Author: Radiotechnique-Compelec (Firm : France)Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 347
Book Description
Circuits intégrés bipolaires pour applications vidéo
Author: Radiotechnique-Compelec (Firm : France)Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 347
Book Description
Transistor bipolaire à hétérojonction GaInAs/InP pour circuits ultra-rapides
Author: Mathias KahnPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 256
Book Description
L'ESSOR DES TELECOMMUNICATIONS A L'ECHELLE MONDIALE QU'A CONNU LA FIN DU XXEME SIECLE A ETE RENDU POSSIBLE PAR L'EXISTENCE DE RESEAUX A BASE DE FIBRES OPTIQUES, CAPABLES DE TRANSMETTRE DES FLUX DE DONNEES IMPORTANTS SUR DE LONGUES DISTANCES. LA GESTION DE CES IMPORTANTS FLUX D'INFORMATION EN AMONT ET EN AVAL DE LA FIBRE REQUIERT DES CIRCUITS ELECTRONIQUES NUMERIQUES ET ANALOGIQUES TRAITANT DES DEBITS DE DONNEES SUPERIEURS A 40GB/S, CE QUI IMPLIQUE L'UTILISATION DE COMPOSANTS TRES RAPIDES, AVEC DES FREQUENCES DE TRANSITION AU-DELA DE 150GHZ.GRACE AUX REMARQUABLES PROPRIETES DE LA FAMILLE DE MATERIAUX III-V EN TERMES DE TRANSPORT ELECTRIQUE, LE TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION GAINAS/INP SE CLASSE COMME L'UN DES TRANSISTORS LES PLUS RAPIDES ACTUELLEMENT, ET PERMET LA REALISATION DE TELS CIRCUITS OPERATIONNELS A TRES HAUTE FREQUENCE.LA MISE EN PLACE D'UNE FILIERE COMPLETE DE FABRICATION DE CIRCUITS A BASE DE TBH NECESSITE QUE SOIT MAITRISE UN GRAND NOMBRE D'ETAPES. UN CERTAIN NOMBRE D'ENTRE ELLES TOUCHE DIRECTEMENT AU COMPOSANT: CONCEPTION, EPITAXIE, FABRICATION TECHNOLOGIQUE, CARACTERISATION A CES ETAPES DOIT ETRE AJOUTEE UNE CERTAINE COMPREHENSION DES PHENOMENES PHYSIQUES INTERVENANT DANS LE DISPOSITIF.DANS CE TRAVAIL DE THESE, LES PROBLEMATIQUES LIEES A L'OPTIMISATION DU TBH GAINAS/INP, AINSI QUE CERTAINES QUESTIONS RELATIVES AUX MECANISMES PHYSIQUES MIS EN JEU SONT PRESENTEES.
INTRODUCTION DE DISPOSITIFS A EFFET DE CHAMP DANS UNE TECHNOLOGIE BIPOLAIRE RAPIDE
Author: HERVE.. MINGAMPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 333
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L'OBJET DE L'ETUDE CONSISTE A AMELIORER LES CARACTERISTIQUES DES CIRCUITS INTEGRES MIXTES ANALOGIQUES ECL-I2L PAR L'INTRODUCTION DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A JONCTIONS (J-FET) PERFORMANTS ET REALISES SIMULTANEMENT AVEC LES STRUCTURES BIPOLAIRES. MISE AU POINT DE 2 FILIERES APPELEES BI-FETA ET BI-FET B. CARACTERISATION DE CES 2 FILIERES A L'AIDE D'UN MASQUE DE TEST SPECIFIQUE COMPRENANT UNE TRENTAINE DE COMPOSANTS DISCRETS. CE MASQUE DEVRAIT ETRE EN PLUS UN OUTIL DE TRAVAIL POUR CARACTERISER LES DISPOSITIFS ENTRANT DANS LES FUTURS CIRCUITS INTEGRES BIPOLAIRES FET-ECL-IEL
Conception de circuits integres analogiques a base de transistors bipolaires TBH-GaAs
Author: Mohamed MekhatriCircuits intégrés bipolaires pour applications radio et audio
Author: Radiotechnique-CompelecPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 412
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Electronic Components & Applications
Author: Publisher:
ISBN:
Category : Electronic apparatus and appliances
Languages : en
Pages : 570
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JP III
Author: Electronic Components and Applications
Author: Publisher:
ISBN:
Category : Electronic apparatus and appliances
Languages : en
Pages : 488
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Annales des télécommunications
Author: Elsevier's Dictionary of Electronics
Author: G. G. KingPublisher: Elsevier Publishing Company
ISBN:
Category : Technology & Engineering
Languages : fr
Pages : 646
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