ETUDE DES PHENOMENES PHYSIQUES ASSOCIES A L'OUVERTURE DES CONTACTS DANS L'OXYDE DE SILICIUM PAR GRAVURE PLASMA PDF Download
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Author: CYRIL.. LE GOFF Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 158
Book Description
LE PRESENT TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE D'UNE IMPORTANTE ETAPE TECHNOLOGIQUE DE LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES CMOS ULSI, A SAVOIR : L'OPERATION D'OUVERTURE DES TROUS DE CONTACT. LA GRAVURE DE L'OXYDE DE SILICIUM EST REALISEE DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL DE TYPE DIODE RADIOFREQUENCE, EN PLASMA CHF#3-CF#4-AR. L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR SUR LA GRAVURE DE L'OXYDE, DU MASQUE DE RESINE ET DU SUBSTRAT DE SILICIUM SOUS-JACENT EST EXAMINEE SUIVANT LA METHODE DES PLANS D'EXPERIENCES. EN OUTRE, UN RETICULE PERMETTANT DE REPRODUIRE SUR LE MASQUE DE RESINE DES RESEAUX DE LIGNES ET DE CONTACTS DE DIMENSIONS 1 ET 0,6 M EST UTILISE POUR ETUDIER LES EFFETS DE TOPOGRAPHIE. LA CARACTERISATION DU PROCEDE EST EFFECTUEE PAR LA MESURE DES VITESSES D'ATTAQUE, DE L'UNIFORMITE, DES SELECTIVITES, DU PROFIL ET DES DIMENSIONS DES MOTIFS GRAVES, ET DES RESISTANCES DE CONTACT METAL/SI. L'ANALYSE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS XPS DES SURFACES TRAITEES PERMET DE COMPRENDRE LES TENDANCES OBSERVEES, NOTAMMENT EN TERME DE SELECTIVITE OXYDE/SILICIUM. UNE ETUDE PLUS DETAILLEE DES MODIFICATIONS DE SURFACE DU SUBSTRAT DE SILICIUM EXPOSE AU PLASMA CHF#3-CF#4-AR EST AUSSI ENTREPRISE. NOUS NOUS FOCALISONS SUR LA COUCHE D'INTERFACE FILM (F, C)/SUBSTRAT ET SUR L'ETAT CRISTALLIN DU SILICIUM. ENFIN, LA CARACTERISATION DES SURFACES APRES TRAITEMENTS POST-GRAVURE EN PLASMA CF#4 OU CF#4-O#2 PERMET DE S'ASSURER DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS INDUITS PAR L'ETAPE DE GRAVURE. L'OBJECTIF EST DE RESTAURER LA SURFACE DU SILICIUM AFIN D'AMELIORER LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES CIRCUITS CMOS. LES EFFETS DE LA CHIMIE DU PLASMA, DU TEMPS DE TRAITEMENT, DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DES MOTIFS SUR L'ETAT DE SURFACE DU SILICIUM SONT ETUDIES AU MOYEN DE LA SPECTROMETRIE XPS.
Author: CYRIL.. LE GOFF Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 158
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LE PRESENT TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE D'UNE IMPORTANTE ETAPE TECHNOLOGIQUE DE LA FABRICATION DES CIRCUITS INTEGRES CMOS ULSI, A SAVOIR : L'OPERATION D'OUVERTURE DES TROUS DE CONTACT. LA GRAVURE DE L'OXYDE DE SILICIUM EST REALISEE DANS UN REACTEUR INDUSTRIEL DE TYPE DIODE RADIOFREQUENCE, EN PLASMA CHF#3-CF#4-AR. L'INFLUENCE DES PARAMETRES DU REACTEUR SUR LA GRAVURE DE L'OXYDE, DU MASQUE DE RESINE ET DU SUBSTRAT DE SILICIUM SOUS-JACENT EST EXAMINEE SUIVANT LA METHODE DES PLANS D'EXPERIENCES. EN OUTRE, UN RETICULE PERMETTANT DE REPRODUIRE SUR LE MASQUE DE RESINE DES RESEAUX DE LIGNES ET DE CONTACTS DE DIMENSIONS 1 ET 0,6 M EST UTILISE POUR ETUDIER LES EFFETS DE TOPOGRAPHIE. LA CARACTERISATION DU PROCEDE EST EFFECTUEE PAR LA MESURE DES VITESSES D'ATTAQUE, DE L'UNIFORMITE, DES SELECTIVITES, DU PROFIL ET DES DIMENSIONS DES MOTIFS GRAVES, ET DES RESISTANCES DE CONTACT METAL/SI. L'ANALYSE PAR SPECTROMETRIE DE PHOTOELECTRONS XPS DES SURFACES TRAITEES PERMET DE COMPRENDRE LES TENDANCES OBSERVEES, NOTAMMENT EN TERME DE SELECTIVITE OXYDE/SILICIUM. UNE ETUDE PLUS DETAILLEE DES MODIFICATIONS DE SURFACE DU SUBSTRAT DE SILICIUM EXPOSE AU PLASMA CHF#3-CF#4-AR EST AUSSI ENTREPRISE. NOUS NOUS FOCALISONS SUR LA COUCHE D'INTERFACE FILM (F, C)/SUBSTRAT ET SUR L'ETAT CRISTALLIN DU SILICIUM. ENFIN, LA CARACTERISATION DES SURFACES APRES TRAITEMENTS POST-GRAVURE EN PLASMA CF#4 OU CF#4-O#2 PERMET DE S'ASSURER DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS INDUITS PAR L'ETAPE DE GRAVURE. L'OBJECTIF EST DE RESTAURER LA SURFACE DU SILICIUM AFIN D'AMELIORER LES PERFORMANCES ELECTRIQUES DES CIRCUITS CMOS. LES EFFETS DE LA CHIMIE DU PLASMA, DU TEMPS DE TRAITEMENT, DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DES MOTIFS SUR L'ETAT DE SURFACE DU SILICIUM SONT ETUDIES AU MOYEN DE LA SPECTROMETRIE XPS.
