Analyse et modélisation du fonctionnement d'un réacteur de dépôt de silicum amorphe hydrogéné assisté par plasma PDF Download
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Author: Lise Layeillon Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
Book Description
LE DEPOT DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTE PAR PLASMA (PECVD) A PARTIR DU SILANE EST UN PROCEDE COURAMMENT EMPLOYE POUR LA FABRICATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES, D'ECRANS PLATS DE VISUALISATION, OU DE DETECTEURS DIVERS. MALGRE L'EXISTENCE DE NOMBREUX TRAVAUX CONCERNANT L'ANALYSE DE PHENOMENES PARTICULIERS ELECTRIQUES OU CHIMIQUES DANS CES DECHARGES, AUCUNE ETUDE COMPLETE DU COMPORTEMENT DE REACTEURS INDUSTRIELS, INTEGRANT EN PARTICULIER L'EXAMEN DES PHENOMENES DE TRANSPORT, N'AVAIT ETE ENTREPRISE JUSQU'A PRESENT. NOUS AVONS DONC DEMARRE DE TELS TRAVAUX DANS LE CADRE D'UNE ACTION DE RECHERCHE COORDONNEE DU CNRS, EN VUE D'ELABORER UN MODELE DE SIMULATION LOCAL ET BIDIMENSIONNEL, TRES DETAILLE, QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER LES PROFILS DE VITESSE, DE CONCENTRATION DES ESPECES GAZEUSES ET LES VITESSES DE DEPOT DANS UN REACTEUR DE GEOMETRIE CLASSIQUE. AU VU DES PREMIERS RESULTATS, NOUS AVONS PU SIMPLIFIER CE LOGICIEL, AFIN D'OBTENIR UN OUTIL D'UTILISATION PLUS RAPIDE. IL NOUS A AINSI ETE POSSIBLE D'EFFECTUER UNE ANALYSE NUMERIQUE SYSTEMATIQUE DES PROCESSUS CHIMIQUES MIS EN JEU DANS LA DECHARGE ET DE L'INFLUENCE DES DONNEES CINETIQUES CORRESPONDANTES. LA CONFRONTATION ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX, OBTENUS SUR UNE UNITE PILOTE, ET LES INFORMATIONS FOURNIES PAR L'EXPLOITATION DES LOGICIELS, A PERMIS D'ETABLIR LA QUALITE DES MODELES. NOUS AVONS PU, AINSI, AMELIORER LA CONNAISSANCE DU PROCEDE DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA, ET CONSTITUER DES LOGICIELS SUSCEPTIBLES D'ETRE UTILISES POUR OPTIMISER LES EXPLOITATIONS D'EQUIPEMENTS DE DEPOT
Author: Lise Layeillon Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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LE DEPOT DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTE PAR PLASMA (PECVD) A PARTIR DU SILANE EST UN PROCEDE COURAMMENT EMPLOYE POUR LA FABRICATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES, D'ECRANS PLATS DE VISUALISATION, OU DE DETECTEURS DIVERS. MALGRE L'EXISTENCE DE NOMBREUX TRAVAUX CONCERNANT L'ANALYSE DE PHENOMENES PARTICULIERS ELECTRIQUES OU CHIMIQUES DANS CES DECHARGES, AUCUNE ETUDE COMPLETE DU COMPORTEMENT DE REACTEURS INDUSTRIELS, INTEGRANT EN PARTICULIER L'EXAMEN DES PHENOMENES DE TRANSPORT, N'AVAIT ETE ENTREPRISE JUSQU'A PRESENT. NOUS AVONS DONC DEMARRE DE TELS TRAVAUX DANS LE CADRE D'UNE ACTION DE RECHERCHE COORDONNEE DU CNRS, EN VUE D'ELABORER UN MODELE DE SIMULATION LOCAL ET BIDIMENSIONNEL, TRES DETAILLE, QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER LES PROFILS DE VITESSE, DE CONCENTRATION DES ESPECES GAZEUSES ET LES VITESSES DE DEPOT DANS UN REACTEUR DE GEOMETRIE CLASSIQUE. AU VU DES PREMIERS RESULTATS, NOUS AVONS PU SIMPLIFIER CE LOGICIEL, AFIN D'OBTENIR UN OUTIL D'UTILISATION PLUS RAPIDE. IL NOUS A AINSI ETE POSSIBLE D'EFFECTUER UNE ANALYSE NUMERIQUE SYSTEMATIQUE DES PROCESSUS CHIMIQUES MIS EN JEU DANS LA DECHARGE ET DE L'INFLUENCE DES DONNEES CINETIQUES CORRESPONDANTES. LA CONFRONTATION ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX, OBTENUS SUR UNE UNITE PILOTE, ET LES INFORMATIONS FOURNIES PAR L'EXPLOITATION DES LOGICIELS, A PERMIS D'ETABLIR LA QUALITE DES MODELES. NOUS AVONS PU, AINSI, AMELIORER LA CONNAISSANCE DU PROCEDE DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA, ET CONSTITUER DES LOGICIELS SUSCEPTIBLES D'ETRE UTILISES POUR OPTIMISER LES EXPLOITATIONS D'EQUIPEMENTS DE DEPOT
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL CONSISTE A ANALYSER PUIS A MODELISER LE PHENOMENE DE DEPOT DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A PARTIR DE SILANE DANS DES REACTEURS A ACTIVATION PLASMA. L'ETUDE A TOUT PARTICULIEREMENT ETE CONSACREE AU DOMAINE DES PUISSANCES RF ELEVEES. ELLE DEMONTRE QUE, SI UNE CHIMIE ASSEZ SIMPLE PEUT ETRE UTILISEE POUR DES CONDITIONS DE FAIBLE PUISSANCE, IL N'EN EST PAS DE MEME POUR DES CONDITIONS DE PUISSANCE ELEVEE OU UN GRAND NOMBRE DE REACTIONS DOIT ETRE PRIS EN COMPTE. L'UTILISATION D'UN LOGICIEL RELATIVEMENT SIMPLIFIE, AFIN D'OBTENIR UN OUTIL DE SIMULATION D'UTILISATION COMMODE TOUT EN RESTANT PRECIS, NOUS A PERMIS D'EFFECTUER UNE ANALYSE NUMERIQUE SYSTEMATIQUE DES PROCESSUS CHIMIQUES MIS EN JEU DANS LA DECHARGE. LA CONFRONTATION ENTRE UN ENSEMBLE DE RESULTATS EXPERIMENTAUX, OBTENUS SUR UNE UNITE PILOTE, ET LES INFORMATIONS FOURNIES PAR L'EXPLOITATION DU LOGICIEL, NOUS A PERMIS D'ETABLIR LA QUALITE DU MODELE, ET DE TIRER UN ENSEMBLE DE CONCLUSIONS QUI AMELIORENT LA CONNAISSANCE DU PROCEDE DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA.
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UNE MODELISATION NUMERIQUE A ETE EFFECTUEE POUR SIMULER LE FONCTIONNEMENT D'UN REACTEUR ASSISTE PAR UN PLASMA RADIOFREQUENCE POUR LE DEPOT DE NITRURE DE SILICIUM DANS UN MELANGE SILANE-AMMONIAC. DES MODELES BIDIMENSIONNELS D'HYDRODYNAMIQUE ET DE TRANSFERT DE MATIERE ONT ETE MIS AU POINT POUR DETERMINER LES PROFILS DE VITESSE DU GAZ, L'EPAISSEUR ET LA COMPOSITION DES FILMS, AINSI QUE LES PROFILS DE CONCENTRATION DES DIFFERENTES ESPECES GAZEUSES. POUR L'ELABORATION DU MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE, NOUS AVONS DU ENTREPRENDRE DES ANALYSES EXPERIMENTALES ET UNE ETUDE DE MECANISMES CHIMIQUES CONDUISANT AU DEPOT. LES TAUX DE PRODUCTION D'ESPECES ACTIVES UTILISEES DANS CE MODELE ONT ETE OBTENUS A PARTIR D'UNE MODELISATION DE DECHARGE ELECTRIQUE. LE MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE NECESSITE UN TEMPS DE CALCUL TRES LONG, AUSSI AVONS-NOUS ELABORE UN MODELE SIMPLIFIE PERMETTANT D'OBTENIR TRES RAPIDEMENT DES RESULTATS ASSEZ PRECIS. IL EST DONC TRES UTILE POUR ETUDIER L'INFLUENCE DES PARAMETRES OPERATOIRES. LA SIMULATION D'UN REACTEUR A PLASMA PULSE A EGALEMENT ETE EFFECTUEE. A L'ISSUE DE CE TRAVAIL, NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE LE ROLE DETERMINANT DES RADICAUX AMINOSILANES DANS LE PROCESSUS DE CROISSANCE DES FILMS. NOUS AVONS EGALEMENT MONTRE QUE L'EQUIPEMENT QUI A ETE ETUDIE EST MAL ADAPTE POUR LA PRODUCTION INDUSTRIELLE, ET NOUS AVONS ALORS PROPOSE UNE GEOMETRIE DE REACTEUR PLUS APPROPRIEE
Author: LUCIEN.. DATE Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 167
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DANS CE MEMOIRE, NOUS AVONS ETUDIE LE PROCEDE DE DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX N 2O/SIH 4. LE DEBIT DE N 2O ETANT TRES LARGEMENT SUPERIEUR A CELUI DE SIH 4 DANS LES MELANGES CONSIDERES, LA DECOMPOSITION DE N 2O DANS LE PLASMA A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE PRECISE. LES DONNEES PROVENANT DE LA LITTERATURE ET DE LA MODELISATION DE LA DECHARGE ONT PERMIS DE DEVELOPPER UN MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE QUI REPRODUIT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX CONCERNANT LA CONSOMMATION DE N 2O ET LA PRODUCTION N 2 ET O 2, EN FONCTION DE LA DENSITE DE PUISSANCE. EN CE QUI CONCERNE LE PROCEDE N 2O/SIH 4, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE L'INFLUENCE DES PARAMETRES OPERATOIRES SUR LE PROFIL DES VITESSES DE DEPOT. NOUS AVONS OBSERVE UNE INHOMOGENEITE IMPORTANTE DES COUCHES SYNTHETISEES, QUAND LES GAZ REACTIFS SONT EPUISES RAPIDEMENT DES L'ENTREE DANS LE REACTEUR. MALGRE LA COMPLEXITE DES PHENOMENES MIS EN JEU AU COURS DU PROCESSUS DE DEPOT, LE MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE A PERMIS DE REPRODUIRE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, EN CONSIDERANT QUE H 2SIO EST LE PRECURSEUR PRINCIPAL DE DEPOT. CONCERNANT LA CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE A MONTRE QUE C'EST AUX TEMPERATURES ELEVEES ET AVEC UNE DILUTION IMPORTANTE DE N 2O/SIH 4 PAR L'HELIUM QUE L'ON PARVIENT A AUGMENTER REELLEMENT LA DENSITE DE LIAISONS SI-O AU DETRIMENT DES LIAISONS OH. LA COMPOSITION DES COUCHES (O, SI, N) TRAITEE PAR LA MICROSONDE ELECTRONIQUE A REVELE UNE ABSENCE D'AZOTE, ET UN RAPPORT O/SI CROISSANT ET QUI TEND VERS 2, DE L'ENTREE VERS LA SORTIE DU REACTEUR. CONCERNANT LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES COUCHES D'OXYDE, NOUS AVONS MONTRE QUE L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE DU DEPOT, DU RAPPORT DES DEBITS N 2O/SIH 4 ET DE DILUTION PAR L'HELIUM FAVORISENT UNE DIMINUTION DE LA DENSITE DE CHARGES PIEGEES ET D'ETATS D'INTERFACE LIEE A LA NATURE PHYSICO-CHIMIQUE DU MATERIAU.
