Author: F.. VOILLOT SAINT YVES
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 161
Book Description
CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.
ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE DANS LE SILICIUM SOUS IRRADIATION DE PROTONS
Author: F.. VOILLOT SAINT YVES
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 161
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CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.
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Category :
Languages : fr
Pages : 161
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CARACTERISTION DES DIFFERENTS PHENOMENES OBSERVES SOUS IRRADIATION DE PROTONS ET INTERPRETATION TENANT COMPTE A LA FOIS DES EFFETS DES DEFAUTS CREES SUR LA DIFFUSION DES IMPURETES ET DES INTERACTIONS DE CEUX-CI AVEC LES IMPURETES.
DIFFUSION DU BORE DANS LE SILICIUM SOUS IRRADIATION DE PROTONS
Author: Christian Lucas
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 148
Book Description
RAPPEL DES CONNAISSANCES NECESSAIRES A LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE DIFFUSION ASSISTEE PAR IMPLANTATION A HAUTE TEMPERATURE: IMPLANTATION IONIQUE ET DIFFUSION THERMIQUE. APPAREILLAGE ET CARACTERISATION. RESULTATS EXPERIMENTAUX: ROLE DE LA CONCENTRATION EN IMPURETES, EFFETS DES PARAMETRES D'IMPLANTATION SUR DES PROFILS A BASSES CONCENTRATIONS; RECUIT DES DEFAUTS; APPLICATION A L'AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES D'UN TRANSISTOR. NOUVELLE APPROCHE THEORIQUE: SIMULATION NUMERIQUE
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Category :
Languages : fr
Pages : 148
Book Description
RAPPEL DES CONNAISSANCES NECESSAIRES A LA COMPREHENSION DES PHENOMENES DE DIFFUSION ASSISTEE PAR IMPLANTATION A HAUTE TEMPERATURE: IMPLANTATION IONIQUE ET DIFFUSION THERMIQUE. APPAREILLAGE ET CARACTERISATION. RESULTATS EXPERIMENTAUX: ROLE DE LA CONCENTRATION EN IMPURETES, EFFETS DES PARAMETRES D'IMPLANTATION SUR DES PROFILS A BASSES CONCENTRATIONS; RECUIT DES DEFAUTS; APPLICATION A L'AMELIORATION DES CARACTERISTIQUES D'UN TRANSISTOR. NOUVELLE APPROCHE THEORIQUE: SIMULATION NUMERIQUE
Control of Distributed Parameter Systems 1982
Author: Jean-Pierre Babary
Publisher: Elsevier
ISBN: 1483153231
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 661
Book Description
Control of Distributed Parameter Systems 1982 covers the proceeding of the Third International Federation of Automatic Control (IFAC) Symposium on Control of Distributed Parameter Systems. The book reviews papers that tackle issues concerning the control of distributed parameter systems, such as modeling, identification, estimation, stabilization, optimization, and energy system. The topics that the book tackles include notes on optimal and estimation result of nonlinear systems; approximation of the parameter identification problem in distributed parameters systems; and optimal control of a punctually located heat source. This text also encompasses the stabilization of nonlinear parabolic equations and the decoupling approach to the control of large spaceborne antenna systems. Stability of Hilbert space contraction semigroups and the tracking problem in the fractional representation approach are also discussed. This book will be of great interest to researchers and professionals whose work concerns automated control systems.
Publisher: Elsevier
ISBN: 1483153231
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 661
Book Description
Control of Distributed Parameter Systems 1982 covers the proceeding of the Third International Federation of Automatic Control (IFAC) Symposium on Control of Distributed Parameter Systems. The book reviews papers that tackle issues concerning the control of distributed parameter systems, such as modeling, identification, estimation, stabilization, optimization, and energy system. The topics that the book tackles include notes on optimal and estimation result of nonlinear systems; approximation of the parameter identification problem in distributed parameters systems; and optimal control of a punctually located heat source. This text also encompasses the stabilization of nonlinear parabolic equations and the decoupling approach to the control of large spaceborne antenna systems. Stability of Hilbert space contraction semigroups and the tracking problem in the fractional representation approach are also discussed. This book will be of great interest to researchers and professionals whose work concerns automated control systems.
