Transistor À Effet De Champ À Nanotubes De Carbone PDF Download
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Author: Fouad Sabry Publisher: One Billion Knowledgeable ISBN: Category : Technology & Engineering Languages : fr Pages : 541
Book Description
Qu'est-ce qu'un transistor à effet de champ à nanotube de carbone Un transistor à effet de champ à nanotube de carbone, également connu sous le nom de CNTFET, est une sorte de transistor à effet de champ qui utilise un nanotube de carbone unique ou un réseau de nanotubes de carbone comme matériau de canal à la place du silicium en vrac, comme cela se fait dans la construction MOSFET conventionnelle. Depuis leur première exposition en 1998, la technologie CNTFET a connu des avancées significatives. Comment vous en bénéficierez (I) Insights et validations sur les sujets suivants : Chapitre 1 : Transistor à effet de champ à nanotube de carbone Chapitre 2 : Nanotube de carbone Chapitre 3 : JFET Chapitre 4 : Barrière Schottky Chapitre 5 : Mobilité électronique Chapitre 6 : Systèmes nanoélectromécaniques Chapitre 7 : Tension de seuil Chapitre 8 : Transistor à effet de champ organique Chapitre 9 : Conduction balistique Chapitre 10 : Cellule solaire hybride Chapitre 11 : Applications potentielles des nanotubes de carbone Chapitre 12 : Les nanotubes de carbone dans le photovoltaïque Chapitre 13 : Propriétés optiques des nanotubes de carbone Chapitre 14 : Nanomoteur à nanotubes de carbone Chapitre 15 : NanoIntegris Chapitre 16 : Conduction balistique dans les nanotubes de carbone à simple paroi Chapitre 17 : Transistor à effet de champ tunnel Chapitre 18 : Tran à effet de champ sistor Chapitre 19 : Nanotubes de carbone dans les interconnexions Chapitre 20 : Synthèse de nanotubes de carbone Chapitre 21 : Réseaux de nanotubes de carbone alignés verticalement (II) Répondre aux principales questions du public sur les transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. (III) Exemples concrets d'utilisation du transistor à effet de champ à nanotubes de carbone dans de nombreux domaines. ( IV) 17 annexes pour expliquer, brièvement, 266 technologies émergentes dans chaque industrie pour avoir une compréhension complète à 360 degrés des technologies des transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. À qui ce livre est destiné Professionnels, étudiants de premier cycle et diplômés, passionnés, amateurs et ceux qui veulent aller au-delà des connaissances ou des informations de base pour tout type de transistor à effet de champ à nanotubes de carbone.
Author: Fouad Sabry Publisher: One Billion Knowledgeable ISBN: Category : Technology & Engineering Languages : fr Pages : 541
Book Description
Qu'est-ce qu'un transistor à effet de champ à nanotube de carbone Un transistor à effet de champ à nanotube de carbone, également connu sous le nom de CNTFET, est une sorte de transistor à effet de champ qui utilise un nanotube de carbone unique ou un réseau de nanotubes de carbone comme matériau de canal à la place du silicium en vrac, comme cela se fait dans la construction MOSFET conventionnelle. Depuis leur première exposition en 1998, la technologie CNTFET a connu des avancées significatives. Comment vous en bénéficierez (I) Insights et validations sur les sujets suivants : Chapitre 1 : Transistor à effet de champ à nanotube de carbone Chapitre 2 : Nanotube de carbone Chapitre 3 : JFET Chapitre 4 : Barrière Schottky Chapitre 5 : Mobilité électronique Chapitre 6 : Systèmes nanoélectromécaniques Chapitre 7 : Tension de seuil Chapitre 8 : Transistor à effet de champ organique Chapitre 9 : Conduction balistique Chapitre 10 : Cellule solaire hybride Chapitre 11 : Applications potentielles des nanotubes de carbone Chapitre 12 : Les nanotubes de carbone dans le photovoltaïque Chapitre 13 : Propriétés optiques des nanotubes de carbone Chapitre 14 : Nanomoteur à nanotubes de carbone Chapitre 15 : NanoIntegris Chapitre 16 : Conduction balistique dans les nanotubes de carbone à simple paroi Chapitre 17 : Transistor à effet de champ tunnel Chapitre 18 : Tran à effet de champ sistor Chapitre 19 : Nanotubes de carbone dans les interconnexions Chapitre 20 : Synthèse de nanotubes de carbone Chapitre 21 : Réseaux de nanotubes de carbone alignés verticalement (II) Répondre aux principales questions du public sur les transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. (III) Exemples concrets d'utilisation du transistor à effet de champ à nanotubes de carbone dans de nombreux domaines. ( IV) 17 annexes pour expliquer, brièvement, 266 technologies émergentes dans chaque industrie pour avoir une compréhension complète à 360 degrés des technologies des transistors à effet de champ à nanotubes de carbone. À qui ce livre est destiné Professionnels, étudiants de premier cycle et diplômés, passionnés, amateurs et ceux qui veulent aller au-delà des connaissances ou des informations de base pour tout type de transistor à effet de champ à nanotubes de carbone.
