Author: Jean-Maxence BelquinPublisher:
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Languages : fr
Pages : 0
Book Description
Developpement de bancs de mesures et de modeles de bruit de Hemt pour la conception de circuits "faible bruit" en gamme d'ondes millimetriques
Author: Jean-Maxence BelquinDéveloppement de bancs de mesures et de modèles de bruit de HEMT pour la conception de circuits "faible bruit" en gamme d'ondes millimétriques
Author: Jean-Maxence BelquinPublisher:
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Languages : fr
Pages : 6
Book Description
L'accroissement du nombre d'applications dans le domaine des ondes millimetriques, necessite l'etablissement d'outils de simulation precis et fiables. Par consequent, le principal objectif de ce travail est l'etablissement de modeles lineaires incluant le bruit hyperfrequence des h.e.m.t. De longueur de grille largement sub-micronique valides jusqu'aux ondes millimetriques. Ceci a necessite le developpement de bancs de mesures de parametres s et de facteur de bruit sous pointes. La premiere partie traite de la mesure de bruit de la gamme d'ondes centimetriques jusqu'aux millimetriques. Les principaux aspects de cette partie, concernent la mesure de bruit en gamme d'ondes millimetriques ainsi qu'une nouvelle methode de caracterisation en bruit des transistors a effet de champs. Le deuxieme chapitre traite de la representation petit signal des hemt. Les principales conclusions de ce travail montrent qu'il est possible d'obtenir les parametres s et de bruit avec une precision acceptable en gamme d'ondes millimetriques a partir de modeles simples etablis a partir de caracterisations a de plus basses frequences. Cette partie s'attache aussi a la comparaison des deux approches en gamme d'ondes millimetriques. La troisieme partie considere les modeles de bruit pour la conception de circuits faible bruit en gamme d'ondes millimetriques. Nous montrerons donc un nouveau modele de bruit pour les hemt et un modele complet pour la realisation de circuits a base de hemts. Ce travail montre qu'on peut realiser une modelisation precise en gamme d'ondes millimetriques des parametres de bruit et des parametres s a partir de mesures effectuees en gamme d'ondes centimetriques.
Développement de bancs de caractérisation pour la mesure de bruit et la détection de puissance entre 130 GHz et 320 GHz
Author: João Carlos Azevedo GoncalvesPublisher:
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Languages : fr
Pages : 0
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Grâce aux progrès des technologies silicium, il est désormais possible de concevoir des circuits complexes dans la bande de fréquence millimétrique au-delà de 110 GHz. La conception de ces systèmes repose sur l'utilisation de modèles précis et fiables des dispositifs passif et actif tels que les transistors MOS ou bipolaires. Afin de s'assurer de la validité de ces modèles au-delà de 110 GHz, il est nécessaire de réaliser des mesures supérieures à 110 GHz. Cependant, au-delà de cette fréquence, les bancs et méthodes de caractérisation actuels atteignent leurs limites. Ces travaux de thèse s'inscrivent pleinement dans cette problématique liée à la montée en fréquence des besoins de caractérisation, dont l'objectif est le développement de bancs de caractérisation pour la mesure de bruit et de puissance entre 130 GHz et 320 GHz. Les travaux réalisés ont abordé le développement d'un récepteur de bruit qui a ainsi permis la caractérisation des sources de bruit développées, jusque 260 GHz. La dernière problématique traitée par ces travaux a été le développement d'un détecteur de puissance hautes fréquences jusque 320 GHz, possédant une large dynamique de mesure et une sensibilité suffisamment élevée pour assurer une mesure précise et fiable.