Physics Briefs
CONTRIBUTION A L'ETUDE DE LA DIFFUSION ASSISTEE DE BORE DANS LE SILICIUM PAR IMPLANTATION A CHAUD
Author: Jean-Jacques Aubert
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 117
Book Description
L'ETUDE PORTE SUR LA DIFFUSION ASSISTEE DU BORE PAR IMPLANTATION A CHAUD. LORS DE L'IMPLANTATION, LES COUCHES IMPLANTEES SONT AMORPHISEES ET IL EST NECESSAIRE D'EFFECTUER DES RECUITS POST IMPLANTATION POUR RESTAURER LE CRISTAL ET ELIMINER LES DEFAUTS. DANS L'IMPLANTATION, LES SUBSTRATS PORTES IN SITU A HAUTE TEMPERATURE, LES DEFAUTS ASSISTENT LA DIFFUSION. ON MONTRE QUE LA CREATION D'UN COMPLEXE BORE DEFAUT EST RESPONSABLE DE L'AVANCEE ANORMALE DE JONCTION. L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES QUI DANS LE CAS CLASSIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES ELEVEES ET DES TEMPS LONGS ATTEINT 30% PENDANT L'IMPLANTATION ELLE-MEME. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SONT EXPLIQUES PAR UN MODELE PHYSIQUE CONSISTANT EN LA RESOLUTION SIMULTANEE DES EQUATIONS DE DIFFUSION DU BORE SUBSTITUTIONNEL, DES LACUNES ET DES COMPLEXES BORE-LACUNE
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Category :
Languages : fr
Pages : 117
Book Description
L'ETUDE PORTE SUR LA DIFFUSION ASSISTEE DU BORE PAR IMPLANTATION A CHAUD. LORS DE L'IMPLANTATION, LES COUCHES IMPLANTEES SONT AMORPHISEES ET IL EST NECESSAIRE D'EFFECTUER DES RECUITS POST IMPLANTATION POUR RESTAURER LE CRISTAL ET ELIMINER LES DEFAUTS. DANS L'IMPLANTATION, LES SUBSTRATS PORTES IN SITU A HAUTE TEMPERATURE, LES DEFAUTS ASSISTENT LA DIFFUSION. ON MONTRE QUE LA CREATION D'UN COMPLEXE BORE DEFAUT EST RESPONSABLE DE L'AVANCEE ANORMALE DE JONCTION. L'ACTIVATION ELECTRIQUE DES IMPURETES QUI DANS LE CAS CLASSIQUE NECESSITE DES TEMPERATURES ELEVEES ET DES TEMPS LONGS ATTEINT 30% PENDANT L'IMPLANTATION ELLE-MEME. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX OBTENUS SONT EXPLIQUES PAR UN MODELE PHYSIQUE CONSISTANT EN LA RESOLUTION SIMULTANEE DES EQUATIONS DE DIFFUSION DU BORE SUBSTITUTIONNEL, DES LACUNES ET DES COMPLEXES BORE-LACUNE
Procédés thermiques rapides
Author: Francois Marou
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 268
Book Description
L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE
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Languages : fr
Pages : 268
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L'OBJECTIF DE CE MEMOIRE EST D'EXAMINER LES POTENTIALITES OFFERTES PAR LES RECUITS THERMIQUES RAPIDES CONCERNANT LA DIFFUSION DU BORE IMPLANTE DANS LE SILICIUM ET LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'OXYDE. DANS UNE ETUDE PRELIMINAIRE, IL EST MONTRE QU'UN FOUR DE RECUIT RAPIDE CORRESPOND BIEN AUX MACHINES SUSCEPTIBLES D'ETRE INTEGREES DANS LES SALLES BLANCHES DU FUTUR: AUTOMATIQUES, ROBOTISEES ET ASSURANT UN ENVIRONNEMENT ULTRAPROPRE AUX PLAQUETTES TRAITEES. LES PROBLEMES LIES A LA MESURE DE LA TEMPERATURE ET AU CONTROLE DE SON HOMOGENEITE SONT ENSUITE MIS EN EVIDENCE. DES SOLUTIONS SONT PROPOSEES, COMME L'UTILISATION DE SUSCEPTEURS OU BIEN CELLE D'UN PORTE-SUBSTRAT COMPORTANT DES ECRANS. DEUX APPLICATIONS SONT ALORS ABORDEES: LE RECUIT DE BORE IMPLANTE ET L'OXYDATION RAPIDE DU SILIIUM. LA PREMIERE CONFIRME LA PRESENCE D'UN PHENOMENE DE DIFFUSION ACCELEREE DANS LA PHASE INITIALE DU RECUIT, AYANT POUR ORIGINE DES DEFAUTS D'IMPLANTATION. CE MECANISME FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE DETAILLEE, PUIS DES TECHNIQUES PERMETTANT DE S'EN AFFRANCHIR SONT SUGGEREES: PRE-AMORPHISATION DU SILICIUM OU IMPLANTATION DE BF2. DANS LA SECONDE, LA CROISSANCE DES PREMIERES COUCHES DE SILICE EST ANALYSEE EN FONCTION DES CINETIQUES D'OXYDATION. L'INFLUENCE DU NETTOYAGE PRE-OXYDATION ET DU RECUIT POST-OXYDATION SUR LA QUALITE DES OXYDES OBTENUS, EST EGALEMENT ETABLIE. ENFIN, L'ETUDE DE LA DIFFUSION DU BORE SOUS OXYDATION RAPIDE PERMET DE VERIFIER QU'ELLE EST ACCELEREE COMME DANS LE CAS D'OXYDATIONS CLASSIQUES, CAR ELLE EST CORRELEE A LA VITESSE DE CROISSANCE DE L'OXYDE
