INTERDIFFUSION DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPERRESEAUX A BASE DU QUATERNAIRE INGAASP POUR L'INTEGRATION MONOLITHIQUE DES COMPOSANTS OPTO-ELECTRONIQUES PDF Download
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Author: CLOVIS.. FRANCIS Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 215
Book Description
DANS LE PREMIER CHAPITRE ON TROUVE UNE REVUE GENERALE DES PROPRIETES CRISTALLOGRAPHIQUES, OPTIQUES ET ELECTRIQUES DES MATERIAUX QUATERNAIRES INGAASP. LE SECOND CHAPITRE DONNE LE PRINCIPE ET LES MECANISMES DE L'INTERDIFFUSION. NOUS PRESENTONS AUSSI DANS CE CHAPITRE LES APPLICATIONS DE L'INTERDIFFUSION DANS LES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES AINSI QU'UNE SYNTHESE BIBLIOGRAPHIQUE SUR L'INTERDIFFUSION DANS LE QUATERNAIRE INGAASP. LE TROISIEME CHAPITRE CONCERNE LA MODELISATION DE L'INTERDIFFUSION DANS LES SEMICONDUCTEURS III-V. LE QUATRIEME CHAPITRE ETUDIE L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR RECUIT THERMIQUE DANS UN SUPERRESEAU GAINP/GAAS. L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR IMPLANTATION IONIQUE DE SILICIUM DANS CE SYSTEME EST AUSSI EXAMINEE. DANS LE CINQUIEME CHAPITRE NOUS MENONS UNE ETUDE ORIGINALE SUR L'INTERDIFFUSION SELECTIVE INDUITE PAR LA PRESENCE DU PHOSPHORE GAZEUX PENDANT LE RECUIT ET PAR MASQUAGE DIELECTRIQUE. NOUS MONTRONS QUE L'INTERDIFFUSION EST FORTEMENT DEPENDANTE DES CONDITIONS DE SURFACE. L'EFFET DE LA CONTRAINTE, DE LA DISTANCE DU PUITS QUANTIQUE A LA SURFACE AINSI QUE LA PRESENCE DE DISLOCATIONS DANS LE PUITS SONT AUSSI EXAMINES DANS CE CHAPITRE. L'APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE D'INTERDIFFUSION SELECTIVE A L'INTEGRATION MONOLITHIQUE DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES EST AUSSI PRESENTEE. LE DERNIER CHAPITRE ETUDIE L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR LE PHOSPHORE DANS UN SUPERRESEAU INGAAS/INP, COURTE PERIODE, INSERE DANS UNE DIODE P-I-N. NOUS MONTRONS QUE L'INTERDIFFUSION DE PHOSPHORE INDUIT UNE INVERSION DE TYPE DU SUPERRESEAU
Author: CLOVIS.. FRANCIS Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 215
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DANS LE PREMIER CHAPITRE ON TROUVE UNE REVUE GENERALE DES PROPRIETES CRISTALLOGRAPHIQUES, OPTIQUES ET ELECTRIQUES DES MATERIAUX QUATERNAIRES INGAASP. LE SECOND CHAPITRE DONNE LE PRINCIPE ET LES MECANISMES DE L'INTERDIFFUSION. NOUS PRESENTONS AUSSI DANS CE CHAPITRE LES APPLICATIONS DE L'INTERDIFFUSION DANS LES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES AINSI QU'UNE SYNTHESE BIBLIOGRAPHIQUE SUR L'INTERDIFFUSION DANS LE QUATERNAIRE INGAASP. LE TROISIEME CHAPITRE CONCERNE LA MODELISATION DE L'INTERDIFFUSION DANS LES SEMICONDUCTEURS III-V. LE QUATRIEME CHAPITRE ETUDIE L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR RECUIT THERMIQUE DANS UN SUPERRESEAU