Developpement d'un banc de mesures de bruit basse fréquence des transistors à effet de champ RF et microondes en vue de la modélisation de leurs sources de bruit pour a C.A.O non linéaire
Author: Joël LacosteDéveloppement d'un outil de caractérisation millimétrique de bruit dans la bande de fréquence 110 - 320 GigaHertz
Author: Laurent PoulainPublisher:
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Languages : fr
Pages : 169
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Aujourd'hui, l'amélioration des fréquences de coupure des transistors sur silicium en technologie CMOS et BiCMOS permet la conception d'applications au-delà de 110 GHz. Des recherches antérieures dans le cadre du laboratoire commun entre STMicroelectronics et l'IEMN ont permis le développement de méthodologies et d'outils de caractérisation en régime petit signal jusque 325 GHz et en bruit jusque 110 GHz. L'objectif de cette thèse est la conception d'un outil de caractérisation en bruit au-delà de 110 GHz pour permettre l'extraction des quatre paramètres de bruit des transistors. Après une présentation des difficultés liées à la caractérisation millimétrique sur silicium, la deuxième première partie de ce travail se consacre au développement d'un banc de mesure de bruit dans la bande 130 - 170 GHz. Son optimisation a permis d'obtenir un facteur de bruit du récepteur inférieur à 7 dB sur toute la bande de fréquences. La conception de tuners intégrés sur silicium en technologie BiCMOS9MW est ensuite détaillée. Leur réalisation a permis l'extraction des quatre paramètres de bruit d'un transistor bipolaire en technologie BiCMOS9MW dans la bande 130 - 170 GHz. La dernière partie de ce travail présente la mesure et l'extraction des modèles petit signal et de bruit jusque 110 GHz des transistors MOSFET et TBH avancés de STMicroelectronics permettant l'établissement d'une base de données pour des caractérisations au-delà de 110 GHz. Enfin, une ouverture vers un système de mesure de bruit totalement intégré sur silicium est évoquée pouvant permettre des caractérisations en bruit au-delà de 170 GHz.
Nouvelle méthode d'extraction des paramètres de bruit basée sur une analyse fréquentielle et temporelle des mesures de puissance de bruit
Author: Fréderique GianniniPublisher:
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Languages : fr
Pages : 338
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La conception des circuits à faible bruit repose sur la modélisation de chaque élément et sur leurs caractérisations. Ces deux étapes ne sont réalisables que par des mesures précises de quantification du bruit électrique. Plusieurs méthodes ont été développées pour mesurer les paramètres usuels de bruit. Les faibles niveaux de bruit que présentent les composants actuels montrent les limites en précisions de ces techniques. La plus classique, dite " multi-impédance ", nécessite du matériel onéreux comme un adaptateur d'impédance. La méthode de mesures de bruit présentée dans ce mémoire présente trois avantages : elle ne nécessite pas d'adaptateur d'impédance, elle ne requiert aucune hypothèse sur le quadripôle à mesurer et elle permet d'exploiter dans un temps raisonnable 801 points de mesures alors que les autres méthodes n'en exploitent qu'une ou deux dizaines. Elle se base sur l'interprétation en ondes de puissance du banc de mesures de bruit en présence ou non du quadripôle à mesurer. Cette approche originale permet d'avoir accès à les caractéristiques du banc et du quadripôle à partir de 5 mesures de bruit grâce à une analyse fréquentielle et temporelle. Les résultats de mesure sont prometteurs et une étude de la précision a été effectuée.
Modélisation du bruit dans les composants en régime de fonctionnement grand signal
Author: Beaudouin TamenPublisher:
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Languages : fr
Pages : 217
Book Description
Un recepteur de telecommunications modernes est compose de circuits non lineaires fondamentaux tels que le melangeur ou l'oscillateur qui alimente ce dernier. Pour la gestion des spectres d'informations vehiculees, des modulations vectorielles de plus en plus complexes sont utilisees, et les specifications en bruit de ces circuits sont de plus en plus contraignantes, tant pour le niveau de bruit de phase des sources micro-ondes utilisees que pour le facteur de bruit du melangeur. Pour repondre a ces exigences, il faut disposer de modeles de bruit precis de composants fonctionnant en regime grand signal, avant de pouvoir proceder a la phase de conception des circuits faible bruit. C'est pour repondre a ces objectifs qu'ont ete developpes les travaux presentes dans cette these de doctorat d'universite. Le premier chapitre de ce memoire traite de la methode generale d'analyse du bruit de composants en regime de fonctionnement grand signal (operant dans un oscillateur ou un melangeur). Le deuxieme chapitre presente l'elaboration d'un modele de bruit pour melangeurs a tecs base sur le formalisme des matrices de conversion et de deux temperatures equivalentes de bruit. Il est montre en particulier que les performances en bruit ultimes de melangeurs a tec chauds sont correlees a celles des composants utilises en amplification faible bruit (regime lineaire). Dans le troisieme chapitre, une conception de melangeurs actifs orientes faible bruit en technologie mmic est presentee. La caracterisation des circuits a permis de valider, par retro-simulation, le modele de bruit pour melangeurs a tecs. Les quatrieme et cinquieme chapitres sont essentiellement devolus a la modelisation du spectre de bruit d'oscillateur micro-onde.