Author: Hubert CompainPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 272
Book Description
Contribution à l’étude des processus d’évolution de l’oxygène et du carbone dans le silicium lors du tirage des monocristaux Czochralski et de certains traitements thermiques
Author: Hubert CompainCONTRIBUTION A L'ETUDE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE DANS LE SILICIUM MONOCRISTALLIN TIRE PAR METHODE CZOCHRALSKI
Author: Jean-Pierre BrevignonPublisher:
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Languages : fr
Pages : 176
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ETUDE DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL PENDANT UN TRAITEMENT THERMIQUE ET CARACTERISATION PAR TOPOGRAPHIE RX ET MICROSCOPIE ELECTRONIQUE DES DEFAUTS CRISTALLINS DUS A L'OXYGENE.
ETUDE, DANS LE SILICIUM, DE L'INFLUENCE DU CARBONE SUR LES PROCESSUS D'EVOLUTION DE L'OXYGENE AVEC LA TEMPERATURE
Author: JOCELYNE.. LEROUEILLEPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 89
Book Description
LE CARBONE EN SUBSTITUTION DANS LE SILICIUM DETERMINE UNE DES ETAPES DE L'EVOLUTION DE L'OXYGENE INTERSTITIEL. IL Y A FORMATION DE COMPLEXES QUI EVOLUENT LORS DE TRAITEMENTS THERMIQUES ET DEVIENNENT DONNEURS. A HAUTE TEMPERATURE, LES DONNEURS SI-O::(2) SE DISSOLVENT ET LES COMPLEXES, CARBONE-OXYGENE PIEGENT DAVANTAGE D'OXYGENE. A 600**(O)C, UNE DES FORMES D'EQUILIBRE DES COMPLEXES C-O POSSEDE UN CARACTERE DONNEUR. LES METHODES UTILISEES SONT LA CONDUCTIVITE (METHODES DES 4 POINTES) ET L'ABSORPTION IR
PIEGEAGE ET NEUTRALISATION DES DEFAUTS DANS LE SILICIUM. EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES CONVENTIONNELS ET RAPIDES. INFLUENCE DE L'OXYGENE ET DU CARBONE
Author: KHALID.. MAHFOUDPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 213
Book Description
LES MATERIAUX CRISTALLINS DE SILICIUM SONT TRES DIFFERENTS LES UNS PAR RAPPORT AUX AUTRES, EN RAISON DE LA GRANDE VARIETE DES PROCESSUS DE CROISSANCE ADOPTES PAR LES DIVERS FABRICANTS. LA STRUCTURE CRISTALLINE ET LA TENEUR EN IMPURETES RESIDUELLES VARIENT SUIVANT LE TYPE DE CROISSANCE, LE TYPE DE CREUSET ET DE L'ATMOSPHERE. EN PARTICULIER, LA CONTAMINATION PAR LE CARBONE ET L'OXYGENE SERA TRES DIFFERENTE D'UN MATERIAU A L'AUTRE. L'ETUDE DE L'EVOLUTION DE LA CONCENTRATION DE CES IMPURETES ET DES DUREES DE VIE DES PHOTOPORTEURS, EN FONCTION DE LA TEMPERATURE ET DE LA DUREE DE RECUIT, DES DIFFERENTS CYCLES THERMIQUES, EN FOUR CONVENTIONNEL OU EN FOUR A LAMPES, MONTRE QUE LES CARACTERISTIQUES ELECTRONIQUES (EN PARTICULIER, LA LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS MINORITAIRES L#D), DEPENDENT FORTEMENT DE L'INTERACTION ENTRE LE COUPLE C-O (CARBONE-OXYGENE), LES METAUX DE TRANSITION ET LES DEFAUTS ETENDUS, QUI SONT, EN GRANDE PARTIE RESPONSABLES DE LA RECOMBINAISON. IL VA DE SOI QUE CET EQUILIBRE SERA MODIFIE LORS DES PROCESSUS THERMIQUES INHERENTS A LA FABRICATION DU DISPOSITIF (TRAITEMENT DE GETTERING, FORMATION DE JONCTION, DU CHAMP ARRIERE, PASSIVATION, ETC)
Étude des défauts liés à l'oxygène dans le silicium Czochralski destiné aux cellules solaires photovoltaïques – Influence des impuretés isovalentes
Author: Florent TanayPublisher:
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Languages : fr
Pages : 228
Book Description
Ce travail a pour but de comprendre les effets de deux principaux défauts liés à l’oxygène, les complexes bore-oxygène et les donneurs thermiques, sur les propriétés électriques et photovoltaïques du silicium. Plus particulièrement, les interactions des impuretés isovalentes, connues pour modifier la distribution spatiale de l’oxygène, avec ces défauts ont été étudiées. Deux protocoles expérimentaux ont d’abord été développés pour évaluer la dégradation de la durée de vie des porteurs de charge sous éclairement dans le silicium riche en fer. Ensuite, il a été mis en évidence que l’introduction de germanium et d’étain en très grande quantité dans le silicium n’influence pas de façon significative le rendement de conversion des cellules. Cependant, contrairement à ce qui a été récemment avancé dans la littérature, aucune limitation due au co-dopage au germanium ou à l’étain de la dégradation sous éclairement des performances photovoltaïques n’a été observée. Par contre, il a été montré que le carbone entraîne un ralentissement de la dégradation due aux complexes bore-oxygène. Egalement, contrairement à l’étain qui n’influence pas la génération des donneurs thermiques, le germanium conduit à un ralentissement de la formation de ces défauts. Une expression empirique a été proposée pour rendre compte de cet effet, et ce pour une large gamme de teneurs en germanium. Enfin, dans le silicium très dopé et très compensé, la génération des donneurs thermiques est identique au cas du silicium standard. Ceci constitue un résultat marquant puisqu’il permet de valider par l’expérience le fait que la formation des donneurs thermiques est limitée par la teneur en électrons.
