LE TRANSISTOR METAL-OXYDE-SEMICONDUCTEUR A CANAL VERTICAL EN REGIME NON LINEAIRE D'APPLICATION HAUTE FREQUENCE DE PUISSANCE PDF Download
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UN MODELE NON LINEAIRE DU TRANSISTOR VMOS, COMPATIBLE AVEC LA CAO DES CIRCUITS, EST IMPLANTE ET VALIDE SUR LE LOGICIEL ASTEC III. IL EST UTILISABLE EN REGIME STATIQUE, ALTERNATIF ET TEMPOREL. CE MODELE SERT DE BASE POUR DEVELOPPER UNE METHODOLOGIE D'ETUDE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN REGIME NON LINEAIRE, EN TRES HAUTES FREQUENCES (V.H.F.). UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR DE CES AMPLIFICATEURS EST PROPOSEE ET TESTEE. L'APPLICATION ESSENTIELLE EST CELLE DE L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE EN BANDE ETROITE
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UN MODELE NON LINEAIRE DU TRANSISTOR VMOS, COMPATIBLE AVEC LA CAO DES CIRCUITS, EST IMPLANTE ET VALIDE SUR LE LOGICIEL ASTEC III. IL EST UTILISABLE EN REGIME STATIQUE, ALTERNATIF ET TEMPOREL. CE MODELE SERT DE BASE POUR DEVELOPPER UNE METHODOLOGIE D'ETUDE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN REGIME NON LINEAIRE, EN TRES HAUTES FREQUENCES (V.H.F.). UNE TECHNIQUE DE CONCEPTION ASSISTEE PAR ORDINATEUR DE CES AMPLIFICATEURS EST PROPOSEE ET TESTEE. L'APPLICATION ESSENTIELLE EST CELLE DE L'AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE EN BANDE ETROITE
Author: Georges Guegan (auteur d'une thèse de sciences.) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 224
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ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT
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PROPOSITION DE DEUX METHODES COMPLEMENTAIRES DE CALCUL DES PARAMETRES (MATRICE YIJ) HAUTES FREQUENCES DE LA ZONE ACTIVE DU TRANSISTOR VMOS. EN TENANT COMPTE DES ELEMENTS PARASITES, UN MODELE MATHEMATIQUE COMPLET EST DEDUIT, PAR SYNTHESE DU QUADRIPOLE, DE L'ANALYSE PRECEDENTE. DEUX TECHNIQUES DE CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS ASSISTEE PAR ORDINATEUR SONT PROPOSEES ET TESTEES
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UN MODELE DYNAMIQUE, NON LINEAIRE, ORIGINAL DU TRANSISTOR D.MOS VERTICAL (V.D.MOS) DONT LES ELEMENTS NE DEPENDENT QUE LES DONNEES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES DU COMPOSANT ET DES TENSIONS DE POLARISATION EST PROPOSE. APRES IMPLANTATION DE CE MODELE DANS LE LOGICIEL ASTEC III, UNE PREMIERE COMPARAISON ENTRE LES CARACTERISTIQUES SIMULEES ET MESUREES A ETE REALISEE EN REGIME STATIQUE, EN COMMUTATION ET EN REGIME DYNAMIQUE PETIT SIGNAL. AFIN DE PERMETTRE LA SIMULATION EN GRAND SIGNAL D'AMPLIFICATEUR RF DE PUISSANCE A TRANSISTOR V.D.MOS, DE NOUVELLES PROCEDURES DE SIMULATION DES TRANSISTORS INSTABLES AU SENS DE LINVILL ONT ETE MISES AU POINT. LEUR UTILISATION A CONDUIT APRES REALISATION PRATIQUE D'AMPLIFICATEURS A LA VALIDATION DU MODELE EN REGIME D'AMPLIFICATION GRAND-SIGNAL DE PUISSANCE. ENFIN, L'APPLICATION DE CES PROCEDURES ET DE CE MODELE A PERMIS D'ETABLIR DES REGLES DE CONCEPTION POUR DES TRANSISTORS V.DMOS DEVANT FONCTIONNER DANS LA GAMME U.H.F.
