ETUDE DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INDUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PDF Download
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ETUDE, PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND, DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INTRODUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PUR OU IMPLANTE. TROIS NIVEAUX PIEGES ONT ETE OBSERVES DANS SI DOPE PAR LE BORE ET RECUIT ENTRE 850 ET 1050C. L'IMPLANTATION PAR AS**(+) OU PF**(+)::(5) CHANGE LE NIVEAU D'UN DE CES PIEGES. UN PIEGE A ELECTRONS A ETE DETECTE DANS LE CAS D'UNE FORTE DOSE D'IONS AS, POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT DE 1100C
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ETUDE, PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND, DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INTRODUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PUR OU IMPLANTE. TROIS NIVEAUX PIEGES ONT ETE OBSERVES DANS SI DOPE PAR LE BORE ET RECUIT ENTRE 850 ET 1050C. L'IMPLANTATION PAR AS**(+) OU PF**(+)::(5) CHANGE LE NIVEAU D'UN DE CES PIEGES. UN PIEGE A ELECTRONS A ETE DETECTE DANS LE CAS D'UNE FORTE DOSE D'IONS AS, POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT DE 1100C
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SYNTHESE ET ANALYSE BIBLIOGRAPHIQUE APPROFONDIE DU RECUIT RAPIDE ISOTHERME. CONTRIBUTION AUX ETUDES DE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS, PARTICULIEREMENT DANS LE DOMAINE DU RECUIT POST-IMPLANTATION. DETERMINATION DU PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES FOURS POUR RECUIT RAPIDE ISOTHERME, PRESENTE UNE SOLUTION POUR LE PILOTAGE PRECIS DU PROTOTYPE, PROPOSE DES CRITERES D'ANALYSE ET DES COMPARAISONS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ENTRE EUX. LE COMPORTEMENT DU SILICIUM VIERGE ET IMPLANTE A ETE ETUDIE
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ETUDE DES DEFAUTS ELECTRONIQUEMENT ACTIFS DANS SI PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAUX PROFONDS. EFFET DE LA FLUENCE ET DE L'ENERGIE DES ELECTRONS. ETUDE DU RECUIT SOUS ATMOSPHERE D'HYDROGENE. L'EFFET DE L'IMPLANTATION D'HYDROGENE SUR LES NIVEAUX D'IMPURETES EST ETUDIE
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NOUS AVONS UTILISE UNE TECHNIQUE DE SPECTROSCOPIE CAPACITIVE (DLTS) POUR ETUDIER LES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS, INTRODUITS DANS LE SILICIUM PAR DEUX RECUITS THERMIQUES TRANSITOIRES: L'IRRADIATION PAR LASER EXCIMERE ET LE RECUIT THERMIQUE RAPIDE EN FOUR A LAMPES. NOUS AVONS MONTRE QUE LA NATURE DES DEFAUTS DEPEND ESSENTIELLEMENT DE LA DUREE DE DEPOT D'ENERGIE LORS DE CES RECUITS TRANSITOIRES. DANS LE CAS DU LASER, LES DEFAUTS, PRINCIPALEMENT DE TYPE LACUNAIRE, SONT DUS A LA TREMPE THERMIQUE ASSOCIEE A LA FUSION SUPERFICIELLE CONSECUTIVE A L'IRRADIATION PAR LASER (DE QUELQUES NANOSECONDES). PAR CONTRE, LORS DU RECUIT THERMIQUE RAPIDE (DE QUELQUES SECONDES), C'EST L'ACTIVATION DES METAUX DE TRANSITION QUI L'EMPORTE SUR LA GENERATION DES DEFAUTS CRISTALLOGRAPHIQUES. L'ORIGINE DE CES IMPURETES METALLIQUES EST SOIT INTRINSEQUE AU MATERIAU, SOIT EXTRINSEQUE (CONTAMINATION). NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE QUE CES METAUX DE TRANSITION SE REDISTRIBUENT D'UNE FACON HETEROGENE DANS LE MATERIAU PAR EFFET GETTER. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, POUR LA PREMIERE FOIS, CET EFFET GETTER DANS LE CAS D'UNE IMPURETE VOLONTAIREMENT INTRODUITE DANS LE SILICIUM (L'OR), EN PREPARANT DIFFERENTS SITES DE GETTER PAR ENDOMMAGEMENT MECANIQUE OU PAR DIFFUSION D'UN DOPANT (BORE OU PHOSPHORE)
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ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE
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ETUDE DES EFFETS DE TRAITEMENTS THERMIQUES RAPIDES SUR LES PROPRIETES ELECTRIQUES DE L'ASGA NON IMPLANTE. TROIS TYPES DE RECUIT ONT ETE CONSIDERES : ELECTRONIQUE PULSE PAR LASER CONTINU ET RAPIDE ISOTHERME PAR LAMPE. LES CARACTERISTIQUES CAPACITE-TENSION ET COURANT-TENSION ONT ETE OBTENUES; LES DEFAUTS ONT ETE ETUDIES PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND. L'ETUDE COMPARATIVE DES DIFFERENTS TYPES DE RECUIT INTRODUIT UNE DISCUSSION SUR LA TECHNOLOGIE LA PLUS APPROPRIEE AU TRAITEMENT THERMIQUE DE L'ASGA
Author: Richard Monflier Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 139