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LE REACTEUR ANNULAIRE, UN NOUVEAU TYPE DE REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE A PARTIR D'UNE PHASE VAPEUR (CVD), A MURS CHAUDS, CONSTITUE UNE ALTERNATIVE INTERESSANTE POUR RESOUDRE DIVERS PROBLEMES RENCONTRES, DANS L'INDUSTRIE MICROELECTRONIQUE, AVEC LES APPAREILS TUBULAIRES CONVENTIONNELS. LE BUT ETAIT D'ANALYSER SCIENTIFIQUEMENT LE FONCTIONNEMENT DE CE NOUVEAU REACTEUR, DANS DES CONDITIONS DE BASSE PRESSION (LPCVD), POUR LES CAS DE DEPOT DE SILICIUM PUR OU DOPE IN SITU AU PHOSPHORE PAR PYROLYSE DE SILANE OU DE DISILANE. UNE MODELISATION NUMERIQUE BIDIMENSIONNELLE A, AINSI, ETE DEVELOPPEE POUR DEUX ZONES BIEN DISTINCTES DANS LA CHAMBRE ANNULAIRE DU REACTEUR. LE PREMIER TRAITEMENT CONCERNE LA ZONE D'ENTREE, OU LES REACTIFS COMMENCENT A PRODUIRE DIVERSES ESPECES ACTIVES PAR DECOMPOSITION THERMIQUE, QUI VONT JOUER UN ROLE ESSENTIEL VIS-A-VIS DU DEPOT DANS LA ZONE SUIVANTE. LA SECONDE MODELISATION EST CONSACREE A L'ETUDE DES PHENOMENES PHYSICO-CHIMIQUES DANS LA ZONE DE DEPOT. CHACUN DES DEUX TRAITEMENTS IMPLIQUE LA DETERMINATION LOCALE ET BIDIMENSIONNELLE DES CHAMPS DE VITESSE, DE CONCENTRATIONS, DE TAUX DE REACTION CHIMIQUE DANS LE GAZ ET SUR LES SURFACES PAR INTEGRATION NUMERIQUE DES EQUATIONS AUX DERIVEES PARTIELLES DE CONSERVATION DE LA MATIERE ET DE VITESSE DE REACTION. L'EXPLOITATION SYSTEMATIQUE DE CES DEUX MODELES ET LA CONFRONTATION DES RESULTATS DU CALCUL AVEC DES DONNEES EXPERIMENTALES SE SONT REVELEES RICHES D'ENSEIGNEMENTS ET ONT PERMIS DE PROGRESSER NETTEMENT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES COMPLEXES QUI SONT MIS EN JEU, NOTAMMENT, LORS DU DEPOT DE SILICIUM DOPE IN SITU AU PHOSPHORE. PAR AILLEURS, CES RESULTATS ONT OUVERT DIVERSES PERSPECTIVES, AUSSI BIEN SUR LE PLAN THEORIQUE QUE SUR LE PLAN PRATIQUE, QUI PERMETTENT D'ENVISAGER LA MISE AU POINT DE NOUVEAUX PROCEDES INDUSTRIELS PLUS PERFORMANTS
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DANS CE TRAVAIL, DES MODELES NUMERIQUES ONT ETE DEVELOPPES POUR SIMULER LE COMPORTEMENT DE PLUSIEURS REACTEURS CLASSIQUES DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE. CES MODELES PRENNENT EN COMPTE LES PHENOMENES DISSOCIATIFS DUS A L'UTILISATION D'UNE DECHARGE, LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE QUANTITE DE MOUVEMENT ET DE TRANSFERT DE MATIERE. LE PREMIER OBJECTIF DE L'AUTEUR A ETE DE REPRODUIRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DANS DEUX TYPES DE REACTEURS DE CONCEPTION TRES DIFFERENTE, DANS LE CAS DU NITRURE DE SILICIUM DEPOSE A PARTIR DE SILANE ET D'AMMONIAC. POUR CELA, UN MECANISME CHIMIQUE COMPLEXE PRENANT NOTAMMENT EN CONSIDERATION UNE FAIBLE REACTIVITE DU RADICAL TRIAMINOSILYL ET L'ABSTRACTION D'HYDROGENE SUR LES ESPECES AMINOSILICIEES STABLES, A ETE ENVISAGE. L'ANALYSE DES RESULTATS DE MODELISATION MONTRE QUE LA CONSOMMATION DU SILANE ET SES CONSEQUENCES SUR LES TAUX DE PRODUCTION DES DIFFERENTES ESPECES RADICALAIRES JOUENT UN ROLE PREPONDERANT SUR LA VITESSE DE DEPOT ET LA COMPOSITION