Contribution à l'étude de techniques de diffusion de bore dans le silicium-diborane, tribromure de bore, anhydride borique
Contribution à l'étude expérimentale et à la simulation de la diffusion anormale du bore dans le silicium
Oxydation du silicium
Author: Georges Charitat
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Category :
Languages : fr
Pages : 161
Book Description
LE SILICIUM, DOPE PAR IMPLANTATION DE BORE EST RECUIT SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE DE VAPEUR D'EAU. LES PROFILS DE REDISTRIBUTION, CARACTERISES PAR SONDE IONIQUE METTENT EN EVIDENCE UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION DU BORE POUR LES ZONES OXYDEES PAR RAPPORT AUX ZONES PROTEGEES DE L'OXYDATION. CE PHENOMENE EST RELIE A UNE GURSATURATION EN INTERSTITIELS DE SILICIUM GENERES A L'INTERFACE SI-SIO::(2), DANS LE SILICIUM, LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE. UNE ETUDE ORIGINALE DE L'EVOLUTION DES CONTRAINTES DANS LE SILICIUM EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES DE DIFFUSION EST PROPOSEE METTANT EN JEU LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS L'OXYDE PAR FLUX VISQUEUX DE CELUI-CI. CE MODELE PERMET DE DECRIRE PARFAITEMENT LE COMPORTEMENT QUALITATIF DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, MAIS LE MANQUE DE DONNEES SUR LA VISCOSITE DE L'OXYDE ET LES CONTRAINTES ENGENDREES DANS LE SIO::(2) NE PERMETTENT PAS UNE VERIFICATION QUANTITATIVE DE NOTRE THEORIE. D'AUTRE PART, LA SEGREGATION DU BORE A L'INTERFACE SI-SIO::(2) EST ETUDIEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE POUR DES OXYDES STATIQUES. UNE EXPRESSION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION, M, EN FONCTION DES PRESSIONS REGNANTES DANS L'OXYDE EST DONNEE. CELLE-CI PERMET DE DECRIRE LES VARIATIONS DE M AVEC LA TEMPERATURE OBSERVEES EXPERIMENTALEMENT
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Languages : fr
Pages : 161
Book Description
LE SILICIUM, DOPE PAR IMPLANTATION DE BORE EST RECUIT SOUS ATMOSPHERE OXYDANTE DE VAPEUR D'EAU. LES PROFILS DE REDISTRIBUTION, CARACTERISES PAR SONDE IONIQUE METTENT EN EVIDENCE UNE ACCELERATION DE LA DIFFUSION DU BORE POUR LES ZONES OXYDEES PAR RAPPORT AUX ZONES PROTEGEES DE L'OXYDATION. CE PHENOMENE EST RELIE A UNE GURSATURATION EN INTERSTITIELS DE SILICIUM GENERES A L'INTERFACE SI-SIO::(2), DANS LE SILICIUM, LORS DE LA CROISSANCE DE L'OXYDE. UNE ETUDE ORIGINALE DE L'EVOLUTION DES CONTRAINTES DANS LE SILICIUM EN FONCTION DES DIVERS PARAMETRES DE DIFFUSION EST PROPOSEE METTANT EN JEU LA RELAXATION DES CONTRAINTES DANS L'OXYDE PAR FLUX VISQUEUX DE CELUI-CI. CE MODELE PERMET DE DECRIRE PARFAITEMENT LE COMPORTEMENT QUALITATIF DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, MAIS LE MANQUE DE DONNEES SUR LA VISCOSITE DE L'OXYDE ET LES CONTRAINTES ENGENDREES DANS LE SIO::(2) NE PERMETTENT PAS UNE VERIFICATION QUANTITATIVE DE NOTRE THEORIE. D'AUTRE PART, LA SEGREGATION DU BORE A L'INTERFACE SI-SIO::(2) EST ETUDIEE EN FONCTION DE LA TEMPERATURE POUR DES OXYDES STATIQUES. UNE EXPRESSION DU COEFFICIENT DE SEGREGATION, M, EN FONCTION DES PRESSIONS REGNANTES DANS L'OXYDE EST DONNEE. CELLE-CI PERMET DE DECRIRE LES VARIATIONS DE M AVEC LA TEMPERATURE OBSERVEES EXPERIMENTALEMENT