ETUDE PAR SPECTROSCOPIE OPTIQUE D'HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES NON DOPEES ET DOPEES AU SILICIUM OU AU BERYLLIUM PDF Download
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DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES UNIQUES OU MULTIPLES, ELABOREES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES, SONT ETUDIEES PAR DEUX METHODES SPECTROSCOPIQUES CLASSIQUES, LA PHOTOLUMINESCENCE ET LA REFLECTIVITE, ET, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR UNE TECHNIQUE ORIGINALE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT). ELLES SONT NON DOPEES OU DOPEES AVEC DES ATOMES DONNEURS (SILICIUM) OU ACCEPTEURS (BERYLLIUM). POUR CE TYPE DE STRUCTURES SEMICONDUCTRICES, REALISEES SUR SUBSTRATS ABSORBANTS DANS LE DOMAINE D'ENERGIE DES TRANSITIONS DES PUITS, LA FORME INHABITUELLE DES SIGNAUX OBSERVES DANS LES SPECTRES D'AODT S'EXPLIQUE PRINCIPALEMENT PAR DES VARIATIONS DE L'INTENSITE LUMINEUSE REFLECHIE PAR LES INTERFACES AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES. LES SIGNAUX D'AODT SONT COMPLEMENTAIRES DE CEUX DE REFLECTIVITE. LA MODELISATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE A PERMIS DE DETERMINER LA POSITION EN ENERGIE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. L'ALLURE DES SIGNAUX D'AODT ET DE REFLECTIVITE EST TRES SENSIBLE A L'EPAISSEUR DE LA COUCHE BARRIERE DE SURFACE. DES RECOMBINAISONS D'EXCITONS LIES A DES IMPURETES SUPERFICIELLES NEUTRES (DX, AX) ET NIVEAU D'IMPURETE-NIVEAU DE CONFINEMENT FONDAMENTAL DES PORTEURS (DH, EA) SONT IDENTIFIEES EN ANALYSANT LE COMPORTEMENT DES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS DOPES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA PUISSANCE D'EXCITATION. L'ENERGIE DE LOCALISATION DE L'EXCITON SUR LE DONNEUR NEUTRE, SITUE AU CENTRE DES PUITS, PASSE PAR UN MAXIMUM, VERS 100A, LORSQUE LA LARGEUR DE PUITS DIMINUE TANDIS QU'UNE EVOLUTION STRICTEMENT MONOTONE EST OBSERVEE, ENTRE 300 ET 50A, POUR L'EXCITON PIEGE SUR L'ACCEPTEUR NEUTRE. ELLE DECROIT QUAND LA ZONE DE DOPAGE S'ELOIGNE DU CENTRE DES PUITS. LES VARIATIONS AVEC L'EPAISSEUR DES PUITS, ENTRE 28 ET 300A, DE L'ENERGIE DE LIAISON DE L'ATOME DE BERYLLIUM DANS SON ETAT FONDAMENTAL, DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT, S'AVERENT ETRE EN EXCELLENT ACCORD AVEC LES THEORIES RECENTES, CONFIRMANT LA BONNE LOCALISATION DU DOPAGE AU CENTRE DES PUITS, MEME DANS CEUX DE PLUS FAIBLE EPAISSEUR (N0 MONOCOUCHES). DES TRANSITIONS DITES A DEUX TROUS IMPLIQUANT CETTE IMPURETE SONT DETECTEES, POUR LA PREMIERE FOIS PAR PHOTOLUMINESCENCE, DANS UN SYSTEME DE BASSE DIMENSIONALITE