DU MATERIAU. UNE COMPARAISON DE PLUSIEURS REACTEURS A ETE ALORS EFFECTUEE. LES REACTEURS A INJECTION DISTRIBUEE ONT ETE MONTRES COMME OFFRANT LE MEILLEUR COMPROMIS ENTRE UNIFORMITE DES DEPOTS ET DE COMPOSITION, ALORS QUE POUR DES REACTEURS A INJECTION LOCALISEE, IL EST IMPOSSIBLE D'OBTENIR DES DEPOTS D'EPAISSEUR CONSTANTE ET DE COMPOSITION VOULUE. L'INFLUENCE DES DIMENSIONS DES REACTEURS A EGALEMENT ETE ANALYSEE. PAR AILLEURS, UNE ETUDE SUR LA CHIMIE DES DECHARGES DANS LES MELANGES SILANE-PROTOXYDE D'AZOTE POUR LE DEPOT DE SILICE A ETE INITIEE. DANS CE TRAVAIL, LA MODELISATION A ETE UTILISEE SOUS TOUS CES ASPECTS. ELLE A PERMIS LA DETERMINATION D'UN MECANISME CHIMIQUE, LA COMPREHENSION DES PROCESSUS GOUVERNANT LES PROCEDES, AINSI QUE L'AIDE A LA CONCEPTION ET A L'OPTIMISATION DES PROCEDES
Author: Roca i Cabarrocas, Pere Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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PROCEDE DE FABRICATION DE A-SI:H DANS UN REACTEUR MULTIPLASMA-MONOCHAMBRE. ETUDE PHYSICOCHIMIQUE DU PLASMA DE SILANE. CARACTERISATION DU A-SI:H PRODUIT ET CORRELATIONS ENTRE LES CONDITIONS DE PREPARATION ET LES PROPRIETES DU MATERIAU. PRODUCTION ET CARACTERISATION DU MATERIAU DOPE. CARACTERISATION DES CELLULES SOLAIRES P-I-N FABRIQUEES DANS LE REACTEUR ARCAM, AVEC DES RENDEMENTS DE 8,5% POUR DES STRUCTURES NON OPTIMISEES
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LA PRESENTE THESE CONCERNE L'ETUDE DES MECANISMES DE DEPOT DE COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE (UTILISEES DANS L'INDUSTRIE POUR DES APPLICATIONS PHOTOVOLTAIQUES ET MICRO-ELECTRONIQUES) A PARTIR DE DECHARGES RF A 13.56 MHZ DANS LE MELANGE SIH#4/H#2. L'OBJET DE CE TRAVAIL EST LE DEVELOPPEMENT DE MODELES NUMERIQUES COUPLES A DES METHODES DE DIAGNOSTIC POUR OBTENIR UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES PHENOMENES INTERVENANT DANS UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTE PAR PLASMA. LA MODELISATION NECESSITE DE PRENDRE EN COMPTE LES DIVERS ASPECTS PHYSICO-CHIMIQUES QUI REGISSENT LE COMPORTEMENT DE LA DECHARGE. LE CHAUFFAGE DE L'ELECTRODE PORTE-SUBSTRAT ENTRAINE UN GRADIENT DE TEMPERATURE ENTRE LES ELECTRODES DU REACTEUR, CE QUI NOUS A CONDUIT A DEVELOPPER UN MODELE THERMIQUE, VALIDE PAR DES MESURES DE PROFILS DE TEMPERATURE PAR DIFFUSION RAMAN ANTISTOKES COHERENTE. LE CALCUL DE FONCTIONS SOURCE DE CREATION DE RADICAUX PAR DISSOCIATION DES ESPECES NEUTRES STABLES PAR IMPACT ELECTRONIQUE A NECESSITE L'ADAPTATION D'UN MODELE FLUIDE 2D, VALIDE PAR DES MESURES DE PUISSANCE COUPLEE AU PLASMA ET PAR DES MESURES PAR SPECTROSCOPIE D'EMISSION DE PROFILS DE TAUX D'EXCITATION D'ESPECES ENTRE LES ELECTRODES. LA MODELISATION PHYSICO-CHIMIQUE PROPREMENT DITE A CONSISTE A DEVELOPPER UN MODELE 2D PRENANT EN COMPTE LA CHIMIE EN VOLUME, LES INTERACTIONS PLASMA-SURFACE ET LES PHENOMENES DE DIFFUSION. POUR DIMINUER LES TEMPS DE CALCUL, UNE METHODE MULTIGRILLE A ETE EMPLOYEE AVEC SUCCES. LA VALIDATION DES RESULTATS EST EFFECTUEE PAR COMPARAISON AVEC DES MESURES PAR FLUORESCENCE INDUITE PAR LASER DU PROFIL DE DENSITE DU RADICAL SIH ENTRE LES ELECTRODES, ET AVEC DES MESURES DE DENSITE DE RADICAUX REALISEES AU VOISINAGE DU SUBSTRAT PAR SPECTROMETRIE DE MASSE. LES VARIATIONS RADIALES DES VITESSES DE DEPOT SUR LE SUBSTRAT CALCULEES PAR LE MODELE SONT COMPAREES A DES MESURES PAR PROFILOMETRIE