Etude par photoluminescence des centres associés à l'oxygène et au carbone dans le silicium
Author: Azzedine LazrakPublisher:
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Languages : fr
Pages : 98
Book Description
LES DEFAUTS ASSOCIES A LA PRECIPITATION DU CARBONE ET DE L'OXYGENE QUI S'INCORPORENT LORS DE LA CROISSANCE DU SILICIUM PAR LA METHODE DE CZOCHRALSKIJ ONT EGALEMENT ETE ETUDIES. LES EFFETS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ET DE L'IRRADIATION ELECTRONIQUE ONT ETE EGALEMENT ETUDIES
Etude du comportement de l'oxyde de silicium dopé au phosphore lors de traitements thermiques
Author: Fabien ChabuelPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 199
Book Description
L'objectif de ce travail est l'étude du comportement des films d'oxyde de silicium dopés phosphore à haute température (850°C-1050°C). Les observations expérimentales montrent que dans certaines conditions de température et d'atmosphère de recuit (azote, oxygène, vapeur d'eau), il se produit un dégazage s'accompagnant de la formation des bulles dans le matériau. Une étude thermodynamique du système SiO2-P2O5 a été réalisée pour déterminer les principaux facteurs d'apparition des bulles. Elle montre qu'il y a une formation d'espèces gazeuses lors de recuits sous atmosphère humide. Le traitement thermique génère aussi des modifications structurales du matériau. Les variations des propriétés physiques du matériau telles que l'indice de réfraction, la contrainte et la viscosité ont été étudiées. En particulier, la viscosité est un paramètre important pour la formation des bulles. Nous avons observé qu'il est nécessaire d'avoir une viscosité spécifique pour permettre la nucléation de bulles. Le modèle de maturation d'Ostwald a été adapté à notre système et nous avons déterminé le paramètre limitant la croissance des bulles dans l'oxyde. L'étude de ces phénomènes permet une meilleure connaissance du comportement des films d'oxyde de silicium dopé soumis à des traitements thermiques et une meilleure maîtrise des procédés.
Contribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium
Author: Pascal NormandPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 274
Book Description
DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
APPORT DES METHODES NUCLEAIRES D'ANALYSE DANS LE DOSAGE D'IMPURETES LEGERES (C,O) A L'ETAT DE TRACE DANS LE SILICIUM MASSIF ET EPITAXIE
Author: FABIEN.. DEGASPublisher:
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Languages : fr
Pages : 8
Book Description
L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST D'APPORTER UNE CONTRIBUTION A L'ETUDE DU COMPORTEMENT DES IMPURETES LEGERES (C,O) DANS LE SILICIUM MASSIF ET EPITAXIE. L'ANALYSE PAR ACTIVATION (CPAA) A PERMIS D'ELABORER DES PROFILS DE CONCENTRATION DANS DES ECHANTILLONS DE SILICIUM CZ ET EPITAXIE AYANT SUBI DIFFERENTS TRAITEMENTS THERMIQUES. NOTRE ATTENTION S'EST PORTE, DANS UN PREMIER TEMPS, SUR L'OPTIMISATION DE LA METHODE CPAA AFIN DE DOSER LES PREMIERS MICROMETRES CORRESPONDANT A LA ZONE ACTIVE DES COMPOSANTS MICRO-ELECTRONIQUES, EN S'AFFRANCHISSANT DES CONTAMINATIONS DE SURFACE. DES MESURES ONT ETE REALISEES SUR DU SILICIUM TRAITE RTA. LA SECONDE PARTIE DE CE TRAVAIL A PORTE SUR LE COMPORTEMENT DE L'OXYGENE ET DU CARBONE DANS DES COUCHES EPAISSES DE SILICIUM EPITAXIE TRAITEES THERMIQUEMENT EN VUE DE FABRIQUER DES DIODES DE PUISSANCE P + NN +. LES EPITAXIES SONT REALISEES SUR DES SUBSTRATS DE SI-CZ ET LA COUCHE P + EST DOPEE THERMIQUEMENT PAR DU BORE. A L'AIDE DE PROFILS DE CONCENTRATION, NOUS AVONS MONTRE QUE L'OXYGENE DIFFUSE DANS L'EPITAXIE A PARTIR DE LA SURFACE ET DE L'INTERFACE SI EPI/SI-CZ A DES DEGRES DIFFERENTS SELON LES CONDITIONS DE RECUIT. UNE ESTIMATION DE LA QUANTITE D'OXYGENE PRECIPITE INDUIT PAR LES RECUITS A ETE EFFECTUEE DANS LES ECHANTILLONS A L'AIDE DE LA COMPARAISON DES ANALYSES CPAA ET FTIR. ENFIN, POUR ESSAYER DE METTRE EN EVIDENCE LE ROLE DU CARBONE AU COURS DE LA PRECIPITATION DE L'OXYEGNE, NOUS AVONS MIS AU POINT UNE METHODE DE DOSAGE DU CARBONE A TRES BASSE TENEUR DANS LE SILICIUM A L'AIDE DE LA RADIOACTIVATION. CELA NOUS A CONDUITS A DEVELOPPER UNE METHODE DE SEPARATION RADIOCHIMIQUE DE L'AZOTE 13 PAR PIEGEAGE SUR DE L'EPONGE DE TITANE A 920C. DES CONCENTRATIONS DE CARBONE DE QUELQUES 10#1#5 AT./CM#3 PEUVENT ETRE MESUREES.