Propriétés électroniques de puits quantiques, superréseaux et hétérojonctions de semiconducteurs PDF Download

Author: Catherine Priester
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Languages : fr
Pages : 228

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Dans les structures à puits quantiques sont calculés les niveaux d'impuretés et les niveaux excitoniques. Pour ce faire, après une étude de l'approximation de masse effective à trois dimensions (couramment utilisée pour décrire des superréseaux) et de ses limites de validité, est proposée une équation de masse effective à deux dimensions, mieux adaptée à l'étude de systèmes bidimensionnels.

Author: Abdelaziz Hallaoui
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Category :
Languages : fr
Pages : 220

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MON TRAVAIL PRESENTE LES PROPRIETES OPTIQUES ET ELECTRONIQUES DES FILS QUANTIQUES (110) ET DES SUPERRESEAUX (311). PREMIEREMENT, J'ETUDIE LA DENSITE DE PROBABILITE DU PREMIER NIVEAU DE CONDUCTION, DU PREMIER ET DU DEUXIEME NIVEAU DE VALENCE DE SIX ECHANTILLONS DE FILS QUANTIQUES (QUATRE FILS QUANTIQUES ORIENTES: Z648, Z671, Z682 ET Z694 ET DEUX FILS QUANTIQUES DESORIENTES: Z698 ET Z699). LA COMPARAISON AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX (CONFINEMENT DES NIVEAUX D'ENERGIES) EST SATISFAISANTE. DEUXIEMEMENT, J'ETUDIE LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DES SUPERRESEAUX GAAS/ALAS (311) A L'INTERIEUR DE LA ZONE DE BRILLOUIN EN UTILISANT LES PARAMETRES TIGHT BINDING DE L'HAMILTONIEN. LA NATURE ET LA LOCALISATION DU BAS DE LA BANDE DE CONDUCTION POUR CES STRUCTURES DE FAIBLE SYMETRIE EST ETUDIEE ET LEUR ORIGINE EST AUSSI ETUDIE EN FONCTION DU NOMBRE DE COUCHES. LA TRANSITION DU GAP DIRECT VERS LE GAP INDIRECT A LIEU POUR L = 3 NM QUI EST EGALE A L'EPAISSEUR POUR LAQUELLE LE CROISEMENT DES ETATS -X A LIEU DANS LES SUPERRESEAUX (100). TROISIEMEMENT, JE DECRIS L'ANISOTROPIE DANS LE PLAN (311) DES TRANSITIONS OPTIQUES ET L'INTENSITE RELATIVE DEPEND DU NOMBRE DE COUCHES ET DE LA NATURE DES ETATS QUI CONTRIBUENT A LA TRANSITION. LA COMPARAISON AVEC LES RESULTATS EXPERIMENTAUX EST AUSSI SATISFAISANTE

Author: François Laruelle
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Languages : fr
Pages : 152

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ETUDE DES SUPERRESEAUS SEMICONDUCTEURS QUASI PERIODIQUES CONSTRUITS SUR LA SUITE DE FIBONACCI, QUI NE SONT PAS INVARIANTS PAR TRANSLATION ET POSSEDENT UN ORDRE A LONGUE DISTANCE ET UNE PROPRIETE PROCHE DE L'AUTOSIMILITUDE, ET DE LEURS PROPRIETES PHYSIQUES AVEC DES APPROXIMATIONS PERIODIQUES SUCCESSIVES. CALCUL DES FACTEURS DE STRUCTURE PAR LA METHODE DE PROJECTION ET REPERAGE DES PICS DE DIFFRACTION DE RAYONS X AVEC DEUX INDICES. CALCUL DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DANS LE CADRE DE LA FONCTION ENVELOPPE AVEC DES MATIERES DE TRANSFERT POUR SUIVRE L'EFFET DU CHAMP ELECTRIQUE ET DES DEFAUTS SUR LA STRUCTURE ELECTRONIQUE: INFLUENCE DES CONDITIONS D'EPITAXIE PAR FAISCEAU MOLECULAIRE SUR LA LARGEUR DE RAIE DE PHOTOLUMINESCENCE ET LEVEE DE DEGENERESCENCE DE LA BANDE DE VALENCE; EVOLUTION DE LA STRUCTURE DE BANDE ET LOCALISATIONS DES FONCTIONS D'ONDE A L'AIDE D'UN INVARIANT MESURANT LE DEGRE DE NON-COMMUTGATIVITE DES CONSTITUANTS DU SUPERRESEAU; PREDOMINANCE EN PIEGEAGE DES EXCITONS (QUI MASQUE L'OBSERVATION DU REGIME DE LOCALISATION VARIABLE DANS UN TYPE PARTICULIER DE SUPERRESEAU PERIODIQUE) DANS LES EXPERIENCES DE TRANSPORT PAR DIFFUSION DES PORTEURS "PHOTOCREES.