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Ce travail est une contribution à l'étude de l'interaction entre des couches minces de silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) et un plasma d'hydrogène, dans un réacteur de dépôt par PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Le suivi in situ de la cinétique de gravure par l'hydrogène atomique est réalisé par ellipsométrie UV-visble. Les différents paramètres de plasma (température, puissance radiofréquence, pression du gaz H2, type de dopage du matériau) pouvant impacter cette cinétique ont été sondés. L'analyse des spectres d'ellipsométrie spectroscopique, à l'aide d'un modèle optique approprié, a permis de mettre en évidence leurs effets sur le temps de formation de la couche modifiée par l'hydrogène, son épaisseur et son excès d'hydrogène, ont été analysés. Le même traitement au plasma d'hydrogène appliqué à des jonctions i/p et i/n, révèle un comportement particulier de la cinétique de gravure dans la zone de jonction. Ce comportement a été interprété dans le cadre d'un modèle simple de diffusion de l'hydrogène sous champ électrique.
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Cette étude traite de la modélisation du fonctionnement d'un réacteur industriel continu de dépôt en phase vapeur à pression atmosphérique (APCVD). Cet appareil est utilisé dans l'industrie micro-électronique pour déposer des couches minces de dioxyde de silicium, pur ou dopé aux oxydes de bore et/ou de phosphore. Le modèle combine les équations régissant l'hydrodynamique des gaz, le transfert thermique, le transfert de matière, et les vitesses de réactions chimiques des différentes espèces ; il utilise comme base le logiciel commercial ESTET. Les depôts de dioxyde de silicium pur sont réalisés à partir de mélanges de tétraéthoxylane (TEOS) et d'ozone, dilués dans l'azote. Dans ce cas, le modèle exploite un schéma chimique proposé par des chercheurs antérieurs, mais qui a dû être repris et perfectionné, jusqu'à ce que le modèle reproduise convenablement les données expérimentales. Une fois qu'il a été mis au point, le modèle a été exploité pour déterminer l'influence des paramètres principaux du procédé. Cette étude a permis de déterminer d'intéressantes possibilités d'augmentation de la productivité du réacteur et d'amélioration de la qualité des dépôts ; ces propositions devront être confirmées par des essais industriels.
Author: Lise Layeillon
Author: Lise Layeillon
Author: Abdelatif Djelloul
Author: Alain Dollet
Author: LUCIEN.. DATE
Author: Setijo.. Bismo
Author: Hubert Caquineau
Author: Roca i Cabarrocas, Pere
Author: Olivier Leroy (cardiologue).)
Author: Fadila Larbi
Author: Jean-Pierre Nieto