Author: Philberson RakotondrasambaPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 172
Book Description
Etude de films minces d'oxydes formés sur le cuivre et le molybdène par la méthode électrométrique
Author: Philberson RakotondrasambaPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 172
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Contribution à l'étude des films minces d'oxydes formés sur le cuivre
Author: Henri FrisbyContribution à l'étude des films minces d'oxydes formés sur le cuivre
Author: Henri FrisbyPublisher: FeniXX
ISBN: 230706219X
Category : Science
Languages : fr
Pages : 102
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Dans la collection des Thèses présentées à la Faculté des sciences de l'Université de Paris, pour obtenir le titre d'ingénieur-docteur, voici la thèse soutenue le 27 novembre 1957 par Henri Frisby et qui sera suivi des propositions données par la Faculté.
Contribution à l'étude des films minces d'oxydes formés sur le cuivre
Author: Contribution à l'étude de la formation de films minces d'oxyde sur le cuivre et le molybdène par réduction électrochimique, microgravimétrie, analyse par réaction nucléaire et spectrométrie
Author: Françoise Lepage (auteur d'une thèse de chimie physique)Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 192
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ETUDE ELECTROCHIMIQUE ET PHOTOELECTROCHIMIQUE DE COUCHES D'OXYDES DE CUIVRE SEMI-CONDUCTRICES. ROLE D'UN INHIBITEUR DE CORROSION DU CUIVRE
Author: BENOIT.. MILLETPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 192
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LA PREMIERE PARTIE DU TRAVAIL EST CONSACREE A L'ETUDE DE LA STRUCTURE ET DES PROPRIETES DES FILMS MINCES D'OXYDE DE CUIVRE DEVELOPPES EN MILIEU NACL 0,5M AERE. L'ETUDE DU PROCESSUS DE CORROSION, APRES UNE HEURE D'IMMERSION, PAR DES METHODES ELECTROCHIMIQUES MONTRE QUE LE MECANISME ANODIQUE PROCEDE EN DEUX ETAPES SUCCESSIVES ET EST CONTROLE PAR LA DIFFUSION DE CUCL#-#2 A PARTIR DE L'ELECTRODE. LE MECANISME CATHODIQUE EST LA REDUCTION DU DIOXYGENE DISSOUS, REACTION CONTROLEE PAR LA CINETIQUE. LE COMPORTEMENT DE CU#2O EST ETUDIE PAR COULOMETRIE, PHOTOELECTROCHIMIE ET DIVERSES TECHNIQUES D'ANALYSES DE SURFACE (MEB, DIFFRACTION X, INFRA-ROUGE, ESCA). LA REACTION DE FORMATION DE L'OXYDE SUIT INITIALEMENT UNE LOI D'AVANCEMENT LINEAIRE, PUIS L'EPAISSEUR SE STABILISE A LONG TERME, TANDIS QU'UNE COUCHE DE PARATACAMITE SE DEVELOPPE A SON TOUR. LES PRINCIPALES CARACTERISTIQUES DE CU#2O MISES EN EVIDENCE SONT SA POROSITE, SON CARACTERE SEMI-CONDUCTEUR RELIE AU MODE DE FORMATION DE L'OXYDE: DE TYPE N POUR L'OXYDE FORME A L'INTERFACE METAL/OXYDE, DE TYPE P POUR CELUI DEVELOPPE PAR PRECIPITATION DES IONS DU CUIVRE FORMES A L'INTERFACE OXYDE/SOLUTION. ON TROUVE ALORS UNE COUCHE DUALE N-P QUI EXPLIQUE L'ARRET