Etude des conditions de synthèse et de recristallisation par recuit rapide après implantation d'azote à forte dose dans du silicium PDF Download

Author: Talal Chamas
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :

View

Book Description

Author: OLUSEYI.. ADEKOYA
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 290

View

Book Description
ETUDE DE L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES DOPANTS (DONNEUR P; ACCEPTEUR B) ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS DANS SI MONOCRISTALLIN PAR RECRISTALLISATION EPITAXIQUE DES COUCHES, AMORPHISEES PAR IMPLANTATION IONIQUE, ET PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE. CONTROLE DE LA QUALITE DES COUCHES PAR RETRODIFFUSION DE RUTHERFORD ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION ET DE L'ELIMINATION DES DEFAUTS RESIDUELS PAR LA METHODE DLTS (NIVEAU PROFOND A 0,55 EV DE LA BANDE DE VALENCE). CONFIRMATION DE CETTE ELIMINATION DES DEFAUTS PAR RECUIT THERMIQUE RAPIDE APRES FUSION LASER DE SI, AVANT ET APRES IMPLANTATION IONIQUE. ANALYSE DU ROLE ELECTRIQUE DES DEFAUTS (CONTRAINTES THERMOELASTIQUES, ASSOCIATION IMPURETE-DEFAUT PRIMAIRE) DANS SI N, NON IMPLANTE, PAR DES MESURES DLTS, CAPACITE TENSION ET COURANT-TENSION; REDUCTION DE LEUR CONCENTRATION PAR DEPOT D'UNE FINE COUCHE D'OXYDE

Author: PIERRE.. RUTERAMA
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 294

View

Book Description
RAPPEL DU PRINCIPE DE L'IMPLANTATION IONIQUE, EN INSISTANT PARTICULIEREMENT SUR LE PROCESSUS DE CREATION DE DEFAUTS ET SUR LEUR REPARTITION DANS LA COUCHE BOMBARDEE. ETUDE DES MECANISMES DE RECUIT THERMIQUE, RECUIT PAR LASER A FAISCEAU CONTINU, RECUIT PAR FAISCEAU LASER PULSE ET RECUIT PAR PULSE THERMIQUE. ETUDE DE L'ETAT DE SURFACE DU MATERIAU ET DE L'ETAT CRISTALLIN DES COUCHES RECUITES. CARACTERISATION ELECTRIQUE DES JONCTIONS P/N ET ANALYSE DE L'ALBUM DES COURBES I/V

Author: LAURENCE.. PLEVERT
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 172

View

Book Description
CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CRISTALLISATION PAR RECUIT RAPIDE DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE DEPOSEES SUR VERRE, DANS LA PERSPECTIVE DE LA FABRICATION DE TRANSISTORS EN SILICIUM POLYCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL EST CONSACREE A LA MISE AU POINT D'UN MODELE COMPLET DES MECANISMES D'ECHAUFFEMENT DANS UN FOUR DE RECUIT RAPIDE, AINSI QUE D'UN OUTIL DE SIMULATION ASSOCIE, QUI PERMET DE PREVOIR LE COMPORTEMENT THERMIQUE DE L'ECHANTILLON. LA SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL PORTE SUR LA DETERMINATION, GRACE AUX OUTILS DEVELOPPES DANS LA PREMIERE PARTIE, DES PARAMETRES EXPERIMENTAUX DU RECUIT RAPIDE QUI PERMETTENT D'OBTENIR UNE CRISTALLISATION UNIFORME. UN DES PROBLEMES MAJEURS DE LA CRISTALLISATION DU SILICIUM AMORPHE SUR VERRE EST LA DEFORMATION DIMENSIONNELLE DES SUBSTRATS AU COURS DU RECUIT. LE TRAVAIL MONTRE QU'EN OPTIMISANT LES VITESSES D'ECHAUFFEMENT ET DE REFROIDISSEMENT, UN RECUIT EFFECTUE A UNE TEMPERATURE SUPERIEURE A LA TEMPERATURE DE TENSION TS DU VERRE PEUT MINIMISER LES DEFORMATIONS. LES CONDITIONS OPTIMISEES SONT APPLIQUEES A LA REALISATION DES TRANSISTORS. LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES MESUREES (MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DANS LA GAMME 20-30 CM2/V.S) SONT EQUIVALENTES A CELLES OBTENUES PAR RECUIT CONVENTIONNEL, Y COMPRIS POUR UNE TAILLE DE SUBSTRAT DE 100 100 MM

Author: Mohamed Remram
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 105

View

Book Description
ETUDE, PAR SPECTROMETRIE TRANSITOIRE DE NIVEAU PROFOND, DES DEFAUTS ELECTRIQUEMENT ACTIFS INTRODUITS PAR LE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DANS LE SILICIUM PUR OU IMPLANTE. TROIS NIVEAUX PIEGES ONT ETE OBSERVES DANS SI DOPE PAR LE BORE ET RECUIT ENTRE 850 ET 1050C. L'IMPLANTATION PAR AS**(+) OU PF**(+)::(5) CHANGE LE NIVEAU D'UN DE CES PIEGES. UN PIEGE A ELECTRONS A ETE DETECTE DANS LE CAS D'UNE FORTE DOSE D'IONS AS, POUR DES TEMPERATURES DE RECUIT DE 1100C

