Etude et réalisation d'un banc de test de circuits intégrés utilisant un faisceau laser PDF Download

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Etude et réalisation d'un banc de test de circuits intégrés utilisant un faisceau laser

Etude et réalisation d'un banc de test de circuits intégrés utilisant un faisceau laser PDF Author: Francis Jouaville
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 144

Book Description


Etude et réalisation d'un banc de test de circuits intégrés utilisant un faisceau laser

Etude et réalisation d'un banc de test de circuits intégrés utilisant un faisceau laser PDF Author: Francis Jouaville
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 144

Book Description


Etude et réalisation d'un banc de test de circuits intégrés sous irradiation laser

Etude et réalisation d'un banc de test de circuits intégrés sous irradiation laser PDF Author: Patrick Tignous
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 206

Book Description


Simulation expérimentale par impulsions laser ultra-courtes des effets des radiations ionisantes sur les circuits intégrés

Simulation expérimentale par impulsions laser ultra-courtes des effets des radiations ionisantes sur les circuits intégrés PDF Author: Vincent Pouget
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 239

Book Description
Ce travail présente l'élaboration d'un banc expérimental de test des circuits intégrés par faisceau laser impulsionnel ayant pour objectif la simulation des effets des radiations ionisantes sur les composants microélectroniques. Le contexte de l'étude est présenté par une revue de la littérature, et l'interaction ion-silicium est analysée. Un modèle rigoureux de l'interaction impulsion laser-silicium est développé. Les possibilités d'équivalence entre les deux interactions sont explorées et les limitations évoquées. Un modèle électrique de la réponse transitoire d'un transistor MOS à une irradiation est proposé. Un système expérimental de test des circuits intégrés par impulsions laser ultra-courtes est conçu, développé et caractérisé. Son automatisation complète est décrite. Le système est validé par différents types de tests effectués sur dès circuits numériques et analogiques. Le potentiel d'un nouveau type de cartographie des circuits intégrés est évalué.

Contribution au développement de techniques de stimulation laser dynamique pour la localisation de défauts dans les circuits VLSI

Contribution au développement de techniques de stimulation laser dynamique pour la localisation de défauts dans les circuits VLSI PDF Author: Amjad Deyine
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0

Book Description
L'objectif principal du projet est d'étudier les techniques d'analyses de défaillances des circuits intégrés VLSI basées sur l'emploi de laser. Les études ont été effectuées sur l'équipement à balayage laser MERIDIAN (DCGSystems) et le testeur Diamond D10 (Credence) disponible au CNES. Les travaux de thèse concernent l'amélioration des techniques dynamiques dites DLS comme « Dynamic Laser Stimulation ». Les techniques DLS consistent à perturber le fonctionnement d'un circuit intégré défaillant par effet photoélectrique ou effet photothermique, en fonctionnement dynamique, à l'aide d'un faisceau laser continu balayant la surface du circuit. Un faisceau laser modulé avec des impulsions supérieures à la nanoseconde et de façon synchrone avec le test électrique à l'aide d'un signal TTL peut être également avantageusement utilisé pour localiser des défauts non accessibles par des techniques purement statiques (OBIRCh, OBIC etc.). L'analyse de la réponse des paramètres électriques à la perturbation laser conduit à une identification de l'origine de la défaillance dynamique. L'optimisation des techniques DLS actuelles permet d'augmenter le taux de succès des analyses de défaillance et d'apporter des informations difficilement accessibles jusqu'alors, qui permettent la détermination de la cause racine de la défaillance.Dans un premier temps, le travail réalisé a consisté en l'amélioration du processus d'analyse des techniques DLS par l'intégration étroite avec le test de façon à observer tout paramètre électrique significatif lors du test DLS. Ainsi, les techniques de « Pass-Fail Mapping » ou encore les techniques paramétriques de localisation de défauts ont été implémentées sur le banc de test constitué du Meridian et du D10. La synchronisation du déroulement du test opéré par le testeur avec le balayage laser a permis par la suite d'établir des méthodologies visant à rajouter une information temporelle aux informations spatiales. En effet, en utilisant un laser modulé nous avons montré que nous étions capable d'identifier avec précision quels sont les vecteurs impliqués dans le comportement défaillant en modulant l'éclairement du faisceau laser en fonction de la partie de la séquence de test déroulée. Ainsi nous somme capable de corréler la fonction défaillante et les structures du CI impliquées. Cette technique utilisant le laser modulé est appelée F-DLS pour « Full Dynamic Laser Stimulation ». A l'inverse, nous pouvons connaitre la séquence de test qui pose problème, et par contre ne pas connaitre les structures du CI impliquées. Dans l'optique de rajouter cette l'information, il a été développé une technique de mesure de courant dynamique. Cette technique s'est avérée efficace pour obtenir des informations sur le comportement interne du CI. A titre d'exemple, prenons le cas des composants « latchés » où les signaux sont resynchronisés avant la sortie du composant. Il est difficile, même avec les techniques DLS actuelles, d'avoir des informations sur une dérive temporelle des signaux. Cependant l'activité interne du composant peut être caractérisée en suivant sur un oscilloscope l'évolution du courant lorsque le circuit est actif, sous la stimulation laser. L'information sur la dérive temporelle peut être extraite par observation de cette activité interne.Enfin, ces techniques de stimulation laser dynamique, ont également prouvé leur efficacité pour l'étude de la fiabilité des CI. La capacité de ces techniques à détecter en avance d'infimes variations des valeurs des paramètres opérationnels permet de mettre en évidence l'évolution des marges de ces paramètres lors d'un processus de vieillissement accéléré. L'étude de l'évolution de la robustesse des CI face aux perturbations externes est un atout majeur qu'apportent les techniques DLS à la fiabilité.Les méthodologies développées dans cette thèse, sont intégrées dans les processus d'analyse et de caractérisation de CI au laboratoire.