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CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDE DE SILICIUM REALISE PAR OXYDATION PLASMA A BASSE TEMPERATURE DANS UN REACTEUR A RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE. NOUS NOUS SOMMES INTERESSES AUX CINETIQUES DE CROISSANCE EN ANODISATION PLASMA (TENSION APPLIQUEE AU SUBSTRAT SUPERIEURE AU POTENTIEL PLASMA) A COURANT CONSTANT QUI DECRIVENT BIEN UN MODELE DE DIFFUSION D'IONS O#- ASSISTEE CHAMP. MAIS, NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN PREMIER REGIME, OU LA TENSION RESTE CONSTANTE, QUI CORRESPONDRAIT A LA FORMATION D'UNE COUCHE CONDUCTRICE D'EPAISSEUR 10-15 NM DUE AUX PHOTONS U.V. ENERGETIQUES DU PLASMA D'OXYGENE. NOUS AVONS CARACTERIS E PHYSIQUEMENT NOS OXYDES PLASMAS. LA METHODE D'ABSORPTION INFRAROUGE S'EST REVELEE TRES ADAPTEE A L'ETUDE DES COUCHES MINCES DE SILICE, EN TENANT COMPTE DES EFFETS GEOMETRIQUES, MIS EN EVIDENCE PAR CALCUL ET EXPERIMENTALEMENT, PROVOQUANT UN DEPLACEMENT FICTIF DU PIC DU MODE PRINCIPAL OPTIQUE TRANSVERSE (TO) AVEC L'EPAISSEUR D'OXYDE, TANDIS QUE LA POSITION DU PIC DU MODE OPTIQUE LONGITUDINAL (LO) RESTE INVARIANTE. LA POSITION DES PICS DES MODES LO ET TO NOUS PERMET DE DETERMINER L'ANGLE MOYEN SI-O-SI ET LA DENSITE DE LA SILICE. LES OXYDES PLAMAS MONTRENT UNE POSITION DE CES DEUX PICS TRES DEPLACEE PAR RAPPORT AUX OXYDES THERMIQUES LAISSANT PRESAGER DES OXYDES DENSES. LA REFLECTOMETRIE X S'EST REVELEE TRES SENSIBLE A LA RUGOSITE DE SURFACE DE L'OXYDE TANDIS QU'IL EST DIFFICILE D'OBTENIR DES VALEURS PRECISES POUR LES AUTRES PARAMETRES (RUGOSITE D'INTERFACE SIO#2/SI, DENSITE). LES RESULTATS DES MESURES SUR LES OXYDES ANODIQUES EN ABSORPTION INFRAROUGE ET EN REFLECTOMETRIE X MONTRENT UNE INHOMOGENEITE EN EPAISSEUR. ENFIN, DES MESURES C(V) MONTRENT UNE CARACTERISTIQUE CONVENABLE BIEN QUE CES OXYDES SOIENT CONTAMINES PAR LES METAUX CONSTITUANT LE REACTEUR
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Cette thèse est consacrée à l'étude de deux étapes de gravure par plasma intégrés à de étapes technologiques importantes dans la fabrication des circuits intégrés. La première concerne la réalisationde zones d'oxydes de silicium enterrées, qui permettent d'isoler électriquement les zones actives des composants. L'oxyde de silicium croît dans une tranchée gravée dans le silicium. Les zones actives sont alors protégées par une couche de nitrure de silicium, déposée sur une couche d'oxyde tampon. Le programme mis au point permet de graver sur un même équipement ces deux couches puis de réaliser la tranchée dans le silicium. Le nitrure et le silicium sont gravés dans un plasma de SF6, et une recette de gravure de l'oxyde de silicium dans un plasma de CF4 a été développée pour remplacer la gravure humide. Les caractéristiques électriques des composants fabriqués ont été détériorées lors de la mise en place de ce nouveau programme de gravure, et les condition de gravure du silicium ont dû être ajustées pour compenser la différence de profil observée. La seconde étude concerne la gravure du premier niveau d'interconnexions d'un procédé. Ce niveau métallique est composé d'une couche de WTi sur laquelle est déposée une couche d'AlCu. Sous ces couches métalliques, une fine couche d'oxyde protège les bandes de polysilicium. L'AlCu est d'abord gravé par plasma Cl2/BCl3/N2, puis le WTi est gravé par voie humide dans une solution de péroxyde d'hydrogène. La sélectivité est donc très importante. Le but de cette étude a été de mettre au point un programme permettant de graver la couche de WTi par plasma dans le réacteur T.C.P. sur lequel la couche d'AlCu est gravée.
