COMPARAISON DES EFFETS D'IRRADIATION DANS DU SILICIUM DE HAUTE RESISTIVITE UTILISE DANS LA FABRICATION DE DETECTEURS A SEMI-CONDUCTEURS PDF Download
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Book Description
L'IRRADIATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM DE TRES HAUTE RESISTIVITE PAR DES PARTICULES RAPIDES PROVOQUE DES DOMMAGES. LA COMPREHENSION DES PROCESSUS MICROSCOPIQUES DE FORMATION DE DEFAUTS PERMET D'ABORDER L'ETUDE DU COMPORTEMENT DES DETECTEURS, FABRIQUES A PARTIR DE CE SUBSTRAT, QUI SERONT UTILISES DANS LES ACCELERATEURS DE LA NOUVELLE GENERATION (LHC, SSC). L'IRRADIATION SYSTEMATIQUE DE SILICIUM DE TRES HAUTE RESISTIVITE ET DE DETECTEURS AVEC DES IONS LOURDS DU GANIL, DES NEUTRONS RAPIDES ET DES ELECTRONS ENERGETIQUES NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE D'IMPORTANTS CHANGEMENTS DES PROPRIETES DU MATERIAU APRES UNE FORTE DOSE D'IRRADIATION. LES MESURES D'EFFET HALL SUR LE SUBSTRAT IRRADIE MONTRENT QU'AU DELA D'UNE CERTAINE FLUENCE CRITIQUE, QUI DEPEND DU TYPE DE PROJECTILE, LE SILICIUM SE STABILISE DANS UN ETAT QUASI-INTRINSEQUE, DONT LES CARACTERISTIQUES NE DEPENDENT PAS DU PROJECTILE UTILISE. CET ETAT EST DU A UNE COMPENSATION DU MATERIAU DE DEPART PAR DES CONCENTRATIONS IMPORTANTES DE CENTRES PROFONDS. CES CENTRES ONT PU ETRE IDENTIFIES PAR DLTS ET PHOTOLUMINESCENCE : IL S'AGIT DE DEFAUTS COMPLEXES LIES A LA LACUNE (LACUNE-OXYGENE, LACUNE-PHOSPHORE, BILACUNE, ....). LE CHANGEMENT DES PROPRIETES DU SUBSTRAT PROVOQUE UNE MODIFICATION DES PROPRIETES DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES IRRADIES COMME LE MONTRENT LEURS CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION ET CAPACITE-TENSION.
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L'IRRADIATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM DE TRES HAUTE RESISTIVITE PAR DES PARTICULES RAPIDES PROVOQUE DES DOMMAGES. LA COMPREHENSION DES PROCESSUS MICROSCOPIQUES DE FORMATION DE DEFAUTS PERMET D'ABORDER L'ETUDE DU COMPORTEMENT DES DETECTEURS, FABRIQUES A PARTIR DE CE SUBSTRAT, QUI SERONT UTILISES DANS LES ACCELERATEURS DE LA NOUVELLE GENERATION (LHC, SSC). L'IRRADIATION SYSTEMATIQUE DE SILICIUM DE TRES HAUTE RESISTIVITE ET DE DETECTEURS AVEC DES IONS LOURDS DU GANIL, DES NEUTRONS RAPIDES ET DES ELECTRONS ENERGETIQUES NOUS A PERMIS DE METTRE EN EVIDENCE D'IMPORTANTS CHANGEMENTS DES PROPRIETES DU MATERIAU APRES UNE FORTE DOSE D'IRRADIATION. LES MESURES D'EFFET HALL SUR LE SUBSTRAT IRRADIE MONTRENT QU'AU DELA D'UNE CERTAINE FLUENCE CRITIQUE, QUI DEPEND DU TYPE DE PROJECTILE, LE SILICIUM SE STABILISE DANS UN ETAT QUASI-INTRINSEQUE, DONT LES CARACTERISTIQUES NE DEPENDENT PAS DU PROJECTILE UTILISE. CET ETAT EST DU A UNE COMPENSATION DU MATERIAU DE DEPART PAR DES CONCENTRATIONS IMPORTANTES DE CENTRES PROFONDS. CES CENTRES ONT PU ETRE IDENTIFIES PAR DLTS ET PHOTOLUMINESCENCE : IL S'AGIT DE DEFAUTS COMPLEXES LIES A LA LACUNE (LACUNE-OXYGENE, LACUNE-PHOSPHORE, BILACUNE, ....). LE CHANGEMENT DES PROPRIETES DU SUBSTRAT PROVOQUE UNE MODIFICATION DES PROPRIETES DES DISPOSITIFS ELECTRONIQUES IRRADIES COMME LE MONTRENT LEURS CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION ET CAPACITE-TENSION.
