Author: LAREDJ.. BELABAS
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 177
Book Description
PROPOSITION DE DEUX METHODES COMPLEMENTAIRES DE CALCUL DES PARAMETRES (MATRICE YIJ) HAUTES FREQUENCES DE LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR VMOS. EN TENANT COMPTE DES ELEMENTS PARASITES, UN MODELE MATHEMATIQUE COMPLET EST DEDUIT, PAR SYNTHESE DU QUADRIPOLE, DE L'ANALYSE PRECEDENTE. DEUX TECHNIQUES DE CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS ASSISTEE PAR ORDINATEUR SONT PROPOSEES ET TESTEES
PROPRIETES EN HAUTES FREQUENCES DU TRANSISTOR METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR A CANAL VERTICAL (VMOS)
Author: LAREDJ.. BELABAS
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Category :
Languages : fr
Pages : 177
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PROPOSITION DE DEUX METHODES COMPLEMENTAIRES DE CALCUL DES PARAMETRES (MATRICE YIJ) HAUTES FREQUENCES DE LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR VMOS. EN TENANT COMPTE DES ELEMENTS PARASITES, UN MODELE MATHEMATIQUE COMPLET EST DEDUIT, PAR SYNTHESE DU QUADRIPOLE, DE L'ANALYSE PRECEDENTE. DEUX TECHNIQUES DE CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS ASSISTEE PAR ORDINATEUR SONT PROPOSEES ET TESTEES
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Languages : fr
Pages : 177
Book Description
PROPOSITION DE DEUX METHODES COMPLEMENTAIRES DE CALCUL DES PARAMETRES (MATRICE YIJ) HAUTES FREQUENCES DE LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR VMOS. EN TENANT COMPTE DES ELEMENTS PARASITES, UN MODELE MATHEMATIQUE COMPLET EST DEDUIT, PAR SYNTHESE DU QUADRIPOLE, DE L'ANALYSE PRECEDENTE. DEUX TECHNIQUES DE CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS ASSISTEE PAR ORDINATEUR SONT PROPOSEES ET TESTEES
LE TRANSISTOR METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR A CANAL VERTICAL EN REGIME NON LINEAIRE D'APPLICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE
Author: SAIDA.. LATRECHE
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 182
Book Description
UN MODELE NON LINEAIRE DU TRANSISTOR VMOS, COMPATIBLE AVEC LA CAO DES CIRCUITS, EST IMPLANTE ET VALIDE SUR LE LOGICIEL ASTEC III. IL EST UTILISABLE EN REGIME STATIQUE, ALTERNATIF ET TEMPOREL. CE MODELE SERT DE BASE POUR DEVELOPPER UNE METHODOLOGIE D'ETUDE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN REGIME NON LINEAIRE, EN TRES HAUTES FREQUENCES (V.H.F.). UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR DE CES AMPLIFICATEURS EST PROPOSEE ET TESTEE. L'APPLICATION ESSENTIELLE EST CELLE DE L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE EN BANDE ETROITE
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Languages : fr
Pages : 182
Book Description
UN MODELE NON LINEAIRE DU TRANSISTOR VMOS, COMPATIBLE AVEC LA CAO DES CIRCUITS, EST IMPLANTE ET VALIDE SUR LE LOGICIEL ASTEC III. IL EST UTILISABLE EN REGIME STATIQUE, ALTERNATIF ET TEMPOREL. CE MODELE SERT DE BASE POUR DEVELOPPER UNE METHODOLOGIE D'ETUDE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN REGIME NON LINEAIRE, EN TRES HAUTES FREQUENCES (V.H.F.). UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR DE CES AMPLIFICATEURS EST PROPOSEE ET TESTEE. L'APPLICATION ESSENTIELLE EST CELLE DE L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE EN BANDE ETROITE
Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)
Author: Georges Guegan (auteur d'une thèse de sciences.)
Publisher:
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Category :
Languages : fr
Pages : 224
Book Description
ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT
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Category :
Languages : fr
Pages : 224
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ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT
Radiocommunications
Author: Antonio Luque
Publisher: Elsevier Science & Technology
ISBN: 9780444878496
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 316
Book Description
Publisher: Elsevier Science & Technology
ISBN: 9780444878496
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 316
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Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical V-MOS.
Proceedings of MELECON.
Author:
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Category : Electrical engineering
Languages : en
Pages : 316
Book Description
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Category : Electrical engineering
Languages : en
Pages : 316
Book Description
Proceedings of MELECON '85, Mediterranean Electrotechnical Conference, Madrid, Spain, October 8, 9, 10, 1985
Author: Antonio Luque
Publisher:
ISBN:
Category : Bioengineering
Languages : en
Pages : 316
Book Description
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Category : Bioengineering
Languages : en
Pages : 316
Book Description
JPIII
Optical Properties Of Graphene
Author: Rolf Binder
Publisher: World Scientific
ISBN: 9813148764
Category : Science
Languages : en
Pages : 517
Book Description
This book provides a comprehensive state-of-the-art overview of the optical properties of graphene. During the past decade, graphene, the most ideal and thinnest of all two-dimensional materials, has become one of the most widely studied materials. Its unique properties hold great promise to revolutionize many electronic, optical and opto-electronic devices. The book contains an introductory tutorial and 13 chapters written by experts in areas ranging from fundamental quantum mechanical properties to opto-electronic device applications of graphene.
Publisher: World Scientific
ISBN: 9813148764
Category : Science
Languages : en
Pages : 517
Book Description
This book provides a comprehensive state-of-the-art overview of the optical properties of graphene. During the past decade, graphene, the most ideal and thinnest of all two-dimensional materials, has become one of the most widely studied materials. Its unique properties hold great promise to revolutionize many electronic, optical and opto-electronic devices. The book contains an introductory tutorial and 13 chapters written by experts in areas ranging from fundamental quantum mechanical properties to opto-electronic device applications of graphene.
Handbook of Nanoscopy
Author: Gustaaf van Tendeloo
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 3527641874
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 1484
Book Description
This completely revised successor to the Handbook of Microscopy supplies in-depth coverage of all imaging technologies from the optical to the electron and scanning techniques. Adopting a twofold approach, the book firstly presents the various technologies as such, before going on to cover the materials class by class, analyzing how the different imaging methods can be successfully applied. It covers the latest developments in techniques, such as in-situ TEM, 3D imaging in TEM and SEM, as well as a broad range of material types, including metals, alloys, ceramics, polymers, semiconductors, minerals, quasicrystals, amorphous solids, among others. The volumes are divided between methods and applications, making this both a reliable reference and handbook for chemists, physicists, biologists, materials scientists and engineers, as well as graduate students and their lecturers.
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 3527641874
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 1484
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This completely revised successor to the Handbook of Microscopy supplies in-depth coverage of all imaging technologies from the optical to the electron and scanning techniques. Adopting a twofold approach, the book firstly presents the various technologies as such, before going on to cover the materials class by class, analyzing how the different imaging methods can be successfully applied. It covers the latest developments in techniques, such as in-situ TEM, 3D imaging in TEM and SEM, as well as a broad range of material types, including metals, alloys, ceramics, polymers, semiconductors, minerals, quasicrystals, amorphous solids, among others. The volumes are divided between methods and applications, making this both a reliable reference and handbook for chemists, physicists, biologists, materials scientists and engineers, as well as graduate students and their lecturers.