Transistor à effet de champ à hétérojonction et à gaz d'électron à l'interface GaAs/GaAlAs PDF Download
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CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE ET LA REALISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET A GAZ D'ELECTRON A L'INTERFACE GAAS-GAALAS. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SONT ASSOCIES AUX PHOTODETECTEURS. APRES UN BREF APPEL SUR LES DIFFERENTES STRUCTURES REALISEES SUR CE MATERIAU, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UN NOUVEAU DISPOSITIF FORME D'UNE BARRIERE DE POTENTIEL. CE DISPOSITIF CONSTITUE PAR DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUES S'ASSOCIE CONVENABLEMENT A UN PHOTOCONDUCTEUR. DANS LE DOMAINE DE LA DETECTION DEUX INTEGRATIONS MONOLITHIQUES ONT ETE REALISEES. LA PREMIERE ASSOCIE UNE PHOTODIODE GAAS A UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS, LA DEUXIEME COMPORTE UN PHOTOCONDUCTEUR INTERDIGITE CDTE ET UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS. LES DEUX DISPOSITIFS SONT REALISES SUR UN MEME SUBSTRAT GAAS SEMI-ISOLANT. LA FABRICATION DU TEC A HETEROJONCTION EST ORGANISEE A PARTIR DE LA TECHNIQUE DE L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION EST DETAILLEE ET LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES DISPOSITIFS IDENTIFIEES. UN GAIN EN COURANT DE 15 ET DES COURANTS INVERSES DE L'ORDRE DE 1 NA POUR LE DISPOSITIF PN-TEC SONT OBTENUS. UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION A REGIONS GAAS ET GAALAS NON DOPEES EST REALISE. LA FORMATION D'UN GAZ BIDIMENSIONNEL D'ELECTRONS A L'INTERFACE DES DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUE EST OBTENUE. LE DISPOSITIF A MONTRE UNE TRANSCONDUCTANCE DE 25 MS/MM
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CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE ET LA REALISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET A GAZ D'ELECTRON A L'INTERFACE GAAS-GAALAS. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SONT ASSOCIES AUX PHOTODETECTEURS. APRES UN BREF APPEL SUR LES DIFFERENTES STRUCTURES REALISEES SUR CE MATERIAU, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UN NOUVEAU DISPOSITIF FORME D'UNE BARRIERE DE POTENTIEL. CE DISPOSITIF CONSTITUE PAR DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUES S'ASSOCIE CONVENABLEMENT A UN PHOTOCONDUCTEUR. DANS LE DOMAINE DE LA DETECTION DEUX INTEGRATIONS MONOLITHIQUES ONT ETE REALISEES. LA PREMIERE ASSOCIE UNE PHOTODIODE GAAS A UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS, LA DEUXIEME COMPORTE UN PHOTOCONDUCTEUR INTERDIGITE CDTE ET UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS. LES DEUX DISPOSITIFS SONT REALISES SUR UN MEME SUBSTRAT GAAS SEMI-ISOLANT. LA FABRICATION DU TEC A HETEROJONCTION EST ORGANISEE A PARTIR DE LA TECHNIQUE DE L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION EST DETAILLEE ET LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES DISPOSITIFS IDENTIFIEES. UN GAIN EN COURANT DE 15 ET DES COURANTS INVERSES DE L'ORDRE DE 1 NA POUR LE DISPOSITIF PN-TEC SONT OBTENUS. UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION A REGIONS GAAS ET GAALAS NON DOPEES EST REALISE. LA FORMATION D'UN GAZ BIDIMENSIONNEL D'ELECTRONS A L'INTERFACE DES DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUE EST OBTENUE. LE DISPOSITIF A MONTRE UNE TRANSCONDUCTANCE DE 25 MS/MM
Author: Heinrich Daembkes Publisher: Institute of Electrical & Electronics Engineers(IEEE) ISBN: Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 484
Author: Heinrich Daembkes Publisher: Institute of Electrical & Electronics Engineers(IEEE) ISBN: Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 544
Author: Momčilo Pejović Publisher: BoD – Books on Demand ISBN: 9535131753 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 194
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In 1959, Atalla and Kahng at Bell Labs produced the first successful field-effect transistor (FET), which had been long anticipated by other researchers by overcoming the "surface states" that blocked electric fields from penetrating into the semiconductor material. Very quickly, they became the fundamental basis of digital electronic circuits. Up to this point, there are more than 20 different types of field-effect transistors that are incorporated in various applications found in everyday's life. Based on this fact, this book was designed to overview some of the concepts regarding FETs that are currently used as well as some concepts that are still being developed.
