Author: Pierre Vignaud Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 350
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LES CIRCUITS ELECTRONIQUES ACTUELS NECESSITENT DES COMPOSANTS DE BASE DE PLUS EN PLUS PERFORMANTS TELS LES MESFET ASGA ET LES MODFET ALGAAS/GAAS. LE BRUIT DE FOND BASSE FREQUENCE DE CES TRANSISTORS A ETE ETUDIE AU NIVEAU DE LA GRILLE ET DU CANAL. LEUR CORRELATION A PU EGALEMENT ETRE MESUREE. SON OBTENTION AINSI QUE CELLE DES DIFFERENTES SOURCES DE BRUIT ONT DEMANDE LA MISE AU POINT DE NOUVELLES TECHNIQUES DE MESURE DE BRUIT QUI SONT ETUDIEES EN DETAIL. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET LEURS INTERPRETATIONS ONT PERMIS DE DEFINIR DES TESTS DE QUALITE TANT AU NIVEAU DU CANAL QUE DE LA GRILLE. LA MESURE DE LA CORRELATION SE REVELE ETRE UN MOYEN D'INVESTIGATION PUISSANT POUR CARACTERISER CE TYPE DE COMPOSANTS
Author: T. Musha Publisher: IOS Press ISBN: 9789051990836 Category : Electronic noise Languages : en Pages : 784
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Presents and discusses fundamental aspects and key implications of noise and fluctuations in various fields of science, technology and sociology, with special emphasis in 1/f fluctuations in biology. There are contributions from leading international experts.
Author: Micha Odyniec Publisher: Artech House ISBN: 9781580537681 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 422
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This groundbreaking book is the first to present the state of the art in microwave oscillator design with an emphasis on new nonlinear methods. A compilation of pioneering work from experts in the field, it also provides rigorous theory and historical background. Invaluable for professionals at all levels of design expertise, this volume helps you to bridge the gap between design practice and new powerful design methods, learn all aspects of modern oscillator design and review practical designs and experimental results of fixed-frequency, high-Q, low-noise oscillators.
Author: Ahmed Lyoubi Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 164
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Le travail présenté dans ce mémoire concerne le développement d'un banc de mesure du bruit basse fréquence et la modélisation électrique distribuée des transistors à effet de champ hyperfréquences afin de disposer d'une description plus fine de ce composant pour la CAO des circuits micro-ondes. Une première approche utilise la modélisation dite classique qui permet de décrire le transistor par un circuit équivalent électrique intrinsèque. Cependant, les spécifications contraignantes imposées aux spectres de bruit des oscillateurs inclus dans les systèmes électroniques imposent une modélisation rigoureuse du comportement en bruit basse fréquence des composants actifs. Le bruit de phase d'un oscillateur étant étroitement lié au bruit basse fréquence du transistor utilisé, il faut étudier le comportement en bruit de fond du composant. En effet, la présence de bruit converti par modulation de phase et d'amplitude autour de la porteuse des oscillateurs, contribue à l' augmentation des taux d'erreurs et à la diminution de la sensibilité des radars pour ne citer que ces deux exemples. Pour cela un banc de mesure de bruit basse fréquence, composé d'un amplificateur de tension faible bruit, d'un amplificateur transimpédance et d'un analyseur FFT a été mis au point, et un modèle de TEC de type distribué incluant ces sources de bruit a été développé à partir de la caractérisation expérimentale. Puis ce modèle distribué en bruit basse fréquence nous a permis de comparer avec succés les mesures et les simulations du bruit de phase d'un oscillateur à résonatuer diélectrique, circuit constitutif d'une source millimétrique complète d'un radar anti-collision fonctionnant à 77 GHz, et ayant une fréquence d'oscillation de 19 GHz.
