Elaboration et caractérisation de matériaux à très faible constante diélectrique de type a-SiOCH élaborés par PECVD PDF Download

Author: Olivier Gourhant
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Languages : fr
Pages : 127

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L'amélioration des performances des circuits intégrés nécessite le développement de nouveaux matériaux comme, par exemple, les diélectriques à très faible permittivité, appelés Ultra Low-K (K

Author: Olivier Gourhant
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Languages : fr
Pages : 0

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L'amélioration des performances des circuits intégrés nécessite le développement de nouveaux matériaux comme, par exemple, les diélectriques à très faible permittivité, appelés Ultra Low-K (K

Author: Mikhail Baklanov
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 1119966868
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 616

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Finding new materials for copper/low-k interconnects is critical to the continuing development of computer chips. While copper/low-k interconnects have served well, allowing for the creation of Ultra Large Scale Integration (ULSI) devices which combine over a billion transistors onto a single chip, the increased resistance and RC-delay at the smaller scale has become a significant factor affecting chip performance. Advanced Interconnects for ULSI Technology is dedicated to the materials and methods which might be suitable replacements. It covers a broad range of topics, from physical principles to design, fabrication, characterization, and application of new materials for nano-interconnects, and discusses: Interconnect functions, characterisations, electrical properties and wiring requirements Low-k materials: fundamentals, advances and mechanical properties Conductive layers and barriers Integration and reliability including mechanical reliability, electromigration and electrical breakdown New approaches including 3D, optical, wireless interchip, and carbon-based interconnects Intended for postgraduate students and researchers, in academia and industry, this book provides a critical overview of the enabling technology at the heart of the future development of computer chips.

Author: Ahmedou Idoumou Ould
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 179

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La caractérisation structurale et électrique permet d'établir les mécanismes de transition de phase dans les matériaux. Appartenant à la famille des pérovskites complexes, le magnoniobate de plomb Pb(Mg1/3Nb2/3))O3 (PMN) - et le zinconiobate de plomb Pb(Zn1/3Nb2/3)O3 (PZN) sont deux relaxeurs ferroélectriques dont l'utilisation couvre des domaines aussi vastes que la ferroélectricité, la pyroélectricité et l'industrie des condensateurs multicouches. La première partie de ce travail s'est articulée autour de l'élaboration et la caractérisation structurale et diélectrique de céramiques de la solution solide (1-x)PMN-(x)PZN. Les paramètres d'élaboration ont été particulièrement étudiés et optimisés afin d'avoir le meilleur compromis entre les performances diélectriques et la pureté du produit fini. La composition x=0.2 s'est révélé la plus intéressante avec un maximum de la constante diélectrique de 22000 vers la température ambiante (20C°). Pour les autres compositions, l'apparition d'une phase pyrochlore au-dessus de x=0.3 détériore les caractéristiques diélectriques des céramiques. Ceci nous a amené à élaborer des monocristaux de PZN par une méthode de flux. Bien que son élaboration remonte aux années 70, le PZN n'a fait l'objet, à notre connaissance, que de très peu d'études structurales et électriques. L'association de plusieurs techniques de caractérisation (diffraction des rayons X, mesures diélectriques, calorimétrie, courant pyroélectrique et cycles d'hystérésis), nous a permis de mettre en évidence, pour la première fois, certaines propriétés de ce composé : le composé PZN transite spontanément d'une phase cubique à une phase rhomboédrique vers la température Tc≈390 K. La transition de phase est étalée. Le caractère ferroélectrique de PZN au-dessous de Tc. La constante diélectrique possède un maximum de l'ordre de 43000 à la température 413 K. Cette température est au-dessus de la température de transition Tc. La valeur élevée de la constante diélectrique confère à ce matériau un fort potentiel d'application industrielle. L'application d'un fort champ électrique dans la direction de la polarisation (111), engendre un état rhomboédrique monodomaine stable au-dessous de 390 k. L'existence d'un fort élargissement de certains pics de Bragg incompatible avec une simple transition cubique rhomboédrique, suppose la présence au-dessous de Tc de distorsions locales de nature monoclinique. La diffraction des rayons X sous champ suivant [001] conforte cette hypothèse.

Author: Mikhail Baklanov
Publisher: John Wiley & Sons
ISBN: 0470065419
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 508

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The topic of thin films is an area of increasing importance in materials science, electrical engineering and applied solid state physics; with both research and industrial applications in microelectronics, computer manufacturing, and physical devices. Advanced, high-performance computers, high-definition TV, broadband imaging systems, flat-panel displays, robotic systems, and medical electronics and diagnostics are a few examples of the miniaturized device technologies that depend on the utilization of thin film materials. This book presents an in-depth overview of the novel developments made by the scientific leaders in the area of modern dielectric films for advanced microelectronic applications. It contains clear, concise explanations of material science of dielectric films and their problem for device operation, including high-k, low-k, medium-k dielectric films and also specific features and requirements for dielectric films used in the packaging technology. A broad range of related topics are covered, from physical principles to design, fabrication, characterization, and applications of novel dielectric films.