GAINP/GAAS. L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR IMPLANTATION IONIQUE DE SILICIUM DANS CE SYSTEME EST AUSSI EXAMINEE. DANS LE CINQUIEME CHAPITRE NOUS MENONS UNE ETUDE ORIGINALE SUR L'INTERDIFFUSION SELECTIVE INDUITE PAR LA PRESENCE DU PHOSPHORE GAZEUX PENDANT LE RECUIT ET PAR MASQUAGE DIELECTRIQUE. NOUS MONTRONS QUE L'INTERDIFFUSION EST FORTEMENT DEPENDANTE DES CONDITIONS DE SURFACE. L'EFFET DE LA CONTRAINTE, DE LA DISTANCE DU PUITS QUANTIQUE A LA SURFACE AINSI QUE LA PRESENCE DE DISLOCATIONS DANS LE PUITS SONT AUSSI EXAMINES DANS CE CHAPITRE. L'APPLICATION DE CETTE TECHNIQUE D'INTERDIFFUSION SELECTIVE A L'INTEGRATION MONOLITHIQUE DES COMPOSANTS OPTOELECTRONIQUES EST AUSSI PRESENTEE. LE DERNIER CHAPITRE ETUDIE L'INTERDIFFUSION INDUITE PAR LE PHOSPHORE DANS UN SUPERRESEAU INGAAS/INP, COURTE PERIODE, INSERE DANS UNE DIODE P-I-N. NOUS MONTRONS QUE L'INTERDIFFUSION DE PHOSPHORE INDUIT UNE INVERSION DE TYPE DU SUPERRESEAU
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Dans les structures à puits quantiques sont calculés les niveaux d'impuretés et les niveaux excitoniques. Pour ce faire, après une étude de l'approximation de masse effective à trois dimensions (couramment utilisée pour décrire des superréseaux) et de ses limites de validité, est proposée une équation de masse effective à deux dimensions, mieux adaptée à l'étude de systèmes bidimensionnels.
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CE TRAVAIL EST UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ET DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS DE COURTE PERIODE, PAR DES EXPERIENCES DE TRANSMISSION EN PROPAGATION GUIDEE, A BASSE TEMPERATURE. LA CARACTERISATION COMPLETE ET LA DETERMINATION DES PARAMETRES DU GUIDE SONT ESSENTIELLES POUR L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES DES PUITS QUANTIQUES ISOLES OU SUPER-RESEAUX IMMERGES DANS LES STRUCTURES GUIDANTES. DANS CETTE CONFIGURATION EXPERIMENTALE, NOUS DETERMINONS LES COEFFICIENTS D'ABSORPTION DANS LES DEUX DIRECTIONS DE POLARISATION, PARALLELE ET PERPENDICULAIRE AU PLAN DES COUCHES ET NOUS EN DEDUISONS LES ENERGIES DE LIAISON ET LES FORCES D'OSCILLATEUR DES EXCITONS LOURDS ET LEGERS DES PUITS QUANTIQUES ETUDIES. NOUS AVONS EGALEMENT MESURE LE FAIBLE COEFFICIENT D'ABSORPTION DES TRANSITIONS OPTIQUES ENTRE ELECTRONS CONFINES DANS DES VALLEES X D'ALAS ET DES TROUS SITUES SUR DES ETATS GAMMA DE GAAS, DANS DES SUPER-RESEAUX (GAAS) N (ALAS) M DE TYPE-II. LA COMPARAISON DES RESULTATS EXPERIMENTAUX A UN CALCUL THEORIQUE DU COEFFICIENT D'ADSORPTION DANS UN SUPER-RESEAU DE TYPE-II A PERMIS DE DEDUIRE UNE VALEUR DU PARAMETRE DE COUPLAGE ENTRE ETATS ELECTRONIQUES GAMMA DE GAAS ET X D'ALAS, RESPONSABLE DE LA FORCE D'OSCILLATEUR FINIE DES TRANSITIONS OPTIQUES
Author: CLOVIS.. FRANCIS
Author: CLOVIS.. FRANCIS
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