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DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS A PUITS QUANTIQUES UNIQUES OU MULTIPLES, ELABOREES PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES, SONT ETUDIEES PAR DEUX METHODES SPECTROSCOPIQUES CLASSIQUES, LA PHOTOLUMINESCENCE ET LA REFLECTIVITE, ET, POUR LA PREMIERE FOIS, PAR UNE TECHNIQUE ORIGINALE, L'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT). ELLES SONT NON DOPEES OU DOPEES AVEC DES ATOMES DONNEURS (SILICIUM) OU ACCEPTEURS (BERYLLIUM). POUR CE TYPE DE STRUCTURES SEMICONDUCTRICES, REALISEES SUR SUBSTRATS ABSORBANTS DANS LE DOMAINE D'ENERGIE DES TRANSITIONS DES PUITS, LA FORME INHABITUELLE DES SIGNAUX OBSERVES DANS LES SPECTRES D'AODT S'EXPLIQUE PRINCIPALEMENT PAR DES VARIATIONS DE L'INTENSITE LUMINEUSE REFLECHIE PAR LES INTERFACES AU VOISINAGE DES RESONANCES EXCITONIQUES. LES SIGNAUX D'AODT SONT COMPLEMENTAIRES DE CEUX DE REFLECTIVITE. LA MODELISATION DES SPECTRES DE REFLECTIVITE A PERMIS DE DETERMINER LA POSITION EN ENERGIE DES TRANSITIONS EXCITONIQUES. L'ALLURE DES SIGNAUX D'AODT ET DE REFLECTIVITE EST TRES SENSIBLE A L'EPAISSEUR DE LA COUCHE BARRIERE DE SURFACE. DES RECOMBINAISONS D'EXCITONS LIES A DES IMPURETES SUPERFICIELLES NEUTRES (DX, AX) ET NIVEAU D'IMPURETE-NIVEAU DE CONFINEMENT FONDAMENTAL DES PORTEURS (DH, EA) SONT IDENTIFIEES EN ANALYSANT LE COMPORTEMENT DES SPECTRES DE PHOTOLUMINESCENCE DES ECHANTILLONS DOPES EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA PUISSANCE D'EXCITATION. L'ENERGIE DE LOCALISATION DE L'EXCITON SUR LE DONNEUR NEUTRE, SITUE AU CENTRE DES PUITS, PASSE PAR UN MAXIMUM, VERS 100A, LORSQUE LA LARGEUR DE PUITS DIMINUE TANDIS QU'UNE EVOLUTION STRICTEMENT MONOTONE EST OBSERVEE, ENTRE 300 ET 50A, POUR L'EXCITON PIEGE SUR L'ACCEPTEUR NEUTRE. ELLE DECROIT QUAND LA ZONE DE DOPAGE S'ELOIGNE DU CENTRE DES PUITS. LES VARIATIONS AVEC L'EPAISSEUR DES PUITS, ENTRE 28 ET 300A, DE L'ENERGIE DE LIAISON DE L'ATOME DE BERYLLIUM DANS SON ETAT FONDAMENTAL, DETERMINEE EXPERIMENTALEMENT, S'AVERENT ETRE EN EXCELLENT ACCORD AVEC LES THEORIES RECENTES, CONFIRMANT LA BONNE LOCALISATION DU DOPAGE AU CENTRE DES PUITS, MEME DANS CEUX DE PLUS FAIBLE EPAISSEUR (N0 MONOCOUCHES). DES TRANSITIONS DITES A DEUX TROUS IMPLIQUANT CETTE IMPURETE SONT DETECTEES, POUR LA PREMIERE FOIS PAR PHOTOLUMINESCENCE, DANS UN SYSTEME DE BASSE DIMENSIONALITE
Author: HONG WU.. LIU Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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LES ETUDES OPTIQUES DE TRANSPORT VERTICAL DANS UN SYSTEME DE DOUBLE PUITS QUANTIQUES ASYMETRIQUE SOUS CHAMP ELECTRIQUE GA#0#.#7AL#0#.#3AS/GAAS ONT PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE LES RESONANCES DE TRANSFERT D'ELECTRONS, DE TROUS ET D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE. CES RESULTATS SONT COMPARES A DES CALCULS DES TEMPS TUNNEL ASSISTES PAR LES DEFAUTS DU SYSTEME OU LES PHONONS. LES ETUDES DE PUITS QUANTIQUES A MODULATION DE DOPAGE ONT MONTRE LA LEVEE PARTIELLE DES REGLES DE SELECTION EN PRESENCE DE PORTEURS AINSI QUE L'AUGMENTATION DE LA DUREE DE VIE RADIATIVE DUE AUX EFFETS A N CORPS