DE CROISSANCE LORSQUE LES EPAISSEURS DES DEUX FILMS SONT EGALES. DANS UNE DEUXIEME PARTIE, LE COMPORTEMENT DU CUIVRE EN PRESENCE DE BENZOTRIAZOLE (BTA), INHIBITEUR DE LA CORROSION DU CUIVRE, EST ANALYSE. LES PROCESSUS AUX ELECTRODES SONT FORTEMENT MODIFIES: LES REACTIONS ANODIQUE ET CATHODIQUE SONT SOUS CONTROLE CINETIQUE. LA STRUCTURE DOUBLE P ET N POUR L'OXYDE APPARAIT PRESQUE INSTANTANEMENT. LA FORMATION D'UN COMPLEXE ENTRE LES IONS CUIVREUX ET LE BTA, ET PROBABLEMENT D'UN COMPLEXE SUPEROXYDE ENTRE LES IONS CUIVRIQUE, L'OXYGENE ET LE BTA, EST A L'ORIGINE DU DEVELOPPEMENT D'UN OXYDE TRES MINCE ET TRES HERMETIQUE, DONT SONT ABSENTS LES IONS CHLORURE. UN MODELE EST PROPOSE POUR EXPLIQUER LE COMPORTEMENT PHOTOELECTROCHIMIQUE DES FILMS SUPERFICIELS
Etude des propriétés de films minces de cuivre élaborés par la technique de dépôts par voie chimique en phase gazeuse à partir d'un composé organométallique
Author: Zoubida HammadiPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 157
Book Description
NOUS AVONS ENTREPRIS L'ETUDE DES PROPRIETES DE FILMS MINCES DE CUIVRE ELABORES PAR LA TECHNIQUE DE DEPOTS PAR VOIE CHIMIQUE EN PHASE GAZEUSE EN UTILISANT COMME PRECURSEUR L'ACETYLACETONATE DE CUIVRE(II). LES FILMS ONT ETE REALISES DANS UN REACTEUR HORIZONTAL COUPLE A UNE ENCEINTE D'ANALYSE. ILS ONT ETE CARACTERISES IN SITU PAR UNE MESURE DE LA REFLECTIVITE ASSOCIEE A LA SPECTROSCOPIE AUGER, ET EX SITU PAR DES MESURES DE RESISTIVITE, PAR DIFFRACTION DE RAYONS X ET PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A BALAYAGE. NOUS MONTRONS QU'A 300C, IL SE FORME SUR SILICIUM UN FILM DE CUIVRE ET NON PAS UN SILICIURE. NOUS SUGGERONS LA FORMATION D'UNE INTERFACE STABLE DURANT LES PREMIERS STADES DE LA NUCLEATION, BLOQUANT L'INTERDIFFUSION DES 2 ESPECES. LE CARBONE ET L'OXYGENE PROVENANT D'UNE CONDENSATION OU D'UNE DECOMPOSITION PARTIELLE DES LIGANDS SONT RESPONSABLES DE CE BLOCAGE. LE CARBONE NE CONSTITUE PAS UN CONTAMINANT MAJEUR, IL SE SITUE PRINCIPALEMENT EN SURFACE ET A L'INTERFACE. LES PROPRIETES DES DEPOTS, EN PARTICULIER LA RESISTIVITE, SONT COMPARABLES A CELLES OBTENUES POUR DES FILMS EVAPORES SOUS ULTRA-VIDE. LA MESURE DE LA REFLEXION SPECULAIRE PERMET DE CARACTERISER LA CINETIQUE DE CROISSANCE ET D'ANALYSER IN SITU PAR SPECTROSCOPIE AUGER, A DIFFERENTES ETAPES DE LA CROISSANCE, LA COMPOSITION CHIMIQUE DE LA SURFACE. LA SELECTIVITE A ETE OBTENUE A PARTIR DE CE PRECURSEUR SUR UN SYSTEME METAL/ISOLANT. ON PEUT OBTENIR DES DEPOTS SELECTIFS D'EPAISSEUR MAXIMALE: 1 M SUR LE NITRURE DE CHROME ET NON PAS SUR LE POLYPHENYLQUINOXALINE
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Author: Scientific Canadian Mechanics' Magazine and Patent Office Record
Author: Canada. Patent OfficePublisher:
ISBN:
Category : Copyright
Languages : en
Pages : 1070
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