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ACTUELLEMENT, QUE CE SOIT A UN NIVEAU DE LABORATOIRE OU A UN NIVEAU DE PRODUCTION, LA CARACTERISATION EN BRUIT HAUTE FREQUENCE JOUE UN ROLE TRES IMPORTANT DANS L'OPTIMISATION DES PARAMETRES TECHNOLOGIQUES DES TRANSISTORS, AINSI QUE DANS LA MISE AU POINT DE CIRCUITS FAIBLE BRUIT. CE TRAVAIL S'INSERE DANS CE CONTEXTE; IL MONTRE, D'UNE PART, LA DEMARCHE SUIVIE POUR LE DEVELOPPEMENT D'UN BANC DE MESURE AUTOMATIQUE DES PARAMETRES DE BRUIT EN HYPERFREQUENCE, ET D'AUTRE PART, L'APPROCHE QUI PERMET D'EXTRAIRE UN MODELE EN BRUIT DE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP III-V DE TYPE MESFET, HEMT ET PHEMT. APRES QUELQUES RAPPELS SUR LES ORIGINES ET LE TRAITEMENT DU BRUIT ELECTRIQUE DANS LE TRANSISTOR TEC, DANS LA PREMIERE PARTIE, NOUS PRESENTONS, DANS LA DEUXIEME PARTIE, UNE SYNTHESE DES PRINCIPALES TECHNIQUES DE MESURE DE BRUIT, ET NOUS DECRIVONS L'INSTRUMENTATION ASSOCIEE. FORTS DE CETTE ANALYSE, NOUS PRESENTONS DANS LA TROISIEME PARTIE, LA MISE EN UVRE D'UN NOUVEAU BANC DE MESURE DES PARAMETRES DE BRUIT DANS LA GAMME DES MICROONDES, UTILISANT UNE ARCHITECTURE DU RECEPTEUR DE BRUIT SIMPLIFIEE, BASEE SUR UN MELANGE A REJECTION D'IMAGE. PAR LA SUITE, DIVERS TYPES DE TESTS ET DE MESURES COMPARATIVES ONT ETE EFFECTUES POUR LA VALIDATION. PAR AILLEURS, DEUX AMELIORATIONS SIGNIFICATIVES ONT ETE APPORTEES. LA PREMIERE A CONSISTE A AUGMENTER LA PRECISION DE MESURE, A L'AIDE D'UN NOUVEL ALGORITHME D'EXTRACTION DES PARAMETRES DE BRUIT, LA SECONDE A SE DOTER DE MOYENS DE VERIFICATION, A L'AIDE D'UN NOUVEAU DISPOSITIF PASSIF, ORIGINAL, ADAPTE AU TEST SUR TRANCHE. LA DERNIERE PARTIE EST CONSACREE A LA MODELISATION EN BRUIT DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP. L'EXPLOITATION DE L'ENSEMBLE DES OUTILS DE CARACTERISATION EN BRUIT A FINALEMENT ETE FAITE SUR LE TRANSISTOR GAAS SUR INP. CETTE ETUDE A MONTRE L'INFLUENCE DE L'EPAISSEUR DU BUFFER GAAS SUR LES PERFORMANCES EN BRUIT DE CE TYPE DE TRANSISTOR
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LA NECESSITE DE PREVOIR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS FET MILLIMETRIQUES (MESFET, HEMT) POUR DES FREQUENCES DE PLUS EN PLUS ELEVEES, CONDUIT A LA RECHERCHE DE MODELES ELECTRIQUES DECRIVANT DE MANIERE FINE LE COMPORTEMENT DU COMPOSANT. DANS CETTE DIRECTION, NOUS PRESENTONS L'ETUDE D'UN MODELE DE FET DISTRIBUE UTILISABLE AUX FREQUENCES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES POUR LES APPLICATIONS DES AMPLIFICATEURS M(H)MIC. CE MODELE CONSIDERE LES 3 ELECTRODES (SOURCE GRILLE ET DRAIN) COMME 3 LIGNES DE PROPAGATION COUPLEES ENTRE ELLES. ON PROPOSE UNE PROCEDURE SYSTEMATIQUE DE MODELISATION TANT AU POINT DE VUE SIGNAL (SCHEMA EQUIVALENT EN PETITS SIGNAUX), QU'AU POINT DE VUE BRUIT (DETERMINATION DES PARAMETRES DE BRUIT) DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DESTINES A FONCTIONNER DANS LA BANDE DES ONDES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES. ON PREND EN COMPTE LES PHENOMENES DE PROPAGATION DANS LES ELECTRODES DU TRANSISTOR EN CONSIDERANT UNE MODELISATION SEMI-DISTRIBUEE (DECOUPAGE EN TRANCHES), CETTE MODELISATION CONSTITUANT, AVEC UN NOMBRE DE TRANCHES SUFFISANT, UNE TRES BONNE APPROXIMATION DE MODELISATION DISTRIBUEE EXACTE. A L'AIDE DE LA MATRICE DE CORRELATION, ON PRESENTE AUSSI LA C.A.O NECESSAIRE A LA MODELISATION SIMULTANEE SIGNAL-BRUIT (ELECTRIQUE ET THERMIQUE) ET A L'ETUDE DES CONFIGURATIONS OPTIMALES DE CE COMPOSANT ET DES TRANSISTORS A ONDES PROGRESSIVES (TWFET)