Author: CLOVIS.. FRANCIS
Publisher:
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Languages : fr
Pages : 215

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DANS LE PREMIER CHAPITRE ON TROUVE UNE REVUE GENERALE DES PROPRIETES CRISTALLOGRAPHIQUES, OPTIQUES ET ELECTRIQUES DES MATERIAUX QUATERNAIRES INGAASP. LE SECOND CHAPITRE DONNE LE PRINCIPE ET LES MECANISMES DE L'INTERDIFFUSION. NOUS PRESENTONS AUSSI DANS CE CHAPITRE LES APPLICATIONS DE L'INTERDIFFUSION DANS LES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES AINSI QU'UNE SYNTHESE BIBLIOGRAPHIQUE SUR L'INTERDIFFUSION DANS LE QUATERNAIRE INGAASP. LE TROISIEME CHAPITRE CONCERNE LA MODELISATION DE L'INTERDIFFUSION DANS LES SEMICONDUCTEURS III-V. LE QUATRIEME CHAPITRE ETUDIE L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR RECUIT THERMIQUE DANS UN SUPERRESEAU GAINP/GAAS. L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR IMPLANTATION IONIQUE DE SILICIUM DANS CE SYSTEME EST AUSSI EXAMINEE. DANS LE CINQUIEME CHAPITRE NOUS MENONS UNE ETUDE ORIGINALE SUR L'INTERDIFFUSION SELECTIVE INDUITE PAR LA PRESENCE DU PHOSPHORE GAZEUX PENDANT LE RECUIT ET PAR MASQUAGE DIELECTRIQUE. NOUS MONTRONS QUE L'INTERDIFFUSION EST FORTEMENT DEPENDANTE DES CONDITIONS DE SURFACE. L'EFFET DE LA CONTRAINTE, DE LA DISTANCE DU PUITS QUANTIQUE A LA SURFACE AINSI QUE LA PRESENCE DE DISLOCATIONS DANS LE PUITS SONT AUSSI EXAMINES DANS CE CHAPITRE. L'APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE D'INTERDIFFUSION SELECTIVE A L'INTEGRATION MONOLITHIQUE DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES EST AUSSI PRESENTEE. LE DERNIER CHAPITRE ETUDIE L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR LE PHOSPHORE DANS UN SUPERRESEAU INGAAS/INP, COURTE PERIODE, INSERE DANS UNE DIODE P-I-N. NOUS MONTRONS QUE L'INTERDIFFUSION DE PHOSPHORE INDUIT UNE INVERSION DE TYPE DU SUPERRESEAU

Author: Claude Boemare
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 276

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NOUS PRESENTONS UNE ANALYSE DETAILLEE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES REALISEE EN EPITAXIE PAR DEPOT D'ORGANOMETALLIQUE. LES ARCHITECTURES DE CES HETEROSTRUCTURES REALISEES A BASE DE MATERIAUX SEMI-CONDUCTEURS A GRANDS GAP VONT DE LA SIMPLE HETERO-EPITAXIE AUX SUPER RESEAUX EN PASSANT PAR LES PUITS QUANTIQUES. LE CONTROLE DE L'HOMOGENEITE DES DEPOTS EST MIS EN EVIDENCE A TRAVERS UNE APPROCHE ORIGINALE UTILISANT LA PHYSIQUE DES EXCITATIONS ELEMENTAIRES: NOUS METTONS EN EVIDENCE APRES UNE MODELISATION SEMICLASSIQUE DE LA REFLECTANCE AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES, LA QUANTIFICATION DES MODES PHOTONS DU POLARITON. DANS LE CAS DES STRUCTURES A CONFINEMENT SPATIAL DES PORTEURS DE CHARGE, UN MODELE COMPLET FAISANT APPEL AUX MECANISMES THERMO-INDUIT DE PIEGEAGE ET D'ECHAPPEMENT DES PORTEURS DE CHARGES NOUS PERMET DE RENDRE COMPTE QUANTITATIVEMENT DES MECANISMES PHYSIQUE REGISSANT L'EMISSION DE LUMIERE DANS CES MATERIAUX

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Category : Electronics
Languages : fr
Pages : 390

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