Author: DANDAN.. YANG Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DES TRANSITIONS INTRABANDES DANS DES HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES DU TYPE GAAS/ALGAAS. APRES UNE REVUE HISTORIQUE, LE CHAPITRE I MONTRE UN MODELE SIMPLE DE CALCUL DES NIVEAUX D'ENERGIE INTRABANDES. L'EXPRESSION DU MOMENT DIPOLAIRE AINSI QUE LES REGLES DE SELECTION ASSOCIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDES EST AUSSI ETABLIE. LE CHAPITRE II EST CONSACRE AUX STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES DOPEES. DANS UN PREMIER TEMPS, LE MODELE DE CALCUL DES NIVEAUX D'ENERGIE INTRABANDES EST COMPLETE POUR PRENDRE EN COMPTE LA COURBURE DE BANDE ET L'ECRANTAGE RESONANT DES TRANSITIONS INTRABANDES PAR LE PLASMA D'ELECTRON. L'EXPRESSION GENERALE DU COEFFICIENT D'ABSORPTION INTRABANDE EST ENSUITE ETABLIE. DANS LA SECONDE PARTIE EXPERIMENTALE, NOUS PRESENTONS DIFFERENTES METHODES DE SPECTROSCOPIE (SPECTROSCOPIE A TRANSFORMEE DE FOURIER, SPECTROSCOPIE LASER) AINSI QUE LES TECHNIQUES PERMETTANT D'AUGMENTER L'ABSORBANCE INTRABANDE COMME LA CONFIGURATION ZIG-ZAG ET LES GUIDES D'ONDE A PUITS QUANTIQUES. LE CHAPITRE III PORTE SUR LE COUPLAGE OPTIQUE ENTRE LES TRANSITIONS INTERBANDES ET INTRABANDES. UNE NOUVELLE TECHNIQUE DE SPECTROSCOPIE A LA FOIS INTERBANDE ET INTRABANDE EST AINSI DEVELOPPEE. LA POSSIBILITE D'INDUIRE UNE ABSORPTION INTRABANDE SOUS POMPAGE OPTIQUE INTERBANDE EST ENSUITE APPLIQUEE A LA MODULATION TOUT-OPTIQUE D'UNE RADIATION MOYEN-INFRAROUGE. LES PERFORMANCES D'UN PREMIER MODULATEUR SONT DISCUTEES. CETTE TECHNIQUE PERMET AUSSI D'EVOLUER LES TEMPS DE RECOMBINAISONS INTERBANDES DES PUITS QUANTIQUES. L'OPTIMISATION DES PERFORMANCES DE MODULATION TOUT-OPTIQUE EST ENFIN OBTENUE DANS UNE STRUCTURE GUIDE D'ONDE A PUITS QUANTIQUES. LE DERNIER CHAPITRE PRESENTE LES ETUDES SUR LES NON-LINEARITES OPTIQUE ASSOCIEES AUX TRANSITIONS INTRABANDES. IL S'AGIT EN PARTICULIER DE LA GENERATION DE SECOND-HARMONIQUE, ET DE LA SATURATION INTRABANDE DANS DES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES NON-DOPEES. NOUS PRESENTONS AUSSI
Author: Jean Orgonasi Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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NOUS ETUDIONS LES PROPRIETES OPTIQUES DE PUITS QUANTIQUES GAAS/GAALAS A MODULATION DE DOPAGE PAR DES TECHNIQUES DE LUMINESCENCE ET DE SPECTROSCOPIE D'EXCITATION A 2 K. NOUS OBSERVONS TROIS EFFETS MAJEURS SPECIFIQUES AUX PUITS DOPES: L'AFFAIBLISSEMENT, VOIRE LA DISPARITION DES EFFETS EXCITONIQUES, UN DECALAGE VERS LE ROUGE DE TOUTES LES ENERGIES DE TRANSITION PAR RAPPORT A CELLES OBTENUES SUIVANT UN CALCUL AUTO-COHERENT SUIVANT L'APPROXIMATION DE HARTRE, VALIDE A DENSITE ELECTRONIQUE NULLE. ON