Author: Ralph Makhoul Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 192
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L'augmentation de la consommation électrique mondiale nécessite l'amélioration des composants de puissance. Jusqu'à présent, la majorité de ces composants, principalement réalisés en Silicium, ont atteint un point de saturation en termes de compromis entre la tenue en tension et la résistance à l'état passant. Ainsi, les propriétés physiques intrinsèques prometteuses des semi-conducteurs à large bande interdite (SiC, GaN, Diamant) ouvrent la voie vers la réalisation des composants électroniques de puissance plus performants. Dans ce contexte, nos travaux portent sur la conception et la réalisation d'une diode TMBS (Trench MOS Barrier Schottky) verticale et d'un transistor MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) vertical à canal P et à grille en U en diamant qui supportent 6000 V et 1200 V respectivement à température ambiante. Ces deux structures ont été conçues dans le cadre du projet ANR MOVeToDIAM (MOS Vertical Tout DIAMant), coordonné par le LAAS-CNRS, dans la continuité des travaux sur diamant effectués au laboratoire depuis 2005. La conception de la diode TMBS et du transistor MOSFET est réalisée avec le logiciel SENTAURUS TCAD (Technology Computer Aided Design). Une méthodologie de conception est adaptée pour ces deux structures pour bien atteindre les critères de fonctionnement souhaités. Pour terminer, des briques technologiques essentielles ont été développées afin de réaliser la diode TMBS et le transistor MOSFET. Dans un premier temps, des contacts ohmiques sur des échantillons en diamant type P ont été réalisés, puis caractérisés électriquement à l'aide des motifs TLM (Transmission Line Method) droit. Ensuite, un procédé de gravure sèche RIE-ICP (Reactive Ion Etching - Inductive Coupled Plasma) a été développé pour obtenir la réalisation de la structure MESA de la diode TMBS et aussi pour l'ouverture de la grille en U du transistor MOSFET. Enfin, un dépôt de différents diélectriques (SiO2, Si3N4 et Al2O3) sur des échantillons en diamant a été réalisé afin d'évaluer la qualité du dépôt du diélectrique.
Author: Mario Zamorano (auteur d'une thèse de sciences.) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 202
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MISE AU POINT DES TECHNOLOGIES DE CONCEPTION ADAPTEES A LA REALISATION DE STRUCTURES A DOUBLE GRILLE UTILISABLES DANS LE DOMAINE U.H.F. ETABLISSEMENT DES MODELES MATHEMATIQUES ET SCHEMAS EQUIVALENTS DE CES STRUCTURES A PARTIR DES PHENOMENES PHYSIQUES DONT ELLE EST LE SIEGE, DEFINITION DES TECHNIQUES DE DETERMINATION DES PARAMETRES DE CES MODELES POUR DES MESURES ADAPTEES ET PROPOSITION SUR LA BASE DE CRITERES DEFINIS, DE QUELQUES METHODES D'EVALUATIONS DE PERFORMANCES PLUS SPECIFIQUES. LES 2 TYPES DE TRANSISTORS ETUDIES DANS LA 1ERE PARTIE SONT DES TETRODES SUR SILICIUM MASSIF ET SUR SILICIUM SUR ISOLANT. DANS LA 2EME PARTIE ON APPORTE UNE CONTRIBUTION A L'ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR DE PUISSANCE A CANAL VERTICAL, ET ON MET EN EVIDENCE SES PROPRIETES ACTUELLES POUR L'AMPLIFICATION HAUTE FREQUENCE.
Author: Ahmed Belasri Publisher: Springer Nature ISBN: 9811554447 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Don Montague Publisher: Taylor & Francis ISBN: 9780419199106 Category : Architecture Languages : en Pages : 472
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This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.
Author: SAIDA.. LATRECHE
Author: SAIDA.. LATRECHE
Author: Georges Guegan (auteur d'une thèse de sciences.)
Author: LAREDJ.. BELABAS
Author: Gilles Tardivo
Author: Georges Guegan
Author: Rabah Maimouni
Author: Ralph Makhoul
Author: Mario Zamorano (auteur d'une thèse de sciences.)
Author: Ahmed Belasri
Author: Don Montague