Author: Alban Colder Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 216
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Nous avons étudié le comportement des sepi-conducteurs germanium, silicium et arséniure de gallium irradiés par divers projectiles (ions lourds, protons, électrons et agrégats C60). Grâce à des mesures électriques de spectroscopie transitoire des niveaux profonds (DLTS) et d'effet Hall, nous avons pu préciser, à faibles doses, la nature des défauts présents dans le germanium après irradiation à température ambiante. Nous avons déterminé, pour différents projectiles, les cinétiques de création de ces défauts. Les mesures électriques à plus fortes doses ont permis de mettre en évidence la présence d'un défaut spécifique multilacunaire créé uniquement après irradiation par des ions lourds (ou des protons). De plus, des mesures de spectroscopie par annihilation de positons (PAS) montrent que la taille de ce défaut spécifique augmente avec la fluence. L'endommagement correspondant a également été quantifié par des mesures de rétrodiffusion Rutherford en canalisation (RBS-C). En première approximation, les taux de création de défauts obtenus sont normalisés par les collisions nucléaires. Cette normalisation se retrouve dans l'évolution de l'inverse du gain de transistors bipolaires à base de silicium. Cependant, une étude plus fine met en évidence une perte d'efficacité de création de défauts à des valeurs intermédiaires de perte d'énergie électronique Se, puis au contraire une augmentation pour des plus fortes valeurs de Se. Dans les trois semi-conducteurs, nous avons observé la création de traces après irradiation par des agrégats C60. Celles-ci se présentent sous la forme de cylindres amorphes que nous avons caractérisés en microscopie électronique à transmission et à haute résolution. Elles sont dûes aux très fortes valeurs de densité d'énergie électronique que peuvent déposer les agrégats en raison de leur faible vitesse.
Author: A.A. Lebedev Publisher: Materials Research Forum LLC ISBN: 1945291117 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 172
Book Description
The book reviews the most interesting research concerning the radiation defects formed in 6H-, 4H-, and 3C-SiC under irradiation with electrons, neutrons, and some kinds of ions. The electrical parameters that make SiC a promising material for applications in modern electronics are discussed in detail. Specific features of the crystal structure of SiC are considered. It is shown that, when wide-bandgap semiconductors are studied, it is necessary to take into account the temperature dependence of the carrier removal rate, which is a standard parameter for determining the radiation hardness of semiconductors. The carrier removal rate values obtained by irradiation of various SiC polytypes with n- and p-type conductivity are analyzed in relation to the type and energy of the irradiating particles. The influence exerted by the energy of charged particles on how radiation defects are formed and conductivity is compensated in semiconductors under irradiation is analyzed. Furthermore, the possibility to produce controlled transformation of silicon carbide polytype is considered. The involvement of radiation defects in radiative and nonradiative recombination processes in SiC is analyzed. Data are also presented regarding the degradation of particular SiC electronic devices under the influence of radiation and a conclusion is made regarding the radiation resistance of SiC. Lastly, the radiation hardness of devices based on silicon and silicon carbide are compared.
Author: PAOLO.. MANCIACALLI
Author: PAOLO.. MANCIACALLI
Author: Klaus Becker
Author: 
Author: Faye H. Horn
Author: H. J. Delafield
Author: Alban Colder
Author: Michel Sandon
Author: A.A. Lebedev
Author: Michel Sandon
Author: Michel Sandon