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La micro-électronique est un domaine exigeant, en constante évolution, motivé par le secteur applicatif et les besoins des utilisateurs. La réalisation de jonctions ultra-minces et fortement dopées est un enjeu majeur pour la poursuite de son évolution, et notamment pour son composant de base, le transistor MOS. Dans ce contexte, de nouvelles techniques de dopage permettant d'obtenir des jonctions ultra-minces ont été développées. Le recuit par laser nanoseconde (LTA) en mode " melt " est une de ces techniques. En effet, il permet une très forte activation locale (en surface et en profondeur) et une distribution uniforme des dopants. Ce procédé utilisé en laboratoire depuis les années 1980 dans la fabrication des cellules solaires offre également de nouvelles possibilités technologiques comme le développement d'architectures 3D. Néanmoins, des dégradations électriques de paramètres sensibles aux défauts tels que la mobilité et le courant inverse d'un transistor MOS ou la durée de vie des porteurs dans le cas de cellule photovoltaïque ont été observées. Dans ce contexte, cette thèse propose une étude rigoureuse des défauts générés par recuit laser en deux volets. Le premier volet traite de l'impact du recuit laser sur les propriétés physiques du silicium et repose essentiellement sur des caractérisations approfondies par spectroscopie infrarouge et photoluminescence d'échantillons silicium non intentionnellement dopés soumis à diverses conditions de recuits par impulsions laser à excimère. L'étude met en évidence la formation de défauts suite au procédé de recuit laser. Leur identification a permis d'affirmer l'introduction d'impuretés d'oxygène et de carbone durant le recuit. A partir de cette identification, le suivi en profondeur par spectroscopie de masse à ionisation secondaire de chacune des impuretés a été effectué révélant une augmentation de la concentration et de la diffusion des impuretés avec l'augmentation de la densité d'énergie du laser et/ou du nombre de tirs. A haute énergie laser, les profils de concentration d'oxygène montrent la présence d'un pic immobile (en concordance avec la solubilité limite de l'oxygène dans le silicium liquide) associé à des cavités de silicium observées par microscopie électronique en transmission (MET). L'origine de ces impuretés est discutée ; la caractérisation de véhicules tests dédiés a permis de définir l'oxyde natif comme étant leurs sources. Le second volet permet de répondre au second objectif qui consiste à évaluer l'impact du recuit laser sur les propriétés électriques de composants à base de silicium et s'appuie sur la caractérisation de diodes Schottky et PN préalablement fabriquées. Les résultats obtenus constituent un moyen supplémentaire pour, non seulement localiser les défauts électriquement actifs, mais également les identifier. Les caractéristiques courant-tension des diodes montrent systématiquement l'impact du recuit sur le courant de fuite, paramètre sensible aux défauts. Plus spécifiquement, le courant de fuite se dégrade avec l'augmentation de la densité d'énergie. Ces mesures électriques ont permis également de mettre en évidence la présence de défauts localisés à l'interface liquide/solide, défauts ayant un fort impact sur les propriétés électriques des diodes. Les résultats sont en accord avec la littérature qui suggère la présence de lacunes à cette interface. Pour aller plus loin, des mesures de DLTS ont été effectuées et dévoilent, selon la localisation (zone fondue ou interface), des signatures singulières laissant présager plusieurs types de défauts.
Author: Agnes Buka Publisher: World Scientific ISBN: 1848167997 Category : Science Languages : en Pages : 299
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The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.
Author: Jerome V. Moloney Publisher: Springer Science & Business Media ISBN: 9780387985817 Category : Business & Economics Languages : en Pages : 270
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Mathematical methods play a significant role in the rapidly growing field of nonlinear optical materials. This volume discusses a number of successful or promising contributions. The overall theme of this volume is twofold: (1) the challenges faced in computing and optimizing nonlinear optical material properties; and (2) the exploitation of these properties in important areas of application. These include the design of optical amplifiers and lasers, as well as novel optical switches. Research topics in this volume include how to exploit the magnetooptic effect, how to work with the nonlinear optical response of materials, how to predict laser-induced breakdown in efficient optical devices, and how to handle electron cloud distortion in femtosecond processes.
Author: Mohamed Remram
Author: Mohamed Remram
Author: JEAN-FRANCOIS.. JOLY
Author: Mohammed-Salah Doghmane
Author: BOUCHAIB.. HARTITI
Author: OLUSEYI.. ADEKOYA
Author: Ghanem Marrakchi
Author: Richard Monflier
Author: Agnes Buka
Author: Jerome V. Moloney