Epitaxie par jets moléculaires d'organométalliques PDF Download
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Author: Nicolas Viguier Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 190
Book Description
DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE LES POSSIBILITES OFFERTES PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'ORGANOMETALLIQUES (MOMBE) DANS LE DOMAINE DE L'HETEROEPITAXIE DE FILMS METALLIQUES SUR GAAS. APRES AVOIR JUSTIFIE LE CHOIX DE LA PHASE INTERMETALLIQUE COGA, NOUS AVONS DETERMINE LES CONDITIONS D'ELABORATION OPTIMALES SUIVANTES : T = 360C, CPCO(CO)#2 : GAET#3 5:1, SURFACE (100)GAAS SATUREE GA. DANS CES CONDITIONS, DES FILMS COGA MONOPHASES SONT EPITAXIES SUR (100)GAAS DE FACON REPRODUCTIBLE. CES FILMS SONT EXEMPTS DE CARBONE ET D'OXYGENE ET SONT THERMIQUEMENT STABLES SUR GAAS JUSQU'A 500C EN ACCORD AVEC LA PREVISION THERMODYNAMIQUE. LES HETEROSTRUCTURES COGA/GAAS ONT UN COMPORTEMENT DE DIODE SCHOTTKY. CES RESULTATS FONT DE LA MOMBE UNE TECHNIQUE PARTICULIEREMENT INTERESSANTE POUR LA METALLISATION DES SEMI-CONDUCTEURS III-V. PARALLELEMENT A CES TRAVAUX SUR L'HETEROEPITAXIE, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE SUIVI IN SITU DE CES PROCESSUS HETEROGENES BASEE SUR LA PHOTOEMISSION AU NIVEAU DU SEUIL. APRES AVOIR MONTRE LES POTENTIALITES DE CETTE TECHNIQUE POUR L'ANALYSE IN SITU ET EN TEMPS REEL DE LA CROISSANCE DES FILMS HOMOEPITAXIES GAAS/GAAS, NOUS L'AVONS UTILISEE POUR L'ETUDE DES PROCESSUS D'ADSORPTION ET DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DES SOURCES DE GALLIUM (GAET#3 ET GAME#3) SUR UNE SURFACE (100)GAAS. NOUS AVONS AUSSI DETERMINE EXPERIMENTALEMENT PAR PHOTOEMISSION DE SEUIL UN MODE D'ADSORPTION EN COUCHE MONOMOLECULAIRE (LANGMUIR), UNE TEMPERATURE DE DEBUT DE DECOMPOSITION, AINSI QUE LES PARAMETRES D'ARRHENIUS ASSOCIES A LA CINETIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DE CES ORGANOMETALLIQUES SUR (100)GAAS. LES DONNEES EXPERIMENTALES TRES PRELIMINAIRES SUR L'INTERACTION DE GAZ SUR DES SUBSTRATS POLYCRISTALLINS DU TYPE SNO#2 MONTRENT QUE LE PROCEDE PEUT ETRE UTILISE EGALEMENT POUR ETUDIER LA CINETIQUE DES PHENOMENES DE SURFACE DANS LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DE CAPTEURS PLUS CONVENTIONNELS ET SURTOUT POUR ANALYSER LES PROCESSUS DE LEUR DEGRADATION.