Author: Balwinder Raj Publisher: Engineering Science Reference ISBN: 9781799813941 Category : Carbon nanotubes Languages : en Pages :
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"This book explores the methods and applications of converting semiconductor devices from micron technology to nanotechnology. It also examines existing CNTs, CNTFETs, and their applications and examines practical applications to minimize short channel effects and power dissipation in nanoscale devices and circuits" --
Author: K. Sridharan Publisher: Springer Nature ISBN: 3030506991 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 122
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This book introduces readers to the emerging carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET) technology, and examines the problem of designing efficient arithmetic circuits in CNTFET technology. Observing that CNTFETs make it possible to achieve two distinct threshold voltages merely by altering the diameter of the carbon nanotube used, the book begins by discussing the design of basic ternary logic elements. It then examines efficient CNTFET-based design of single and multiple ternary digit adders by judicious choice of unary operators in ternary logic, as well as the design of a ternary multiplier in CNTFET technology, and presents detailed simulation results in HSPICE. Lastly, the book outlines a procedure for automating the synthesis process and provides sample code in Python.
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Pour continuer la course à la miniaturisation des composants microélectronique, les nanotubes de carbone (NTC) se présentent comme une alternative potentielle au Silicium en tant que canal de conduction dans les transistors à effet de champ (CNTFET). Afin de comprendre le fonctionnement du CNTFET, ce travail présente un ensemble de simulations physiques de type Monte-Carlo permettant une description fine du transport de charges. Ce travail est basé sur le simulateur particulaire MONACO qui a été adapté aux propriétés spécifiques des NTC. Il commence par une étude détaillée du transport électronique dans les NTC semi-conducteurs mono-feuillet. L’importance des différents mécanismes d’interaction électron-phonon et leur impact sur les propriétés de transport sont plus particulièrement analysés. Les libres parcours moyens obtenus sont dépendants du champ électrique : suivant les phonons dominants: ils sont supérieurs à 100 nm à faible champ et inférieurs à 20 nm à fort champ. La simulation d’un CNTFET à grille cylindrique et à contacts ohmiques est ensuite proposée en vu de dimensionner le transistor pour des applications numériques et analogiques. L’influence du contrôle électrostatique, du transport balistique et de la capacité quantique sur le fonctionnement et les performances du transistor est analysée et validée par des travaux expérimentaux. Enfin, les performances dynamiques du transistor à nanotube sont évaluées à partir de facteurs de mérite pertinents définis, d’une part, pour des applications numériques et, d’autre part, pour des applications analogiques haute fréquence pour lesquelles des valeurs de fréquence de transition supérieures au THz sont obtenues.
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Cette thèse, effectuée au LPA par Julien Chaste, présente l’analyse dynamique d’un transistor à effet de champ en nanotube de carbone (NT-FET) dans la perspective de mesurer la résolution de charge δqrms du NT-FET. La quantification des électrons dans le nanotube joue un rôle sur la limitation de la conductance, de la transconductance gm, de la capacité de grille Cg et en particulier sur la limitation de la fréquence de coupure ωt=gm/Cg par l’inductance cinétique du canal. Les deux montages expérimentaux, l’un à 300K et l’autre à 4K, ainsi que la fabrication des NT-FET ont intégré des solutions efficaces au problème de désadaptation d’impédance et ont permis de mesurer la transmission entre 0,1 et 1,6GHz ainsi que gm,Cg et ωt. Des fréquences ωt =50GHz ont même été mesurées. De plus, la coloration du bruit (0,2-0,8GHz) du transistor à 4K a été déterminée. Le bruit mesuré en mode ouvert est d'origine poissonienne (F=1) et montre des effets de saturation dues aux phonons optiques.L’ensemble de ce travail a prouvé que le δqrms du NT-FET est suffisant pour détecter des charges uniques en une nanoseconde
Author: Grégory Schmidt Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages : 185
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The manuscript presents my work concerning the making and the study of a nanotube/photosynthetic protein bio-hybrids for optoelectronic applications. Indeed, photosynthetic proteins are super dyes with optoelectronic properties optimized by nature. So, we decided to check the possibility of protein integration in electronic device using carbon nanotubes as a nano-probe. During our work, the problem of making efficient carbon nanotubes field-effect transistors (CNTFETs) appeared. To solve this problem, we chose to enhance transistor performance using functionalisation by diazonium that is selective for metallic but not enough for sorting proposes. In the aim of increasing the selectivity, we decided to study the coupling mechanism which was unknown. Using kinetic studies, we showed that the reaction proceeds through a chain mechanism. In particular, the origin of the reaction selectivity was precisely determined and our work paves the way for selectivity improvement. Then, we improved the reaction selectivity using a Lewis base. Indeed, this addition increases dramatically the reaction selectivity for metallic nanotubes. Using this method, we realized efficient CNTFETs in high-volume. Promising results in the photosensitization of nanotubes by photosynthetic proteins were obtained. Indeed, we observed that the photo-induced dipolar moment created in proteins changed the electrical characteristics of CNTFET. The protein performance allowed increasing the optical sensitivity of the device. In particular, the protein activity proved robust in spite of protein fragility. Finally, this thesis opens the way to the protein integration in electronic or photovoltaic devices