Détection et localisation de défauts dans les circuits intégrés logiques par test sous faisceau laser

Détection et localisation de défauts dans les circuits intégrés logiques par test sous faisceau laser PDF Author: Bertrand Simonin
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 340

Book Description
CE TRAVAIL CONSISTE EN LA RECHERCHE DES POSSIBILITES D'UTILISATION, COMME MOYEN DE TEST DE CIRCUITS INTEGRES, DE L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INDUIT PAR UN FAISCEAU LASER. LA PARTIE EXPERIMENTALE COMPORTE LA REALISATION D'UNE STATION DE MESURE, SA MISE AU POINT OPTIQUE, ELECTRONIQUE, AINSI QUE LA CONCEPTION DE SON INFORMATIQUE DE COMMANDE. L'ETUDE ET LA MODELISATION DE L'INTERACTION RAYONNEMENT-SEMICONDUCTEUR A APPORTE DES ELEMENTS D'EXPLICATION AUX REPONSES DES CIRCUITS A L'EXCITATION LUMINEUSE. UNE EVALUATION APPROFONDIE DU COMPORTEMENT DE CIRCUITS DE DIVERSES TECHNOLOGIES A ETE EFFECTUEE POUR DES FONCTIONNEMENTS EN TENSION MARGINALE ET VIS-A-VIS DE L'AUTO-AMORCAGE (LATCH-UP). LES CONCLUSIONS ONT PERMIS DE DEFINIR DES PROCEDURES SIGNIFICATIVES DE TEST.

Contribution à l'étude de l'interaction entre un faisceau laser et un milieu semiconducteur

Contribution à l'étude de l'interaction entre un faisceau laser et un milieu semiconducteur PDF Author: Pascal Fouillat (professeur d'électronique)
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Category :
Languages : fr
Pages : 213

Book Description
UNE MODELISATION APPROFONDIE DE L'INTERACTION LASER-SEMICONDUCTEUR PERMET L'ETUDE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES PHYSIQUES ET TECHNOLOGIQUES SUR L'EFFET PHOTOELECTRIQUE INDUIT. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX SUR LA LOCALISATION ET LA CARACTERISATION DES STRUCTURES BIPOLAIRES PARASITES INHERENTES A LA TECHNOLOGIE CMOS SONT CONFIRMES SIMULATION ELECTRIQUE. UNE SECONDE APPLICATION DEMONTRE LA FAISABILITE D'UNE ANALYSE D'ETATS LOGIQUES INTERNES SANS CONTACT DANS LES CIRCUITS INTEGRES. LE BANC DE TEST PAR FAISCEAU LASER EST COMPARE AUX AUTRES TECHNIQUES DE TEST SANS CONTACT ET SES PERSPECTIVES D'EVOLUTION SONT EVALUEES

Réalisation d'un banc de test pour circuits intégrés détecteurs et correcteurs d'erreurs

Réalisation d'un banc de test pour circuits intégrés détecteurs et correcteurs d'erreurs PDF Author: Jean-Régis FISSET
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 144

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Induction du phenomene de latchup par faisceau laser : etude et realisation d'un banc de test

Induction du phenomene de latchup par faisceau laser : etude et realisation d'un banc de test PDF Author: Catherine Peyre
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Category :
Languages : fr
Pages : 0

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Réalisation d'un banc de test de circuit intégré Smartcard

Réalisation d'un banc de test de circuit intégré Smartcard PDF Author: Didier Garcia
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Category :
Languages : fr
Pages : 124

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Contribution à la modélisation et au développement de techniques de test et d'analyse dynamiques de circuits intégrés par faisceau laser pulsé

Contribution à la modélisation et au développement de techniques de test et d'analyse dynamiques de circuits intégrés par faisceau laser pulsé PDF Author: Alexandre Douin
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Languages : fr
Pages : 176

Book Description
Ce travail présente le développement de techniques de test et d’analyse optiques dynamiques des circuits intégrés par faisceau laser impulsionnel. Le contexte de l’étude est présenté par une revue de la littérature des techniques de test et d’analyse optiques utilisées dans le domaine de la microélectronique. Une étude sur l’influence de la durée d’impulsion laser sur la signature photoélectrique a été menée par simulation physique. L’utilisation d’impulsions laser ultracourtes a été ainsi mise en exergue. Deux techniques expérimentales (PULS et TRLS) de test et d’analyse des circuits intégrés par impulsions laser ultracourtes ont été développées et caractérisées. Un large panel de circuits de synchronisation a été étudié pour améliorer la résolution temporelle de la technique TRLS. Les deux techniques PULS et TRLS ont été validées par différentes analyses effectuées sur des circuits numériques.