INTERPRETE CES PHENOMENES EN TENANT COMPTE DES INTERACTIONS COULOMBIENNES A N-CORPS. NOUS DECRIVONS LES SPECTRES PAR LE CALCUL DEJA MENTIONNE ET UNE DIMINUTION APPARENTE DE L'ENERGIE DE LA BANDE INTERDITE PROVENANT DES EFFETS A N-CORPS. EN FAISANT VARIER LE NOMBRE DE PORTEURS DANS NOS STRUCTURES, NOUS ETUDIONS LA DEPENDANCE FONCTIONNELLE DE CETTE DIMINUTION PAR RAPORT A LA DENSITE ELECTRONIQUE DANS LES PUITS. NOS RESULTATS SONT EN ACCORD AVEC LES CALCULS THEORIQUES EXISTANTS. ENFIN, NOUS CONFIRMONS LA DESCRIPTION THEORIQUE DE LA BANDE DE VALENCE PAR DES EXPERIENCES DE MAGNETO-LUMINESCENCE
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DEUX ASPECTS DE LA SPECTROSCOPIE OPTIQUE DANS LES PUITS QUANTIQUES SONT ABORDES DANS CE MEMOIRE. D'UNE PART, ON TRAITE THEORIQUEMENT ET EXPERIMENTALEMENT DES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS (IN,GA)AS/GAAS. UN MODELE BASE SUR LA THEORIE ELASTIQUE EST FORMULE AFIN D'INTERPRETER LES POSITIONS DES RAIES SPECTRALES OBSERVEES. NOUS AVONS APPLIQUE CETTE ETUDE PHYSIQUE AU CHOIX DES CARACTERISTIQUES DES PUITS PERMETTANT L'OPTIMISATION DES STRUCTURES LASERS. D'AUTRE PART, NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOLUMINESCENCE STATIONNAIRE ET RESOLUE EN TEMPS DE REFROIDISSEMENT ET LA LOCALISATION SUR LES RUGOSITES D'INTERFACE D'EXCITONS DANS DES MULTI-PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON COUPLES. LA MODELISATION DE L'INTERACTION EXCITON-PHONON DANS CES STRUCTURES A PUITS QUANTIQUES MET EN EVIDENCE UN RENFORCEMENT DU TAUX DE PERTE D'ENERGIE DES EXCITONS DU FAIT DE L'INTERACTION PAR POTENTIEL DE DEFORMATION ACOUSTIQUE PAR RAPPORT AU CAS DU MASSIF. UN MODELE DE LOCALISATION DEPENDANT DE LA TEMPERATURE EXCITONIQUE PERMETTANT DE RENDRE COMPTE DES DYNAMIQUES EXPERIMENTALES D'EXCITONS A BASSE TEMPERATURE EST FORMULE
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REALISATION DE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES. MODELISATION DE L'ABSORPTION INTRABANDE RESONNANTE EN PRENANT EN COMPTE LA DISPERSION DES DIFFERENTES SOUS-BANDES, LES EFFETS A N CORPS ET LE DOPAGE DES MATERIAUX. OPTIMISATION D'UN MODULATEUR D'AMPLITUDE A LA LONGUEUR D'ONDE 10,6 M COMMANDE ELECTRIQUEMENT GRACE A L'EFFET STRARK QUANTIQUE. ETUDE DES HETEROSTRUCTURES GAAS/GAALAS PAR DIFFRACTION RX ET PHOTOLUMINESCENCE. REALISATION D'UNE STRUCTURE PUITS QUANTIQUE MULTIPLE DESTINEE A MODULER EN AMPLITUDE UN FAISCEAU DE LONGUEUR D'ONDE 10,6 M