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CET APPAREILLAGE PERMET DE MESURER LE BRUIT DE TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE EN REGIME OHMIQUE (I#D MAX; 3 A; V#D#S MAX:15 V) OU EN REGIME DE SATURATION (V#D#S MAX:350 V, I#D MAX:3 MA). LA POLARISATION DU TRANSISTOR EST REALISEE PAR UN ENSEMBLE D'ALIMENTATIONS FAIBLE BRUIT CONCUES A PARTIR DE LA MISE EN CASCADE DE 3 MODULES DE REGULATION. LES ASSERVISSEMENTS MIS EN JEU PERMETTENT DE GARANTIR UN POINT DE FONCTIONNEMENT STABLE SANS DEGRADER LES CARACTERISTIQUES DE BRUIT. LES ALIMENTATIONS V#D#S FORT COURANT ET HAUTE TENSION PRESENTENT RESPECTIVEMENT DES TENSIONS DE BRUIT PROPRE DE 1,4 ET 1,8 NV EFFICACE PAR RACINE CARREE DE HZ A 31,6 HZ. LE BRUIT DU TRANSISTOR EST TRAITE PAR UNE CHAINE DE MESURE DE BRUIT COMPOSEE D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE, DE REJECTEURS, DE FIBRES ENTRE 31,6 HZ ET 3,16 KHZ D'UN MULTIPLEXEUR ET D'UN CONVERTISSEUR ANALOGIQUE-NUMERIQUE. L'AUTOMATISATION DU MESUREUR EST REALISEE PAR 2 MICROPROCESSEURS, L'UN GERANT LES PROTOCOLES DE POLARISATION, L'AUTRE DEDIE A LA MESURE DE BRUIT. POUR RENDRE CONVIVIAL LES RELATIONS HOMME-MACHINE, LE MESUREUR EST PILOTE PAR UN MICRO-ORDINATEUR
Author: Marc Schortgen Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 236
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Étude des propriétés de bruit des transistors à effet de champ à grille submicronique pour des fréquences de fonctionnement en gamme centimétrique et millimétrique. Dans le premier chapitre, rappel des divers problèmes posés par la modélisation d'un transistor à effet de champ à grille submicronique et présentation du modèle numérique utilisé pour décrire le fonctionnement du composant en petit signal. Dans le second chapitre, modélisation du bruit hyperfréquence dans le TEC ; emploi de la méthode du champ d'impédance permettant le calcul du facteur de bruit et du quadripole de bruit équivalent du composant intrinsèque et extrinsèque. Exploitation de ce modèle développée dans le troisième chapitre. Étude des influences des différents paramètres technologiques et des éléments parasites sur le facteur de bruit permettant de dégager les critères d'une amélioration des performances hyperfréquences des TEC dans la gamme 20-60 GHz. Dans la dernière partie, caractérisation des TEC. Une méthode originale de détermination des éléments parasites d'accès et du schéma équivalent intrinsèque est proposée. Une méthode de mesure de facteur de bruit et de détermination des éléments du quadripole équivalent de bruit est également présentée.
Author: Abdel-ilah Eddini Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada ISBN: 9780612672635 Category : Languages : fr Pages : 128
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PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT, FABRICATION ET SCHEMA EQUIVALENT DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP. ETUDE QUANTITATIVE DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DANS LE CADRE DU MODELE SHOCKLEY, MODELE TENANT COMPTE DE LA VARIATION REELLE DE LA SECTION CONDUCTRICE DU CANAL. ETUDE THEORIQUE DU BRUIT DE FOND ASSOCIE AU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A PORTE A JONCTION: BRUIT THERMIQUE ASSOCIE AU CANAL DU TRANSISTOR, AUTRES SOURCES DE BRUIT DE FOND ASSOCIEES AU TRANSISTOR, DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISTIQUES DU BRUIT DE FOND DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP. RESULTATS EXPERIMENTAUX ET INTERPRETATIONS THEORIQUES. APPLICATION A LA SPECTROMETRIE NUCLEAIRE
Author: Pierre Vignaud
Author: T. Musha
Author: Micha Odyniec
Author: Ahmed Lyoubi
Author: ALI.. BOUDIAF
Author: ABDOLALI.. ABDIPOUR
Author: Laurent Boggiano
Author: Marc Schortgen![Étude et extraction des paramètres de bruit dans un transistor MESFET [microforme] PDF](https://books.google.com/books/content/images/frontcover/91wsQwAACAAJ?fife=w80-h100)
Author: Abdel-ilah Eddini
Author: Dominique Rigaud