, LA VALEUR DE LA RESISTIVITE ETANT DE 10#1#6 OHM.CM
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CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES DECHARGES MICROONDE (CREEES PAR ONDES DE SURFACE) ET RADIOFREQUENCE, UTILISEES POUR LES DEPOTS A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES DIELECTRIQUES. ELLE PERMET DE VALIDER LE CONCEPT DE REACTEUR A DOUBLE PLASMA POUR LES DEPOTS D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM. ELLE COMPORTE DEUX ASPECTS DIFFERENTS FAISANT APPEL A LA PHYSICO-CHIMIE DES PLASMAS ET A LA SCIENCE DES MATERIAUX. UNE PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PLASMAS (MICROONDE ET/OU RADIOFREQUENCE) D'AR, D'O#2, D'AR-O#2 ET D'AR-HE-O#2 A DEUX POSITIONS DIFFERENTES DE LA DECHARGE. L'INTERFEROMETRIE MICROONDE ET LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE (TECHNIQUES D'AUTOABSORPTION ET D'ACTINOMETRIE) SONT UTILISEES POUR DETERMINER RESPECTIVEMENT LA DENSITE ELECTRONIQUE, LA DENSITE DES METASTABLES D'ARGON ET LA DENSITE D'OXYGENES ATOMIQUES. UNE DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE D'UNE PART A L'ETUDE DES CONDITIONS DE DEPOT, D'AUTRE PART A L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES, CHIMIQUES ET STRUCTURELLES DES FILMS DEPOSES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES COMME LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA PUISSANCE MICROONDE, LES DIFFERENTS DEBITS DE GAZ OU LES DIFFERENTES DILUTIONS, AINSI QUE LES EFFETS DE COUPLAGE DES DEUX PLASMAS. LES COUCHES MINCES DEPOSEES ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE IN SITU, TRANSMISSION INFRAROUGE, MESURES NUCLEAIRES (ERDA, RBS), EDX ET ABSORPTION DANS L'UV LOINTAIN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE ROLE DU BOMBARDEMENT IONIQUE ET LE FAIT QU'IL EST POSSIBLE DE REDUIRE LA QUANTITE D'HYDROGENE (SOUS FORME DE GROUPEMENT O-H) CONTENU DANS LES FILMS EN LES EXPOSANT A UNE ILLUMINATION UV
Author: Paolo Mele Publisher: ISBN: 9781536160864 Category : Zinc oxide thin films Languages : en Pages : 0
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Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
Author: David Adler Publisher: Springer Science & Business Media ISBN: 1489922601 Category : Science Languages : en Pages : 448
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The Institute for Amorphous Studies was founded in 1982 as the international center for the investigation of amorphous mate rials. It has since played an important role in promoting the und er standing of disordered matter in general. An Institute lecture series on "Fundamentals of Amorphous Materials and Devices" was held during 1982-83 with distinguished speakers from universities and industry. These events were free and open to the public ,and were attended by many representatives of the scientific community. The lectures themselves were highly successful inasmuch as they provided not only formal instruction but also an opportunity for vigorous and stimulating debate. That last element could not be captured within the pages of a book I but the lectures concentrated on the latest advances in the field I which is why their essential contents are he re reproduced in collective form. Together they constitute an interdisciplinary status report of the field. The speakers brought many different viewpoints and a variety of back ground experiences io bear on the problems involved I but though language and conventions vary I the essential unity of the concerns is very clear I as indeed are the ultimate benefits of the many-sided approach.
Author: Catherine Barnard Publisher: Bloomsbury Publishing ISBN: 184731869X Category : Law Languages : en Pages : 337
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The Cambridge Yearbook of European Legal Studies provides a forum for the scrutiny of significant issues in EU Law, the law of the European Convention on Human Rights, and Comparative Law with a 'European' dimension, and particularly those issues which have come to the fore during the year preceding publication. The contributions appearing in the collection are commissioned by the Centre for European Legal Studies (CELS) Cambridge, a research centre in the Law Faculty of the University of Cambridge specialising in European legal issues. The papers presented are at the cutting edge of the fields which they address, and reflect the views of recognised experts drawn from the University world, legal practice, and the institutions of both the EU and its Member States. Inclusion of the comparative dimension brings a fresh perspective to the study of European law, and highlights the effects of globalisation of the law more generally, and the resulting cross fertilisation of norms and ideas that has occurred among previously sovereign and separate legal orders. The Cambridge Yearbook of European Legal Studies is an invaluable resource for those wishing to keep pace with legal developments in the fast moving world of European integration. INDIVIDUAL CHAPTERS Please click on the link below to purchase individual chapters from Volume 13 through Ingenta Connect: www.ingentaconnect.com SUBSCRIPTION TO SERIES To place an annual online subscription or a print standing order through Hart Publishing please click on the link below. Please note that any customers who have a standing order for the printed volumes will now be entitled to free online access. www.hartjournals.co.uk/cyels/subs Editorial Advisory Board: Albertina Albors-Llorens, John Bell, Alan Dashwood, Simon Deakin, David Feldman, Richard Fentiman, Angus Johnston, John Spencer Founding Editors: Alan Dashwood and Angela Ward Ius Commune Prize 2012 Alexandre Saydé wrote Chapter 15 in this volume entitled: 'One Law, Two Competitions: An Enquiry into the Contradictions of Free Movement Law' and we are delighted to announce that he has been awarded the Ius Commune Prize 2012.
Author: John E Tedstrom Publisher: Routledge ISBN: 9780367303211 Category : Languages : en Pages : 239
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This book highlights that Soviet economic planners and politicians must come to recognize the need to make fundamental changes, not simply incremental refinements, in the failing Soviet system. It examines the dynamics of the process of perestroika and the complexity of individual economic issues.
Author: D H Lawrence Publisher: Independently Published ISBN: Category : Languages : en Pages : 100
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"The Ladybird is a long tale or novella by D. H. Lawrence.It was first drafted in 1915 as a short story entitled The Thimble. Lawrence rewrote and extended it under a new title in December 1921 and sent the final version to his English agent on 9 January 1922. It was collected with two other tales, The Captain's Doll and The Fox, and the three novellas were then published in London by Martin Secker in March 1923 under the title The Ladybird and in New York by Thomas Seltzer as The Captain's Doll in April 1923."
Author: Mickael Lapeyrade
Author: Mickael Lapeyrade
Author: STEPHANE.. SITBON
Author: ROXANA.. ETEMADI
Author: Paolo Mele
Author: David Adler
Author: Catherine Barnard
Author: John E Tedstrom
Author: Henry Allan Ironside
Author: D H Lawrence
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