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L'OBJECTIF DES TRAVAUX DECRITS DANS CE MEMOIRE EST DE RECHERCHER LE LIEN ENTRE LES PROPRIETES DE RECOMBINAISONS DANS LES HETEROSTRUCTURES DE TYPE GAAS/ALAS ET LA STRUCTURE DE L'INTERFACE. L'OBSERVATION DE VARIATIONS DES ENERGIES DE CONFINEMENT DANS LES PUITS QUANTIQUES DIRECTS GAAS/(AL,GA)AS LIES AUX CHOIX DES TEMPERATURES DE CROISSANCE AMENE UNE INTERROGATION SUR LA NATURE DES PROCESSUS QUI ENTRAINENT L'INTRODUCTION D'UN DESORDRE AUX INTERFACES (SEGREGATION VERTICALE OU DEMIXION D'ALLIAGE) ET CONDUISE A APPROFONDIR L'ETUDE DE PUITS QUANTIQUES A DOUBLE BARRIERE GAAS/ALAS/(AL,GA)AS OU LES EPAISSEURS DE COUCHES D'ALAS ET DE GAAS SONT REDUITES A QUELQUES MONOCOUCHES. LES ETUDES EXPERIMENTALES (EXCITATION DE PHOTOLUMINESCENCE, PHOTOLUMINESCENCE RESOLUE EN TEMPS, PHOTOLUMINESCENCE SOUS PRESSION HYDROSTATIQUE) ASSOCIEES A UNE MODELISATION EN FONCTION ENVELOPPE DEMONTRE LA DIVERSITE DES ALIGNEMENTS DES NIVEAUX CONFINES ET APPORTE DES INFORMATIONS SUR LA LOCALISATION DES ELECTRONS DANS UNE OU DEUX MONOCOUCHES D'ALAS. CES EXPERIENCES EXPLIQUENT LES PROCESSUS DE TRANSFERTS ENTRE LES NIVEAUX ASSOCIES AUX MINIMA X#X#Y ET X#Z OU DE CAPTURE SUR LES DONNEURS AINSI QUE LE PHENOMENE DE COUPLAGE ENTRE LES ETATS DE GAAS ET X D'ALAS. L'EXISTENCE D'UN CONFINEMENT LATERAL EST DEMONTREE LORSQUE CES MEMES STRUCTURES SONT ELABOREES SUR SURFACES VICINALES. DANS CES CONDITIONS L'ANALYSE DES RECOMBINAISONS DE STRUCTURES OU LA COUCHE D'ALAS EST REDUITE A UNE MONOCOUCHE REVELE L'ACTION DES FLUCTUATIONS DES LARGEURS DE TERRASSE SUR LES PROPRIETES DE RECOMBINAISONS
Author: PEDRO PEGUERO.. TRINDADE VAGOS Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 217
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CE TRAVAIL CONCERNE L'ETUDE DES TRANSITIONS INTERSOUSBANDES DANS LES PUITS QUANTIQUES GAAS/ALGAAS NON DOPES INDUITES PAR LE POMPAGE OPTIQUE DES TRANSITIONS INTERBANDES. APRES UNE BREVE DESCRIPTION THEORIQUE DES PROPRIETES DE CES TRANSITIONS, NOUS NOUS INTERESSONS A LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE. CETTE TECHNIQUE NOUVELLE PERMET D'OBTENIR A LA FOIS DES SPECTRES INTERSOUSBANDES ET INTERBANDES AVEC UNE GRANDE SENSIBILITE ET RESOLUTION. ELLE PERMET AUSSI UNE ANALYSE DES MECANISMES MONO-MOLECULAIRES ET BI-MOLECULAIRES DE RELAXATION INTERBANDES. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE UNE APPLICATION DE L'ABSORPTION INTERSOUSBANDE PHOTO-INDUITE PORTANT SUR LA MODULATION TOUT-OPTIQUE. L'INSERTION DES PUITS QUANTIQUES DANS UNE STRUCTURE GUIDE D'ONDE PERMET DE REALISER DES MODULATEURS TOUT-OPTIQUE PERFORMANTS AVEC DES TAUX DE MODULATION PROCHE DE 100% POUR DES PUISSANCES POMPES DE QUELQUES MILLIWATTS. LEUR BANDE PASSANTE EST LIMITEE PAR LE TEMPS DE RELAXATION INTERBANDE ET PEUT ETRE AMELIOREE PAR UNE IMPLANTATION DE PROTONS. NOUS AVONS MONTRE QU'IL EST POSSIBLE D'INDUIRE UNE LUMINESCENCE INTERBANDE A HAUTE ENERGIE SOUS EXCITATION INTERSOUSBANDE. L'INTENSITE DE CETTE LUMINESCENCE INDUITE PERMET DE REMONTER AUX TEMPS DE RELAXATION INTERSOUSBANDES SANS AVOIR RECOURS A DES TECHNIQUES DE RESOLUTION TEMPORELLE SUBPICOSECONDE. L'ABSORPTION DES PHOTONS INFRAROUGES SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION SE TRADUISANT PAR UNE EMISSION DE PHOTONS VISIBLES (OU PROCHE VISIBLE) CE PROCESSUS PEUT ETRE CONSIDERE COMME UN MECANISME DE UP-CONVERSION. MALGRE LA FAIBLE VALEUR DU RENDEMENT DE CETTE CONVERSION, CE NOUVEAU PROCESSUS PEUT ETRE MIS A PROFIT POUR LA CONCEPTION DE DETECTEURS INFRAROUGES. NOUS AVONS MONTRE QU'UN TEL DETECTEUR, BASE SUR LA CONVERSION DE PHOTONS, EST CARACTERISE PAR UNE DETECTIVITE AU MOINS SIMILAIRE A CELLE DES DETECTEURS CONVENTIONNELS A PUITS QUANTIQUES (QWIP'S). IL DEVRAIT PRESENTER UNE GRANDE SENSIBILITE ET LE PRINCIPE SE PRETE FACILEMENT A DES APPLICATIONS D'IMAGERIE. ENFIN, NOUS NOUS INTERESSONS AUX TRANSITIONS INTERSOUSBANDE X- EN BANDE DE CONDUCTION DES SUPER-RESEAUX GAAS/ALAS. LE COUPLAGE X- EST INTRODUIT DANS UN MODELE DE KRONIG-PENNEY PAR BIAIS DES CONDITIONS DE RACCORDEMENT DES FONCTIONS ENVELOPPES AUX INTERFACES. L'EXPRESSION DU MOMENT DIPOLAIRE AINSI QUE LES REGLES DE SELECTION ASSOCIEES SONT ETABLIES. NOUS DISCUTONS ENSUITE UN CERTAIN NOMBRE D'EXPERIENCES AYANT POUR OBJECTIF LA MISE EN EVIDENCE DE CES TRANSITIONS
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NOUS DECRIVONS DANS CE MEMOIRE LES PROPRIETES OPTIQUES DE RESEAUX PERIODIQUES DE FILS QUANTIQUES REALISES PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES DE SEMICONDUCTEURS III-V ALAS/GAAS SUR SUBSTRATS VICINAUX. NOUS REALISONS UNE ETUDE SYSTEMATIQUE EN FONCTION DE LEUR INCLINAISON, QUI PERMET DE CONTROLER L'AMPLITUDE DU CONFINEMENT UNIDIMENSIONNEL AINSI QUE SES SYMETRIES. LES SPECTRES D'ABSORPTION DE RESEAUX DE FILS NON DOPES PRESENTENT DE NOUVELLES TRANSITIONS EXCITONIQUES QUI ATTESTENT DE LA FORMATION DE MINIBANDES 1D ET DE L'OUVERTURE DE MINIGAPS EN BANDES DE CONDUCTION ET DE VALENCE. ENFIN, DE FORTES INTERACTIONS EXCITON-EXCITON SONT MESUREES, QUI S'EXPLIQUENT EN TERMES DE MELANGE EN BANDE DE VALENCE ET DU CONFINEMENT PERIODIQUE 1D, DANS UN REGIME OU L'EXTENSION DES MINIZONES DE BRILLOUIN LATERALES /L#X EST DE L'ORDRE DU RAYON DE BOHR EXCITONIQUE INVERSE 1/A#B. LES STRUCTURES DOPEES SELECTIVEMENT MONTRENT QUANT A ELLES DES PROPRIETES GOUVERNEES A LA FOIS PAR LE CONFINEMENT 1D PERIODIQUE (COUPLAGES INTER-SOUS-BANDES) ET PAR LA LOCALISATION ANISOTROPE DES TROUS PHOTOCREES EN BANDE DE VALENCE (PROPRIETES DE POLARISATION LINEAIRE, REGLES DE SELECTION OPTIQUE EN (MAGNETO)-PHOTOLUMINESCENCE). ENFIN, NOUS DISCUTONS DES SINGULARITES AU NIVEAU DE FERMI, PHENOMENE TRADITIONNELLEMENT ATTRIBUE A L'INTERACTION COULOMBIENNE ENTRE PORTEURS PHOTOCREES DE VALENCE ET LE GAZ DEGENERE D'ELECTRONS DE CONDUCTION. NOUS EN PROPOSONS UNE EXPLICATION ALTERNATIVE DANS UN FORMALISME DE RESONANCE DE FANO, QUI EXPLIQUE QUANTITATIVEMENT LES SINGULARITES OBSERVEES DANS DES GAZ 2D (GOUVERNEES PAR LE DESORDRE D'ALLIAGE) ET CELLES DES GAZ 2D MODULES (GOUVERNEES PAR LES COUPLAGES INTER-SOUS-BANDES).
