Author: Adnan MiniPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 209
Book Description
Contribution à l'étude du silicium amorphe hydrogéné
Author: Adnan MiniContribution a l'étude du silicium amorphe évapore en ultra-vide et post-hydrogène
Author: Jean-Christophe FlachetPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 96
Book Description
Présentation des propriétés générales du silicium amorphe et du silicium amorphe hydrogène. Description des techniques de fabrication de couches minces de silicium amorphe hydrogène et des méthodes d'études expérimentales utilisées. Résultats expérimentaux obtenus sur la diffusion de l'hydrogène et sur la caractérisation du matériau
Contribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene
Author: Didier JoussePublisher:
ISBN:
Category : Amorphous semiconductors
Languages : fr
Pages : 0
Book Description
CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE
Author: JEAN-PIERRE.. PEYREPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 60
Book Description
ETUDE DES PHENOMENES DE CONDUCTIVITE ET DE PHOTOCONDUCTIVITE. MISE AU POINT D'UNE METHODE DE MESURE DU TEMPS DE VIE DES PORTEURS AFIN D'OBTENIR LEUR MOBILITE D'ENTRAINEMENT. MESURE ENTRE 85 ET 240 K
CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PHENOMENES DE TRANSPORT DANS LE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ELABORE PAR PULVERISATION CATHODIQUE
Author: Christophe LongeaudPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 111
Book Description
MESURE DE LA MOBILITE DES ELECTRONS. EXPERIENCES DE PHOTOCONDUCTIVITE EN REGIME PERMANENT ET TRANSITOIRE: MISE EN EVIDENCE D'UN PIEGE A ELECTRONS. SIMULATION NUMERIQUE DU TRANSPORT DES ELECTRONS
Contribution à l'étude de la structure électronique du silicium amorphe hydrogéné
Author: François BoulitropPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 183
Book Description
ETUDE DE LA STRUCTURE ELECTRONIQUE DE A-SI:H PAR RPE, PHOTOLUMINESCENCE ET DOUBLE RESONANCE OPTIQUE HERTZIENNE. PROPOSITION D'UN MODELE D'ETATS RADIATIFS DE QUEUES DE BANDE. ESTIMATION DES PROFONDEURS DES QUEUES DE BANDES DE VALENCE ET DE CONDUCTION. ESTIMATION DE LA DUREE DE VIE DES PORTEURS PHOTOEXCITES ET DE LEUR LONGUEUR DE DIFFUSION
Contribution à l'étude de la densité d'états localisés du silicium amorphe hydrogéné
Author: Jean DijonPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 235
Book Description
ETUDE AU MOYENS DES COURANTS THERMOSTIMULES SUR DES DIODES SCHOTTKY DES ETATS LOCALISES DANS LA BANDE INTERDITE DU SILICIUM AMORPHE HYDROGENE. MISE AU POINT D'UNE TECHNIQUE DE CARACTERISATION DES ETATS DE QUEUES DE BANDES EXPONENTIELLES. LES IMPURETES ELECTRIQUEMENT ACTIVES SE LOCALISENT PREFERENTIELLEMENT DANS LES ETATS DE QUEUE DE BANDE LES PLUS PROFONDS. DES PICS ONT ETE ATTRIBUES AU PHOSPHORE, A L'OXYGENE OU A L'EAU
Contribution à l'étude de la localisation et de la stabilité de l'hydrogène dans le silicium amorphe et le silicium poreux
Author: Nasreddine Hadj ZoubirPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 220
Book Description
Ce mémoire est consacré à l'étude des liaisons Si-H dans le silicium amorphe hydrogéné et le silicium poreux à l'aide de la spectrométrie de désorption thermique (TDS) et de la spectrométrie d'absorption infrarouge. Le silicium amorphe est préparé par évaporation réactive en présence d'un plasma ECR d'hydrogène. Pour des températures de substrat Ts inferieures à 120°C, les couches amorphes sont poreuses et incorporent une quantité importante d'oxygène. La structure de ces couches devient plus dense à mesure que la température de substrat augmente: pour Ts égal à 360°C, la contamination par l'oxygène est éliminée et l'hydrogène est lié aux atomes de Si dans les seuls groupesSiH. Un phénomène de densification apparaît également dans des couches préparées en présence d'ions deutérium accélérés par une DDP de 235V. Le silicium poreux est préparé par trempage chimique dans une solution de type NaNO2/HF. L'analyse TDS de ce matériau montre que la désorption de SiH3 et SiF3, avant celle de H2, permet d'expliquer pourquoi la photoluminescence se dégrade aux faibles températures de recuit. Une étude du vieillissement à l'air de ces couches montre une augmentation de l'intensité du signal de photoluminescence en raison d'une meilleure passivation des liaisons pendantes en surface par O2 et H2O.
Contribution a l'analyse du silicium amorphe hydrogene par les methode nucleaires
Author: L. JeannerotContribution à l'analyse du silicium amorphe hydrogéné par les méthodes nucléaires
Author: Luc Jeannerot (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 62
Book Description