Author: Pascal NormandPublisher:
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Languages : fr
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Contribution a l'etude de la diffusion des impuretes dopantes dans le silicium : diffusion des impuretes dopantes dans des structures silicium sur isolant obtenues
Author: Pascal NormandContribution à l'étude de la diffusion des impuretés dopantes dans le silicium
Author: Pascal NormandPublisher:
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Languages : fr
Pages : 274
Book Description
DANS UNE PREMIERE PARTIE, CETTE ETUDE TRAITE DES ELEMENTS FONDAMENTAUX UTILES A L'ANALYSE DE LA MIGRATION DES IMPURETES DANS LE SILICIUM. UNE FORMULATION GENERALE DES EQUATIONS DE TRANSPORT DANS LE CAS DU MECANISME LACUNAIRE DE MIGRATION DES IMPURETES DOPANTES EST NOTAMMENT PROPOSEE SUR LA BASE DE LA THEORIE PHENOMENOLOGIQUE DE LA DIFFUSION FONDEE SUR LA THERMODYNAMIQUE DES PROCESSUS IRREVERSIBLES. CES EQUATIONS SONT DISCUTEES A TRAVERS LES COEFFICIENTS DE TRANSPORT PHENOMENOLOGIQUES EXPLICITES EN TERMES DE CARACTERISTIQUES ELEMENTAIRES (CONCENTRATIONS DE DEFAUTS, INTERACTIONS LACUNE-IMPURETE, ...). LES PROPRIETES (NIVEAU(X), ELECTRIQUE(S), ENERGIE(S) DE LIAISON LACUNE-IMPURETE, ...) DES DEFAUTS PONCTUELS SONT EXHAUSTIVEMENT RAPPORTES. LES DIVERS MODELES STATISTIQUES ET APPROCHES PHENOMENOLOGIQUES PROPOSES DANS LA LITTERATURE POUR UN TEL MECANISME SONT REVUS ET CRITIQUES. LA SECONDE PARTIE DE TRAVAIL TRAITE SUR LE PLAN MACROSCOPIQUE DE LA REDISTRIBUTION, APRES IMPLANTATION, DES IMPURETES DOPANTES, L'ARSENIC ET LE BORE, DANS DES STRUCTURES SILICIUM-SUR-ISOLANT OBTENUES PAR IMPLANTATION D'OXYGENE (SIMOX). SE SITUANT DANS UNE PERIODE D'EVOLUTION DES PROCESSUS DE FABRICATION DE CES STRUCTURES, CETTE ETUDE MET EN EVIDENCE LE ROLE PREPONDERANT TENU PAR LA QUALITE DES FILMS DE SILICIUM SUR LA REDISTRIBUTION DES IMPURETES. UNE TELLE ETUDE, EGALEMENT ENTREPRISE DANS LE SILICIUM MASSIF, EST MENEE SUR LA BASE D'UN PARALLELE D'ANALYSES EXPERIMENTALES PHYSICO-CHIMIQUES, CRISTALLOGRAPHIQUES ET ELECTRIQUES, CECI EN CORRELATION AVEC DIVERS TRAITEMENTS PHENOMENOLOGIQUES DES RESULTATS EXPERIMENTAUX
Contribution à l'étude de la diffusion d'impuretés dans le silicium sous oxydation
Author: Emmanuel ScheidPublisher:
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Languages : fr
Pages : 111
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ANALYSE DES INSUFFISANCES DES THEORIES RELATIVES A LA DIFFUSION DES IMPURETES ET A L'EVOLUTION DES DEFAUTS D'EMPILEMENT SOUS CONTRAINTE. L'INTRODUCTION DE LA DIFFUSION COUPLEE DES DEFAUTS PONCTUELS PERMET DE DECRIRE L'EXPANSION 3D DE L'EFFET D'OED-ORD
Contribution à l'étude des mécanismes de diffusion du phosphore dans le silicium
Author: Gérald ChambertContribution à l'étude de l'influence d'une irradiation par des particules chargées rapides sur la diffusion des impuretés substitutionnelles dans le silicium
Author: Jean-Claude PfisterContribution à la modélisation de la diffusion des dopants en fortes concentrations dans le silicium
Author: Eric VandenbosschePublisher:
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Languages : fr
Pages : 196
Book Description
Les phenomenes de diffusion des dopants dans le silicium ont une importance grandissante dans les technologies actuelles et futures. En effet, les budgets thermiques diminuent avec les dimensions des dispositifs, et des phenomenes de diffusion transitoire apparaissent lors de la fabrication de jonctions ultra-courtes p#+/n et n#+/p. Ce memoire traite essentiellement des mecanismes de diffusion, bases sur les reactions entre dopants et defauts ponctuels, lesquels sont les interstitiels (atomes de silicium en site interstitiel) et les lacunes (site substitutionnel vacant). La sursaturation des defauts ponctuels, generee au cours des etapes technologiques (bombardements ioniques, oxydations, nitrurations), gouverne la diffusion transitoire des dopants. Un modele general de diffusion des dopants, incluant l'ensemble des mecanismes entre dopants et defauts ponctuels en non-equilibre, constitue la base de cette etude. Ce modele est presente en detail pour l'arsenic, le phosphore et le bore. Trois applications sur la diffusion du bore et du phosphore sont presentees montrant clairement la contribution des defauts ponctuels a la diffusion transitoire de ces dopants observee experimentalement. L'originalite de ce manuscrit consiste en l'etude des phenomenes de diffusion en fortes concentrations, plus precisement appliquee au bore et dans des conditions de preamorphisation. En effet, le bore presente des phenomenes de diffusion anormaux beaucoup plus marques par rapport aux autres dopants. Trois axes d'etudes constituent le traitement presente dans ce memoire: a) modelisation des conditions initiales pour la simulation en terme de concentrations des defauts ponctuels et activation du profil de dopage implante, b) modelisation des effets des boucles de dislocations generees par les etapes d'amorphisation, ces dislocations jouent le role de puit pour les interstitiels, et c) modelisation de la precipitation du bore, par le phenomene de nucleation derive pour la premiere fois dans un modele general de diffusion.
Contribution è l'étude des phénomènes de diffusion de l'aluminum dans le silicium
Author: Contribution à l'étude des phénomènes de recombinaison et de diffusion dans le silicium
Author: André FortiniContribution à l'étude d'un procédé reproductible de dopage à l'or du silicium pour les éléments à commutation rapide
Author: Guy ClémentContribution a l'etude des etats localises et du dopage du silicium amorphe hydrogene
Author: Didier JoussePublisher:
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Category : Amorphous semiconductors
Languages : fr
Pages : 0
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