Author: Esma IsmailovaPublisher:
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Languages : fr
Pages : 228
Book Description
L’augmentation de la performance des circuits intégrés est assurée aujourd’hui par la diminution constante de leurs dimensions. En 2001 l’ITRS introduit la rugosité de ligne des motifs "Line Edge Roughness" liée à la miniaturisation des produits de nouvelle génération dans l’industrie microélectronique. Cette rugosité des motifs des résines photosensibles apparait pendant le procédé microlithographique et sera transférée dans les transistors fabriqués en diminuant leur performance. L’objet de ce travail est de comprendre les mécanismes physico-chimiques induisant à la rugosité des motifs et optimiser la synthèse ainsi que la formulation des résines photosensibles pour diminuer la valeur de ce nouveau facteur. Pour identifier et dévoiler les mécanismes physico-chimiques influençant le LER, nous avons étudié d’une part les résines positives commerciales et d’autre part, nous avons synthétisé de nouveaux polymères de différentes compositions chimiques, masses moléculaires, polymolécularités et architectures. Nous avons utilisé ces polymères pour la formulation des résines photosensibles modèles et déterminé les valeurs de LER de ces dernières. D’après nos études nous avons montré l’effet de la masse moléculaire et de l’indice de polymolécularité sur la performance lithographique. Les polymères linaires modèles à faible masse moléculaire ou à polymolécularité intermédiaire montrent une rugosité des motifs similaire à celle des résines commerciales. Enfin, nous avons proposé une nouvelle approche qui doit permettre de diminuer la rugosité de motifs utilisant des architectures macromoléculaires branchées et photoclivables. Celles-ci présentent une sensibilité lithographique et la capacité d’imprimer les motifs de 100nm.
Author: Esma Ismailova