Author: Dharmendra Singh Yadav Publisher: CRC Press ISBN: 1003816282 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 370
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Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications offers a fresh perspective on the design and analysis of advanced field-effect transistor (FET) devices and their applications. The text emphasizes both fundamental and new paradigms that are essential for upcoming advancement in the field of transistors beyond complementary metal–oxide–semiconductors (CMOS). This book uses lucid, intuitive language to gradually increase the comprehension of readers about the key concepts of FETs, including their theory and applications. In order to improve readers’ learning opportunities, Advanced Field-Effect Transistors: Theory and Applications presents a wide range of crucial topics: • Design and challenges in tunneling FETs • Various modeling approaches for FETs • Study of organic thin-film transistors • Biosensing applications of FETs • Implementation of memory and logic gates with FETs The advent of low-power semiconductor devices and related implications for upcoming technology nodes provide valuable insight into low-power devices and their applicability in wireless, biosensing, and circuit aspects. As a result, researchers are constantly looking for new semiconductor devices to meet consumer demand. This book gives more details about all aspects of the low-power technology, including ongoing and prospective circumstances with fundamentals of FET devices as well as sophisticated low-power applications.
Author: Jean-Marie Dieudonné Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 138
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UNE ETUDE NON EXHAUSTIVE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GAZ D'ELECTRONS BIDIMENSIONNEL (TEGFET, HEMT), FORME A L'INTERFACE D'UNE HETEROJONCTION GAALAS/GAAS, EST PRESENTEE. LA CONCENTRATION ELECTRONIQUE DU GAZ BIDIMENSIONNEL EST ETABLIE A PARTIR DE LA MODELISATION DE L'HETEROJONCTION ISOLEE. UN MODELE ANALYTIQUE DES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU COMPOSANT EST PROPOSE. UNE ETUDE DU REGIME STATIQUE EN FONCTION DE L'ECLAIREMENT ET AUX BASSES TEMPERATURES MET EN EVIDENCE L'EFFET NEFASTE DE PIEGES DE TYPE DONNEUR (DX) DANS LA COUCHE DE GAALAS. UNE CARACTERISATION DYNAMIQUE DU TRANSISTOR METTANT EN OEUVRE UNE TECHNIQUE DE MESURE DES PARAMETRES S ET UN PROGRAMME D'EXTRACTION DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT EST PROPOSEE. UNE COMPARAISON EST EFFECTUEE ENTRE LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU MESFET ET CELLES DU TEGFET AUX BASSES TEMPERATURES. LA MESURE DU BRUIT BASSE FREQUENCE REVELE UNE CORRELATION ENTRE LE NIVEAU DE BRUIT MESURE ET LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU TRANSISTOR REFROIDI. ENFIN, UNE EVOLUTION TECHNOLOGIQUE POSSIBLE DU COMPOSANT EST PRESENTEE
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Modélisation de la structure grille-hétérojonction. Caractérisation physique du transistor TEGFET. Caractérisation dynamique du composant TEGFET. Détermination du schéma équivalent.
Author: Djamel Kendil
Author: Djamel Kendil
Author: Djamel Kendil
Author: Heinrich Daembkes
Author: Heinrich Daembkes
Author: Momčilo Pejović
Author: Dharmendra Singh Yadav
Author: Klaus Heime
Author: Kwyro Lee
Author: Jean-Marie Dieudonné
Author: Christophe Versnaeyen