Author: Fouad Sabry Publisher: One Billion Knowledgeable ISBN: Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 500
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What Is Carbon Nanotube Field Effect Transistor A carbon nanotube field-effect transistor, also known as a CNTFET, is a kind of field-effect transistor that makes use of a single carbon nanotube or an array of carbon nanotubes as the channel material in place of bulk silicon, as is done in the conventional MOSFET construction. Since they were first exhibited in 1998, there have been significant advancements in CNTFET technology. How You Will Benefit (I) Insights, and validations about the following topics: Chapter 1: Carbon nanotube field-effect transistor Chapter 2: Carbon nanotube Chapter 3: JFET Chapter 4: Schottky barrier Chapter 5: Electron mobility Chapter 6: Nanoelectromechanical systems Chapter 7: Threshold voltage Chapter 8: Organic field-effect transistor Chapter 9: Ballistic conduction Chapter 10: Hybrid solar cell Chapter 11: Potential applications of carbon nanotubes Chapter 12: Carbon nanotubes in photovoltaics Chapter 13: Optical properties of carbon nanotubes Chapter 14: Carbon nanotube nanomotor Chapter 15: NanoIntegris Chapter 16: Ballistic conduction in single-walled carbon nanotubes Chapter 17: Tunnel field-effect transistor Chapter 18: Field-effect transistor Chapter 19: Carbon nanotubes in interconnects Chapter 20: Synthesis of carbon nanotubes Chapter 21: Vertically aligned carbon nanotube arrays (II) Answering the public top questions about carbon nanotube field effect transistor. (III) Real world examples for the usage of carbon nanotube field effect transistor in many fields. (IV) 17 appendices to explain, briefly, 266 emerging technologies in each industry to have 360-degree full understanding of carbon nanotube field effect transistor' technologies. Who This Book Is For Professionals, undergraduate and graduate students, enthusiasts, hobbyists, and those who want to go beyond basic knowledge or information for any kind of carbon nanotube field effect transistor.
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Les nanotubes de carbone sont de très bons candidats pour l'électronique moléculaire de par leurs propriétés éléctroniques exceptionnelles. Cette thèse propose une technique de fabrication de dispositifs à nanotubes de carbone par auto-assemblage par dépôt chimique en phase vapeur assisté d'un filament chaud (HFCVD). Cette technique permet la synthèse de nanotubes monoparois d'une grande pureté cristalline ainsi que leur auto-assemblage sur des motifs prélithographiés. Les nanotubes obtenus peuvent donc être localisés de façon contrôlée en des sites pré-définis, voire suspendus entre les motifs. De plus, leur connexion électrique est obtenue directement pendant leur synthèse, ce qui permet la réalisation, compatible avec une intégration à grande échelle, de circuits électriques opérationnels sans traitement après croissance. Ces circuits se comportent comme des transistors à effet de champ à nanotubes (CNFET) ambipolaires à l'air. Leurs caractéristiques mettent en évidence l'influence des barrières Schottky à l'interface entre le nanotube et l'électrode métallique. La nature de ce contact nanotube-métal s'est révélée primordiale pour les caractéristiques du transistor. Nous avons observé la sensibilité des CNFET à la composition de leur environnement local, et notamment aux transferts de charges avec les pièges au voisinage direct du nanotube. Le contrôle de ces tranferts de charges nous a permis de réaliser à un électron qui démontre l'extrême sensibilité de détection de charge des CNFET. Enfin, nous avons sondé les états excités intramoléculaires de points quantiques le long des nanotubes dans les régimes de blocage de Coulomb et de confinement quantique.
Author: Ashok Srivastava Publisher: Pan Stanford ISBN: 9789814613101 Category : Science Languages : en Pages : 0
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Discovery of one-dimensional material carbon nanotubes in 1991 by the Japanese physicist Dr. Sumio Iijima has resulted in voluminous research in the field of carbon nanotubes for numerous applications, including possible replacement of silicon used in the fabrication of CMOS chips. One interesting feature of carbon nanotubes is that these can be metallic or semiconducting with a bandgap depending on their diameter. In search of non-classical devices and related technologies, both carbon nanotube-based field-effect transistors and metallic carbon nanotube interconnects are being explored extensively for emerging logic devices and very large-scale integration. Although various models for carbon nanotube-based transistors and interconnects have been proposed in the literature, an integrated approach to make them compatible with the present simulators is yet to be achieved. This book makes an attempt in this direction for the carbon-based electronics through fundamentals of solid-state physics and devices.
Author: Fouad Sabry
Author: Fouad Sabry
Author: 
Author: Balwinder Raj
Author: K. Sridharan
Author: Hugues Cazin d'Honincthun
Author: Julien Chaste
Author: Grégory Schmidt
Author: Fouad Sabry
Author: Lae͏̈titia Marty
Author: Ashok Srivastava