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CE TRAVAIL A PORTE SUR UNE ETUDE EXPERIMENTALE ET THEORIQUE DES PROPRIETES OPTIQUES D'HETEROSTRUCTURES A PUITS QUANTIQUES CONTRAINTS IN#XGA#1#-#XAS/GAAS. DES EXPERIENCES DE PHOTOLUMINESCENCE, DE REFLECTIVITE ET D'ABSORPTION OPTIQUE DETECTEE THERMIQUEMENT (AODT) ONT ETE EFFECTUEES, AUX TEMPERATURES DE L'HELIUM LIQUIDE, SUR DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ELABORES RESPECTIVEMENT PAR EPITAXIE SOUS JETS MOLECULAIRES (EJM) ET PAR EJM A PARTIR D'ORGANO-METALLIQUES (EJMOM). L'ANALYSE SPECTRALE (ENERGIES ET LARGEURS DES SIGNAUX) DES ECHANTILLONS EJM CONFIRME CLAIREMENT QUE LA TRANSITION 2D/3D DU MODE DE CROISSANCE, PAR FORMATION D'ILOTS COHERENTS (SANS DISLOCATIONS), EST REPOUSSEE ET QUE LES PHENOMENES DE SEGREGATION DES ATOMES D'INDIUM CONNAISSENT UNE LIMITATION LORSQU'ON ELOIGNE LE SYSTEME DE L'EQUILIBRE THERMODYNAMIQUE, EN REDUISANT LA TEMPERATURE DE CROISSANCE OU EN AUGMENTANT LA VITESSE DE CROISSANCE. LES RESULTATS OBTENUS SUR LES ECHANTILLONS EJMOM REVELENT UN EXCELLENT CONTROLE DE L'EPAISSEUR DES PUITS ; L'OBSERVATION DE RAIES DISCRETES DE PHOTOLUMINESCENCE, ATTRIBUEES A DES FLUCTUATIONS D'EPAISSEURS DES PUITS D'UNE MONOCOUCHE (MC), TEMOIGNE DE LA BONNE QUALITE DES INTERFACES (LARGES ETENDUES DES TERRASSES DANS LE PLAN DE CROISSANCE). DES MECANISMES DE TRANSFERTS INTERPUITS, PAR ACTIVATION THERMIQUE DES EXCITONS, SONT MIS EN EVIDENCE ET MODELISES. DANS LA GAMME D'EPAISSEUR DES PUITS (3-16 MC), UNE COMPARAISON ENTRE LES ENERGIES DES DIFFERENTES TRANSITIONS EXCITONIQUES OBSERVEES EN AODT ET CELLES CALCULEES EN PRENANT EN COMPTE LES EFFETS DE CONTRAINTE ET DE SEGREGATION A PERMIS DE FIXER, POUR LES DEUX SERIES D'ECHANTILLONS ETUDIES, UNE VALEUR COMMUNE DU DECALAGE DE BANDES RELATIF Q#C DE 0,640,01 DANS LE DOMAINE DE COMPOSITION 0,2
Author: DOMINIQUE.. BOFFETY
Author: DOMINIQUE.. BOFFETY
Author: HONG WU.. LIU
Author: DANDAN.. YANG
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Author: Nathalie Herschkorn
Author: BRUNO.. CHASTAINGT
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