Author: DANIEL.. BERTRAND
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Languages : fr
Pages : 86
Book Description
ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
ETUDE DES DEFAUTS APRES IMPLANTATION IONIQUE DE L'OXYGENE DANS LE SILICIUM
Author: DANIEL.. BERTRAND
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Languages : fr
Pages : 86
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ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
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Languages : fr
Pages : 86
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ETUDE DU COMPORTEMENT DE L'OXYGENE IMPLANTE DIRECTEMENT DANS LE SILICIUM PAR DIFFRACTION D'ELECTRONS ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE. SUIVI DE LA CONCENTRATION D'OXYGENE DANS LE SILICIUM IMPLANTE A DE FORTES DOSES PAR SONDE IONIQUE. IMPLANTATIONS D'ARSENIC SEUL OU A TRAVERS SIO::(2) AFIN DE DEGAGER LA SIMILITUDE QUI EXISTE ENTRE LES IMPLANTATIONS DIRECTES EN OXYGENE ET LE RECUL DE L'OXYGENE
ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE A HAUTE ENERGIE DE BORE ET D'OXYGENE DANS LE SILICIUM
Author: Philippe Thevenin
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Languages : fr
Pages : 134
Book Description
CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
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Languages : fr
Pages : 134
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CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DE L'IMPLANTATION IONIQUE AVEC DES FAISCEAUX DE HAUTE ENERGIE, DANS LA GAMME DU MEV. TROIS ASPECTS PRINCIPAUX Y SONT ABORDES QUE SONT LA CARACTERISTION DE PROFILS IMPLANTES. L'ETUDE DE LA CREATION DE DEFAUTS ET LA SYNTHESE D'UNE COUCHE D'OXYDE ENTERREE. L'ETUDE DES PROFILS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DU BORE ET DE L'OXYGENE, RESPECTIVEMENT ENTRE 0,5 ET 3 MEV, ET ENTRE 0,6 ET 2 MEV. LEUR CARACTERISATION EST OBTENUE PAR LA DETERMINATION DES QUATRE PREMIERS MOMENTS LONGITUDINAUX ET DE L'ECART TYPE TRANSVERSAL DE LA DISTRIBUTION VOLUMIQUE DES IONS IMPLANTES. L'ETUDE DE LEUR EVOLUTION AVEC L'ENERGIE A NOTAMMENT PERMIS DE CONSTATER LE ROLE PREPONDERANT QUE JOUENT LES INTERACTIONS ELECTRONIQUES A HAUTE ENERGIE. L'ANALYSE DE LA CREATION DE DEFAUTS A ETE REALISEE SUR DES ECHANTILLONS DE SILICIUM IMPLANTES AVEC DE L'OXYGENE DE 1 MEV ET SUIVIE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE DE LA CIBLE SOUS FAISCEAU ET DE LA DOSE IMPLANTEE. L'ENDOMMAGEMENT EST AINSI APPARU EVOLUER DEPUIS UNE SIMPLE ACCUMULATION DE DEFAUTS PONCTUELS, PREDOMINANTS JUSQU'AUX ENVIRONS DE 180C, POUR DONNER NAISSANCE A DES DISLOCATIONS IMPARFAITES A PLUS HAUTE TEMPERATURE, APPARITION EGALEMENT LIEE A UN SEUIL EN DOSE. PAR IMPLANTATION D'OXYGENE A TRES FORTE DOSE ET A 2 MEV, IL A ETE POSSIBLE DE SYNTHETISER UNE COUCHE D'OXYDE PROFONDEMENT ENTERREE ET BIEN DEFINIE, APRES UN TRAITEMENT THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE ET DE LONGUE DUREE
Etude du comportement de l'oxygène dans le silicium et dans l'oxyde de silicium sous bombardement par des électrons de quelques Kev
Author: Pierre Juliet
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Languages : fr
Pages : 176
Book Description
ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE
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Languages : fr
Pages : 176
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ETUDE DES EFFETS DES DEFAUTS D'IRRADIATION SUR LES SPECTROMETRIES D'IONS SECONDAIRES ET AUGER. LA DIFFUSION DE SURFACE DES CONTAMINANTS ABSORBES PERTURBE LES ANALYSES D'OXYGENE EN PROFONDEUR. L'EXCITATION ELECTRONIQUE EST LA CAUSE DE LA DIFFUSION OU DE LA DESORPTION DE L'OXYGENE. LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE L'OXYDE EN EST MODIFIEE
Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium
Author: Philippe Vendange (auteur en microélectronique).)