Author: Ahmed Belasri Publisher: Springer Nature ISBN: 9811554447 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Martin Kogelschatz Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 160
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE COMPRENDRE LES INTERACTIONS PLASMA-SURFACE PENDANT LA GRAVURE DU SILICIUM DANS DES CHIMIES HBr/CI2I02. DANS CES PROCEDES, UNE COUCHE SE DEPOSE SUR LES PAROIS DU REACTEUIi ET MENE A LA DERIVE DU PROCEDE. LA NATURE CHIMIQUE ET LES MECANISMES DE FORMATION DE CETTE COUCHE ONT ETE ETUDIES PAR SA GRAVURE ULTERIEURE AVEC UN PLASMA ARlSF6 ET L'ANALYSE RESOLUE EN TEMPS DES PRODUITS DE GRAVURE PAR LES DIAGNOSTICS D'EMISSION OPTIQUE ET DE SPECTROMETRIE DE MASSE. IL A ETE MONTRE QUE CETTE COUCHE EST DU TYPE SiOxCly TRES RICHE EN CHLORE. AUSSI, LA CINETIQUE DES RADICAUX SiClx PRODUITS LORS DE LA GRAVURE DU SILICIUM PAR LE PLASMA HBr/CI2/02, QUI SONT LES PRECURSEURS DE CE DEPOT, A ETE ETUDIEE PAR LA SPECTROSCOPIE D'ABSORPTION LARGE BANDE DANS L'UV. IL A ETE CONCLU QUE LES PRECURSEURS DU DEPOT SONT LE Si, Si+, SiCI ET SiCI+. MAIS LA REACTION DE CES ESPECES AVEC LES PAROIS PEUT AUSSI MENER A LA FORMATION DE SiCI2 VOLATIL.
Author: Pierre Chabert Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 88
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REACTEUR EXPERIMENTAL DE GRAVURE PAR PLASMA, UTILISANT UNE DECHARGE MICROONDE EN CHAMP MAGNETIQUE A LA RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE. APPLICATION A LA GRAVURE D'ECHANTILLONS DE SILICIUM AVEC MASQUE DE SILICE DANS UN PLASMA DE SF::(6), EN MODIFIANT D'UN ESSAI A L'AUTRE LA POLARISATION CONTINUE DU PORTE-SUBSTRAT, REGLEE EN REFERENCE AU POTENTIEL PLASMA. CES ESSAIS METTENT EN EVIDENCE LE FAIT QU'UNE FAIBLE VARIATION DU POTENTIEL DE L'ECHANTILLON PEUT AVOIR UN EFFET IMPORTANT SUR LES CARACTERISTIQUES DE GRAVURE, EN PARTICULIER EN CE QUI CONCERNE LA SELECTIVITE DE L'ATTAQUE DU SILICIUM PAR RAPPORT AU SIO::(2)
Author: International Atomic Energy Agency Publisher: International Atomic Energy Agency ISBN: 9789201063205 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 72
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This publication results from a technical meeting on phenomenology and technologies relevant to in-vessel melt retention (IVMR) and ex-vessel corium cooling (EVCC). The purpose of the publication is to capture the state of knowledge, at the time of that meeting, related to phenomenology and technologies as well as the challenges and pending issues relevant to IVMR and EVCC for water cooled reactors by summarizing the information provided by the meeting participants in a form useful to practitioners in Member States.
Author: CYRIL.. LE GOFF
Author: CYRIL.. LE GOFF
Author: CHRISTINE.. MARTINET
Author: Jérôme Lenormand
Author: Ahmed Belasri
Author: Martin Kogelschatz
Author: Pierre Chabert
Author: International Atomic Energy Agency
Author: Universidade de Coimbra