Author: Nicolas Viguier Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 190
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DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE LES POSSIBILITES OFFERTES PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES D'ORGANOMETALLIQUES (MOMBE) DANS LE DOMAINE DE L'HETEROEPITAXIE DE FILMS METALLIQUES SUR GAAS. APRES AVOIR JUSTIFIE LE CHOIX DE LA PHASE INTERMETALLIQUE COGA, NOUS AVONS DETERMINE LES CONDITIONS D'ELABORATION OPTIMALES SUIVANTES : T = 360C, CPCO(CO)#2 : GAET#3 5:1, SURFACE (100)GAAS SATUREE GA. DANS CES CONDITIONS, DES FILMS COGA MONOPHASES SONT EPITAXIES SUR (100)GAAS DE FACON REPRODUCTIBLE. CES FILMS SONT EXEMPTS DE CARBONE ET D'OXYGENE ET SONT THERMIQUEMENT STABLES SUR GAAS JUSQU'A 500C EN ACCORD AVEC LA PREVISION THERMODYNAMIQUE. LES HETEROSTRUCTURES COGA/GAAS ONT UN COMPORTEMENT DE DIODE SCHOTTKY. CES RESULTATS FONT DE LA MOMBE UNE TECHNIQUE PARTICULIEREMENT INTERESSANTE POUR LA METALLISATION DES SEMI-CONDUCTEURS III-V. PARALLELEMENT A CES TRAVAUX SUR L'HETEROEPITAXIE, NOUS AVONS DEVELOPPE UNE TECHNIQUE DE SUIVI IN SITU DE CES PROCESSUS HETEROGENES BASEE SUR LA PHOTOEMISSION AU NIVEAU DU SEUIL. APRES AVOIR MONTRE LES POTENTIALITES DE CETTE TECHNIQUE POUR L'ANALYSE IN SITU ET EN TEMPS REEL DE LA CROISSANCE DES FILMS HOMOEPITAXIES GAAS/GAAS, NOUS L'AVONS UTILISEE POUR L'ETUDE DES PROCESSUS D'ADSORPTION ET DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DES SOURCES DE GALLIUM (GAET#3 ET GAME#3) SUR UNE SURFACE (100)GAAS. NOUS AVONS AUSSI DETERMINE EXPERIMENTALEMENT PAR PHOTOEMISSION DE SEUIL UN MODE D'ADSORPTION EN COUCHE MONOMOLECULAIRE (LANGMUIR), UNE TEMPERATURE DE DEBUT DE DECOMPOSITION, AINSI QUE LES PARAMETRES D'ARRHENIUS ASSOCIES A LA CINETIQUE DE DECOMPOSITION THERMIQUE HETEROGENE DE CES ORGANOMETALLIQUES SUR (100)GAAS. LES DONNEES EXPERIMENTALES TRES PRELIMINAIRES SUR L'INTERACTION DE GAZ SUR DES SUBSTRATS POLYCRISTALLINS DU TYPE SNO#2 MONTRENT QUE LE PROCEDE PEUT ETRE UTILISE EGALEMENT POUR ETUDIER LA CINETIQUE DES PHENOMENES DE SURFACE DANS LES CONDITIONS DE FONCTIONNEMENT DE CAPTEURS PLUS CONVENTIONNELS ET SURTOUT POUR ANALYSER LES PROCESSUS DE LEUR DEGRADATION.
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LA DIFFRACTION DES RAYONS X SOUS INCIDENCE RASANTE A ETE UTILISEE POUR L'ETUDE DU DEBUT DE L'HETEROEPITAXIE DE SEMI-CONDUCTEURS II-VI SUR GAAS(001) PREPARES PAR EPITAXIE DE JETS MOLECULAIRES. LES MESURES ONT ETE FAITES A LURE-ORSAY EN UTILISANT LE RAYONNEMENT PRODUIT PAR L'ANNEAU DE STOCKAGE DCI. LA PROCEDURE SUIVIE A ETE TOUT D'ABORD L'ETUDE DE LA TRANSITION DE PHASE ENTRE LES SURFACES PROPRES DE GAAS(001) RICHES EN ARSENIC C(44)-24 IN SITU, PUIS CELLE DES ETATS PRECURSEURS DE TE-GAAS(001) NOTAMMENT CEUX PRODUIT SUR LES SURFACES GAAS(001) RICHES EN AS (TE-GAAS 21 ET 61) JUSQU'A L'HETEROEPITAXIE DE ZNTE SUR GAAS(001) DANS LE DOMAINE DES EPAISSEURS INFERIEURES A 50 A. POUR L'HETEROEPITAXIE DE ZNTE SUR GAAS(001) (DESACCORD DE PARAMETRE DE 7.9%) NOUS AVONS UTILISE LA DIFFRACTION X ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE A HAUTE RESOLUTION DE MANIERE A OBTENIR DES RESULTATS PRECIS SUR L'EPAISSEUR CRITIQUE POUR LE SYSTEME ET A METTRE EN EVIDENCE L'IMPORTANT ROLE QUE L'HISTOIRE THERMIQUE JOUE SUR L'ETAT DES CONTRAINTES ET SUR LA RELAXATION. UN DEBUT DE CROISSANCE BI-DIMENSIONNEL A ETE CONSTATE JUSQU'A L'EPAISSEUR DE 15 A, EN PARTANT D'UNE SURFACE GAAS C(44)
Author: Nicolas Viguier
Author: Nicolas Viguier
Author: VICTOR.. ETGENS