Author: Larbi Laanab
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 272

View

Book Description
AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A L'ETUDE DE JONCTIONS ULTRA-MINCES DANS LE SILICIUM ELABOREES PAR IMPLANTATION IONIQUE ET RECUIT THERMIQUE RAPIDE. NOUS AVONS MONTRE QU'UNE ETAPE DE PREAMORPHISATION PERMET D'ELIMINER L'EFFET DE CANALISATION, DE REDUIRE LA DIFFUSION ANORMALE ET D'ELIMINER LES DEFAUTS DU CENTRE DE LA JONCTION. NEANMOINS LA RECRISTALLISATION DE LA COUCHE AMORPHE, NECESSAIRE A L'ACTIVATION DU BORE, ABOUTIT A LA FORMATION D'UNE BANDE DE DEFAUTS EOR AU-DESSOUS DE L'ANCIENNE INTERFACE C/A. CES DEFAUTS DEGRADENT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES DE LA JONCTION ET AUGMENTENT SON COURANT DE FUITE. DANS UNE PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL NOUS AVONS ETUDIE EXPERIMENTALEMENT ET PAR SIMULATION (MODELE CDED) L'AMORPHISATION DU SILICIUM PAR BOMBARDEMENT D'IONS ISOELECTRONIQUES (SI#+, GE#+, SN#+). CETTE ETUDE A ABOUTI A UNE MISE EN FORME ANALYTIQUE DE LA VARIATION DE L'EPAISSEUR DE LA COUCHE AMORPHE EN FONCTION DES PARAMETRES D'IMPLANTATION (DOSE ET ENERGIE). CES RESULTATS PEUVENT ETRE EXPLOITES DANS UN SIMULATEUR DE PROCEDE. NOUS AVONS ENSUITE MONTRE, EN UTILISANT DES TECHNIQUES DE MET, QUE LES DEFAUTS EOR SONT BOUCLES DE DISLOCATION DE NATURES INTERSTITIELLES, LOGEANT DANS DES PLANS (111) ET AYANT DES VECTEURS DE BURGERS DE TYPE A/3111 OU A/2110. NOUS AVONS ENSUITE PRESENTE LES PRINCIPAUX MODELES, ISSUS DE LA LITTERATURE, QUI DECRIVENT LA FORMATION DE CES DEFAUTS. APRES AVOIR TESTE LA VALIDITE DE CHAQUE MODELE NOUS AVONS MONTRE QUE SEUL LE MODELE DIT D'EXCES D'INTERSTITIELS PERMET D'EXPLIQUER LA VARIATION DE LA DENSITE D'EOR EN FONCTION DES CONDITIONS D'IMPLANTATION. NOUS AVONS ENFIN ETUDIE LA VARIATION DE L'EXTENSION DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE EN FONCTION DE LA RAIDEUR DU PROFIL DE BORE. NOUS MONTRONS AINSI QU'IL EST POSSIBLE DE CHOISIR DES CONDITIONS DE PREAMORPHISATION QUI PERMETTENT LA FORMATION DE DEFAUTS D'EOR HORS DE LA ZONE DE CHARGE D'ESPACE

Author: JEAN-FRANCOIS.. JOLY
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 209

View

Book Description
SYNTHESE ET ANALYSE BIBLIOGRAPHIQUE APPROFONDIE DU RECUIT RAPIDE ISOTHERME. CONTRIBUTION AUX ETUDES DE RECUIT RAPIDE ISOTHERME DES MATERIAUX SEMICONDUCTEURS, PARTICULIEREMENT DANS LE DOMAINE DU RECUIT POST-IMPLANTATION. DETERMINATION DU PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DES FOURS POUR RECUIT RAPIDE ISOTHERME, PRESENTE UNE SOLUTION POUR LE PILOTAGE PRECIS DU PROTOTYPE, PROPOSE DES CRITERES D'ANALYSE ET DES COMPARAISONS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ENTRE EUX. LE COMPORTEMENT DU SILICIUM VIERGE ET IMPLANTE A ETE ETUDIE

Author: Bruno Canut
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 248

View

Book Description
SYNTHESE DE COUCHES ENFOUIES DE SIC PAR IMPLANTATION IONIQUE A FORTE DOSE D'IONS CARBONE DANS DU SILICIUM MONOCRISTALLIN. LA PREMIERE PARTIE DE LA THESE CONCERNE L'ETUDE THEORIQUE DE L'IMPLANTATION, EN TENANT COMPTE DE CERTAINES PERTURBATIONS SPECIFIQUES DUES AUX FORTES DOSES (PULVERISATION ET VARIATION DE COMPOSITION DE LA CIBLE NOTAMMENT). LA SECONDE PARTIE CONCERNE L'ANALYSE EN PROFONDEUR DES ECHANTILLONS IMPLANTES PAR RETRODIFFUSION ELASTIQUE DE PARTICULES ALPHA . ENFIN, LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES ECHANTILLONS IMPLANTES EST EBAUCHEE A LA FIN DU MEMOIRE

Author:
Publisher:
ISBN: 9781845850050
Category : Sewage
Languages : en
Pages : 932

View

Book Description