Author: Gilles Amadou KonéPublisher:
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Book Description
Ces travaux de thèses présentent un protocole expérimental d'évaluation de la fiabilité des transistors bipolaire à double hétéro-jonction submicroniques sur substrat InP. Les mécanismes de défaillances observés ont été mis en évidence grâce à ce protocole qui présente trois étapes : activation, détection et localisation des mécanismes de défaillance. Les tests de vieillissement accéléré ont été réalisés sur les TBH de structure hexagonale avec une base en InGaAs ou en GaAsSb ainsi que les structures TLM. Grâce à l'analyse électrique via la modélisation compacte, nous établissons les premières hypothèses sur l'origine physique des mécanismes de dégradation. Pour les transistors avec une base InGaAs, par exemple, les mécanismes de défaillance mis en évidence sont localisés:- A la périphérie d'émetteur entrainant ainsi une augmentation du courant de base pour VBE0,6 V pour les tests sous contrainte thermique ainsi que sous contraintes thermique et électrique.- A la jonction base-émetteur, provoquant l'augmentation du courant de base et de collecteur respectivement pour VBE0,6 V et 0.2VBE
Author: Gilles Amadou Koné