Transistor à effet de champ à hétérojonction et à gaz d'électron à l'interface GaAs/GaAlAs PDF Download

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Transistor à effet de champ à hétérojonction et à gaz d'électron à l'interface GaAs/GaAlAs

Transistor à effet de champ à hétérojonction et à gaz d'électron à l'interface GaAs/GaAlAs PDF Author: Djamel Kendil
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Book Description
CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE ET LA REALISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET A GAZ D'ELECTRON A L'INTERFACE GAAS-GAALAS. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SONT ASSOCIES AUX PHOTODETECTEURS. APRES UN BREF APPEL SUR LES DIFFERENTES STRUCTURES REALISEES SUR CE MATERIAU, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UN NOUVEAU DISPOSITIF FORME D'UNE BARRIERE DE POTENTIEL. CE DISPOSITIF CONSTITUE PAR DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUES S'ASSOCIE CONVENABLEMENT A UN PHOTOCONDUCTEUR. DANS LE DOMAINE DE LA DETECTION DEUX INTEGRATIONS MONOLITHIQUES ONT ETE REALISEES. LA PREMIERE ASSOCIE UNE PHOTODIODE GAAS A UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS, LA DEUXIEME COMPORTE UN PHOTOCONDUCTEUR INTERDIGITE CDTE ET UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS. LES DEUX DISPOSITIFS SONT REALISES SUR UN MEME SUBSTRAT GAAS SEMI-ISOLANT. LA FABRICATION DU TEC A HETEROJONCTION EST ORGANISEE A PARTIR DE LA TECHNIQUE DE L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION EST DETAILLEE ET LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES DISPOSITIFS IDENTIFIEES. UN GAIN EN COURANT DE 15 ET DES COURANTS INVERSES DE L'ORDRE DE 1 NA POUR LE DISPOSITIF PN-TEC SONT OBTENUS. UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION A REGIONS GAAS ET GAALAS NON DOPEES EST REALISE. LA FORMATION D'UN GAZ BIDIMENSIONNEL D'ELECTRONS A L'INTERFACE DES DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUE EST OBTENUE. LE DISPOSITIF A MONTRE UNE TRANSCONDUCTANCE DE 25 MS/MM

Transistor à effet de champ à hétérojonction et à gaz d'électron à l'interface GaAs/GaAlAs

Transistor à effet de champ à hétérojonction et à gaz d'électron à l'interface GaAs/GaAlAs PDF Author: Djamel Kendil
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CE MEMOIRE CONCERNE L'ETUDE ET LA REALISATION DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION ET A GAZ D'ELECTRON A L'INTERFACE GAAS-GAALAS. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP SONT ASSOCIES AUX PHOTODETECTEURS. APRES UN BREF APPEL SUR LES DIFFERENTES STRUCTURES REALISEES SUR CE MATERIAU, NOUS NOUS SOMMES INTERESSES A UN NOUVEAU DISPOSITIF FORME D'UNE BARRIERE DE POTENTIEL. CE DISPOSITIF CONSTITUE PAR DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUES S'ASSOCIE CONVENABLEMENT A UN PHOTOCONDUCTEUR. DANS LE DOMAINE DE LA DETECTION DEUX INTEGRATIONS MONOLITHIQUES ONT ETE REALISEES. LA PREMIERE ASSOCIE UNE PHOTODIODE GAAS A UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS, LA DEUXIEME COMPORTE UN PHOTOCONDUCTEUR INTERDIGITE CDTE ET UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP GAAS/GAALAS. LES DEUX DISPOSITIFS SONT REALISES SUR UN MEME SUBSTRAT GAAS SEMI-ISOLANT. LA FABRICATION DU TEC A HETEROJONCTION EST ORGANISEE A PARTIR DE LA TECHNIQUE DE L'EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE. LA TECHNOLOGIE DE FABRICATION EST DETAILLEE ET LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION DES DISPOSITIFS IDENTIFIEES. UN GAIN EN COURANT DE 15 ET DES COURANTS INVERSES DE L'ORDRE DE 1 NA POUR LE DISPOSITIF PN-TEC SONT OBTENUS. UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A HETEROJONCTION A REGIONS GAAS ET GAALAS NON DOPEES EST REALISE. LA FORMATION D'UN GAZ BIDIMENSIONNEL D'ELECTRONS A L'INTERFACE DES DEUX COUCHES GAAS ET GAALAS INTRINSEQUE EST OBTENUE. LE DISPOSITIF A MONTRE UNE TRANSCONDUCTANCE DE 25 MS/MM

Transistor a effet de champ a heterojonction et a gaz d'electron a l'interface GaAs-GaAlAs : application a la detection

Transistor a effet de champ a heterojonction et a gaz d'electron a l'interface GaAs-GaAlAs : application a la detection PDF Author: Djamel Kendil
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Modulation-doped Field-effect Transistors

Modulation-doped Field-effect Transistors PDF Author: Heinrich Daembkes
Publisher: Institute of Electrical & Electronics Engineers(IEEE)
ISBN:
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 544

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ZnO Thin Films

ZnO Thin Films PDF Author: Paolo Mele
Publisher:
ISBN: 9781536160864
Category : Zinc oxide thin films
Languages : en
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Book Description
Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.