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Languages : fr
Pages : 0
Book Description
Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat
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Languages : fr
Pages : 0
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Mise en evidence d'un nouvel ensemble de raies dans le spectre de photoluminescence du silicium recuit a 600**(o)c pendant une centaine d'heures. Observation d'energie de localisation faible et d'une raie a zero phonon. Proposition d'un modele prenant en compte les variations de potentiel aux interfaces entre les precipites d'oxygene generes par le recuit et le substrat
Etude par photoluminescence de défauts liés à la précipitation de l'oxygène dans le silicium
Author: Philippe Vendange
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Languages : fr
Pages : 220
Book Description
MISE EN EVIDENCE D'UN NOUVEL ENSEMBLE DE RAIES DANS LE SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE DU SILICIUM RECUIT A 600**(O)C PENDANT UNE CENTAINE D'HEURES. OBSERVATION D'ENERGIE DE LOCALISATION FAIBLE ET D'UNE RAIE A ZERO PHONON. PROPOSITION D'UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES VARIATIONS DE POTENTIEL AUX INTERFACES ENTRE LES PRECIPITES D'OXYGENE GENERES PAR LE RECUIT ET LE SUBSTRAT
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Languages : fr
Pages : 220
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MISE EN EVIDENCE D'UN NOUVEL ENSEMBLE DE RAIES DANS LE SPECTRE DE PHOTOLUMINESCENCE DU SILICIUM RECUIT A 600**(O)C PENDANT UNE CENTAINE D'HEURES. OBSERVATION D'ENERGIE DE LOCALISATION FAIBLE ET D'UNE RAIE A ZERO PHONON. PROPOSITION D'UN MODELE PRENANT EN COMPTE LES VARIATIONS DE POTENTIEL AUX INTERFACES ENTRE LES PRECIPITES D'OXYGENE GENERES PAR LE RECUIT ET LE SUBSTRAT
Étude des défauts liés à l'oxygène dans le silicium Czochralski destiné aux cellules solaires photovoltaïques – Influence des impuretés isovalentes
Author: Florent Tanay
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Languages : fr
Pages : 228
Book Description
Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.
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Languages : fr
Pages : 228
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Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.
Développement des techniques de caractérisation capacitives
Etude de défauts de structure apparaissant dans le silicium après recuit et liés à la présence d'oxygène
Etude de l'influence du recul de l'oxygène sur le silicium implanté à travers oxyde
Author: Béatrice Biasse
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Category :
Languages : fr
Pages : 116
Book Description
LE RENDEMENT DE RECUL DE L'OXYGENE EST DE L'ORDRE DE 1 POUR DES IMPLANTATIONS DE DOPANTS CLASSIQUES. L'INTRODUCTION D'OXYGENE SE TRADUIT DURANT LE RECUIT THERMIQUE PAR UN PHENOMENE DE PRECIPITATION ENTRAINANT UNE STABILITE THERMIQUE ACCRUE DES DEFAUTS RESIDUELS ET UN PIEGEAGE DES ATOMES DE DOPANTS. L'INTRODUCTION D'OXYGENE INDUIT AUSSI DES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES IMPLANTEES. L'INFLUENCE DU RECUL DE L'OXYGENE DEVRAIT SE MONTRER PARTICULIEREMENT CRITIQUE DANS L'AVENIR AVEC L'EVOLUTION VERS LA HAUTE INTEGRATION DES CIRCUITS
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Languages : fr
Pages : 116
Book Description
LE RENDEMENT DE RECUL DE L'OXYGENE EST DE L'ORDRE DE 1 POUR DES IMPLANTATIONS DE DOPANTS CLASSIQUES. L'INTRODUCTION D'OXYGENE SE TRADUIT DURANT LE RECUIT THERMIQUE PAR UN PHENOMENE DE PRECIPITATION ENTRAINANT UNE STABILITE THERMIQUE ACCRUE DES DEFAUTS RESIDUELS ET UN PIEGEAGE DES ATOMES DE DOPANTS. L'INTRODUCTION D'OXYGENE INDUIT AUSSI DES MODIFICATIONS DES PROPRIETES ELECTRIQUES DES COUCHES IMPLANTEES. L'INFLUENCE DU RECUL DE L'OXYGENE DEVRAIT SE MONTRER PARTICULIEREMENT CRITIQUE DANS L'AVENIR AVEC L'EVOLUTION VERS LA HAUTE INTEGRATION DES CIRCUITS
CONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI
Author: Jean-Pierre Brevignon
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Languages : fr
Pages : 176
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ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL PENDANT UN TRAITEMENT THERMIQUE ET CARACTERISATION PAR TOPOGRAPHIE RX ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE.
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Languages : fr
Pages : 176
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ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL PENDANT UN TRAITEMENT THERMIQUE ET CARACTERISATION PAR TOPOGRAPHIE RX ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE.