SCIENCE DES MATERIAUX ET TECHNIQUES DU REACTEUR DANS LE DEPOT PAR PROCEDE PLASMA RF DE PHOTOPILES ET D'AUTRES DISPOSITIFS EN SILICIUM AMORPHE HYDROGENE PDF Download
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Author: Roca i Cabarrocas, Pere Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
Book Description
PROCEDE DE FABRICATION DE A-SI:H DANS UN REACTEUR MULTIPLASMA-MONOCHAMBRE. ETUDE PHYSICOCHIMIQUE DU PLASMA DE SILANE. CARACTERISATION DU A-SI:H PRODUIT ET CORRELATIONS ENTRE LES CONDITIONS DE PREPARATION ET LES PROPRIETES DU MATERIAU. PRODUCTION ET CARACTERISATION DU MATERIAU DOPE. CARACTERISATION DES CELLULES SOLAIRES P-I-N FABRIQUEES DANS LE REACTEUR ARCAM, AVEC DES RENDEMENTS DE 8,5% POUR DES STRUCTURES NON OPTIMISEES
Author: Roca i Cabarrocas, Pere Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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PROCEDE DE FABRICATION DE A-SI:H DANS UN REACTEUR MULTIPLASMA-MONOCHAMBRE. ETUDE PHYSICOCHIMIQUE DU PLASMA DE SILANE. CARACTERISATION DU A-SI:H PRODUIT ET CORRELATIONS ENTRE LES CONDITIONS DE PREPARATION ET LES PROPRIETES DU MATERIAU. PRODUCTION ET CARACTERISATION DU MATERIAU DOPE. CARACTERISATION DES CELLULES SOLAIRES P-I-N FABRIQUEES DANS LE REACTEUR ARCAM, AVEC DES RENDEMENTS DE 8,5% POUR DES STRUCTURES NON OPTIMISEES
Author: Lise Layeillon Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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LE DEPOT DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTE PAR PLASMA (PECVD) A PARTIR DU SILANE EST UN PROCEDE COURAMMENT EMPLOYE POUR LA FABRICATION DE CELLULES PHOTOVOLTAIQUES, D'ECRANS PLATS DE VISUALISATION, OU DE DETECTEURS DIVERS. MALGRE L'EXISTENCE DE NOMBREUX TRAVAUX CONCERNANT L'ANALYSE DE PHENOMENES PARTICULIERS ELECTRIQUES OU CHIMIQUES DANS CES DECHARGES, AUCUNE ETUDE COMPLETE DU COMPORTEMENT DE REACTEURS INDUSTRIELS, INTEGRANT EN PARTICULIER L'EXAMEN DES PHENOMENES DE TRANSPORT, N'AVAIT ETE ENTREPRISE JUSQU'A PRESENT. NOUS AVONS DONC DEMARRE DE TELS TRAVAUX DANS LE CADRE D'UNE ACTION DE RECHERCHE COORDONNEE DU CNRS, EN VUE D'ELABORER UN MODELE DE SIMULATION LOCAL ET BIDIMENSIONNEL, TRES DETAILLE, QUI NOUS A PERMIS DE DETERMINER LES PROFILS DE VITESSE, DE CONCENTRATION DES ESPECES GAZEUSES ET LES VITESSES DE DEPOT DANS UN REACTEUR DE GEOMETRIE CLASSIQUE. AU VU DES PREMIERS RESULTATS, NOUS AVONS PU SIMPLIFIER CE LOGICIEL, AFIN D'OBTENIR UN OUTIL D'UTILISATION PLUS RAPIDE. IL NOUS A AINSI ETE POSSIBLE D'EFFECTUER UNE ANALYSE NUMERIQUE SYSTEMATIQUE DES PROCESSUS CHIMIQUES MIS EN JEU DANS LA DECHARGE ET DE L'INFLUENCE DES DONNEES CINETIQUES CORRESPONDANTES. LA CONFRONTATION ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX, OBTENUS SUR UNE UNITE PILOTE, ET LES INFORMATIONS FOURNIES PAR L'EXPLOITATION DES LOGICIELS, A PERMIS D'ETABLIR LA QUALITE DES MODELES. NOUS AVONS PU, AINSI, AMELIORER LA CONNAISSANCE DU PROCEDE DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA, ET CONSTITUER DES LOGICIELS SUSCEPTIBLES D'ETRE UTILISES POUR OPTIMISER LES EXPLOITATIONS D'EQUIPEMENTS DE DEPOT
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL CONSISTE A ANALYSER PUIS A MODELISER LE PHENOMENE DE DEPOT DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE A PARTIR DE SILANE DANS DES REACTEURS A ACTIVATION PLASMA. L'ETUDE A TOUT PARTICULIEREMENT ETE CONSACREE AU DOMAINE DES PUISSANCES RF ELEVEES. ELLE DEMONTRE QUE, SI UNE CHIMIE ASSEZ SIMPLE PEUT ETRE UTILISEE POUR DES CONDITIONS DE FAIBLE PUISSANCE, IL N'EN EST PAS DE MEME POUR DES CONDITIONS DE PUISSANCE ELEVEE OU UN GRAND NOMBRE DE REACTIONS DOIT ETRE PRIS EN COMPTE. L'UTILISATION D'UN LOGICIEL RELATIVEMENT SIMPLIFIE, AFIN D'OBTENIR UN OUTIL DE SIMULATION D'UTILISATION COMMODE TOUT EN RESTANT PRECIS, NOUS A PERMIS D'EFFECTUER UNE ANALYSE NUMERIQUE SYSTEMATIQUE DES PROCESSUS CHIMIQUES MIS EN JEU DANS LA DECHARGE. LA CONFRONTATION ENTRE UN ENSEMBLE DE RESULTATS EXPERIMENTAUX, OBTENUS SUR UNE UNITE PILOTE, ET LES INFORMATIONS FOURNIES PAR L'EXPLOITATION DU LOGICIEL, NOUS A PERMIS D'ETABLIR LA QUALITE DU MODELE, ET DE TIRER UN ENSEMBLE DE CONCLUSIONS QUI AMELIORENT LA CONNAISSANCE DU PROCEDE DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA.
Author: Ahmed Belasri Publisher: Springer Nature ISBN: 9811554447 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: LUCIEN.. DATE Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 167
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DANS CE MEMOIRE, NOUS AVONS ETUDIE LE PROCEDE DE DEPOT D'OXYDE DE SILICIUM ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX N 2O/SIH 4. LE DEBIT DE N 2O ETANT TRES LARGEMENT SUPERIEUR A CELUI DE SIH 4 DANS LES MELANGES CONSIDERES, LA DECOMPOSITION DE N 2O DANS LE PLASMA A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE PRECISE. LES DONNEES PROVENANT DE LA LITTERATURE ET DE LA MODELISATION DE LA DECHARGE ONT PERMIS DE DEVELOPPER UN MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE QUI REPRODUIT LES RESULTATS EXPERIMENTAUX CONCERNANT LA CONSOMMATION DE N 2O ET LA PRODUCTION N 2 ET O 2, EN FONCTION DE LA DENSITE DE PUISSANCE. EN CE QUI CONCERNE LE PROCEDE N 2O/SIH 4, NOUS AVONS TOUT D'ABORD ETUDIE L'INFLUENCE DES PARAMETRES OPERATOIRES SUR LE PROFIL DES VITESSES DE DEPOT. NOUS AVONS OBSERVE UNE INHOMOGENEITE IMPORTANTE DES COUCHES SYNTHETISEES, QUAND LES GAZ REACTIFS SONT EPUISES RAPIDEMENT DES L'ENTREE DANS LE REACTEUR. MALGRE LA COMPLEXITE DES PHENOMENES MIS EN JEU AU COURS DU PROCESSUS DE DEPOT, LE MODELE DE TRANSFERT DE MATIERE A PERMIS DE REPRODUIRE DES RESULTATS EXPERIMENTAUX, EN CONSIDERANT QUE H 2SIO EST LE PRECURSEUR PRINCIPAL DE DEPOT. CONCERNANT LA CARACTERISATION PHYSICO-CHIMIQUE, LA SPECTROSCOPIE INFRAROUGE A MONTRE QUE C'EST AUX TEMPERATURES ELEVEES ET AVEC UNE DILUTION IMPORTANTE DE N 2O/SIH 4 PAR L'HELIUM QUE L'ON PARVIENT A AUGMENTER REELLEMENT LA DENSITE DE LIAISONS SI-O AU DETRIMENT DES LIAISONS OH. LA COMPOSITION DES COUCHES (O, SI, N) TRAITEE PAR LA MICROSONDE ELECTRONIQUE A REVELE UNE ABSENCE D'AZOTE, ET UN RAPPORT O/SI CROISSANT ET QUI TEND VERS 2, DE L'ENTREE VERS LA SORTIE DU REACTEUR. CONCERNANT LA CARACTERISATION ELECTRIQUE DES COUCHES D'OXYDE, NOUS AVONS MONTRE QUE L'AUGMENTATION DE LA TEMPERATURE DU DEPOT, DU RAPPORT DES DEBITS N 2O/SIH 4 ET DE DILUTION PAR L'HELIUM FAVORISENT UNE DIMINUTION DE LA DENSITE DE CHARGES PIEGEES ET D'ETATS D'INTERFACE LIEE A LA NATURE PHYSICO-CHIMIQUE DU MATERIAU.
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L'OBJECTIVE DE CETTE ETUDE EST L'ELABORATION D'UN DEPOT DE SILICIUM PAR PROJECTION DE PLASMA THERMIQUE RF SUR UN SUBSTRAT DESTINE A L'APPLICATION PHOTOVOLTAIQUE. DANS CE TRAVAIL, NOUS AVONS CORRELE LE ROLE JOUE PAR L'HYDROGENE INCLUS DANS LE MATERIAU (PASSIVATION LES LIAISONS PENDANTES ET LES POINTS DE RECOMBINAISONS ELECTRIQUES) ET LA PRODUCTION DES ETATS EXCITES DE L'HYDROGENE PAR LE PLASMA RF ARGON-HYDROGENE. PAR LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION NOUS AVONS IDENTIFIE LA PRESENCE DANS LE PLASMA DES ETATS EXCITES ELEVES DE L'HYDROGENE ATOMIQUE (JUSQU'A N = 8), LEUR DISTRIBUTION SPATIALE VARIE LORS DE L'AJOUT D'HELIUM DANS LE GAZ PLASMAGENE. CE PHENOMENE PERMET DE DOUBLER LA TENEUR EN HYDROGENE DANS LE SILICIUM MASSIF TRAITE PAR PLASMA AR+H 2+HE (4,42.10 1 5 AT.CM - 3) PAR RAPPORT AU PLASMA D'AR + H 2 (2,2.10 1 5 AT. CM - 3). CETTE TENEUR PEUT ATTEINDRE 10 1 9 AT.CM - 3 PAR L'INJECTION AXIALE DE LA POUDRE DE SILICIUM DANS LE JET PLASMA. LA MESURE DES TEMPS DE SEJOURS DE 10 MSEC A 30 MSEC DES PARTICULES DE SILICIUM EN VOL A ETE EFFECTUEE PAR LA TECHNIQUE D'ANEMOMETRIE LASER DOPPLER. AINSI LA VITESSE DES PARTICULES, ET LA DISTANCE DE PROJECTION DETERMINENT LE TAUX D'EVAPORATION DE SILICIUM ET LA MESURE DES DIAMETRES DES PARTICULES EN VOL VALIDE LE TRANSFERT DE MATIERE. LA CROISSANCE DE DEPOT EST LIEE AUX PROCESSUS DE TRANSFERT DE CHALEUR ET DE MATIERE PARTICULE/SUBSTRAT. UNE FAIBLE CONDUCTIVITE THERMIQUE DE SUBSTRAT COMME LA MULLITE CONSTITUE UNE BARRIERE THERMIQUE QUI PERMET UN REFROIDISSEMENT CONTROLE DES PARTICULES PROJETEES. LA CHALEUR APPORTEE PAR CES PARTICULES ABOUTIT A LA FORMATION SUR LE SUBSTRAT D'UNE GOUTTE LIQUIDE DONT LA CRISTALLISATION DIRECTIONNELLE DEBUTE LORS DE L'ARRET DE LA PROJECTION DES PARTICULES. LA PURIFICATION DU DEPOT MIS EN EVIDENCE PAR EDX, A EU LIEU PAR SEGREGATION DES IMPURETES DE LA PHASE SOLIDE VERS LA PHASE LIQUIDE, LA VITESSE DE DEPOT ATTEIGNANT 600-1500 M.H - 1 SELON LA TAILLE DES PARTICULES DE SILICIUM ET LA VITESSE DE PROJECTION.
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CETTE ETUDE VISE A UNE MEILLEURE COMPREHENSION DES DECHARGES MICROONDE (CREEES PAR ONDES DE SURFACE) ET RADIOFREQUENCE, UTILISEES POUR LES DEPOTS A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES MINCES DIELECTRIQUES. ELLE PERMET DE VALIDER LE CONCEPT DE REACTEUR A DOUBLE PLASMA POUR LES DEPOTS D'OXYDES ET DE NITRURES DE SILICIUM. ELLE COMPORTE DEUX ASPECTS DIFFERENTS FAISANT APPEL A LA PHYSICO-CHIMIE DES PLASMAS ET A LA SCIENCE DES MATERIAUX. UNE PREMIERE PARTIE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PLASMAS (MICROONDE ET/OU RADIOFREQUENCE) D'AR, D'O#2, D'AR-O#2 ET D'AR-HE-O#2 A DEUX POSITIONS DIFFERENTES DE LA DECHARGE. L'INTERFEROMETRIE MICROONDE ET LA SPECTROSCOPIE D'EMISSION OPTIQUE (TECHNIQUES D'AUTOABSORPTION ET D'ACTINOMETRIE) SONT UTILISEES POUR DETERMINER RESPECTIVEMENT LA DENSITE ELECTRONIQUE, LA DENSITE DES METASTABLES D'ARGON ET LA DENSITE D'OXYGENES ATOMIQUES. UNE DEUXIEME PARTIE EST CONSACREE D'UNE PART A L'ETUDE DES CONDITIONS DE DEPOT, D'AUTRE PART A L'ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES, CHIMIQUES ET STRUCTURELLES DES FILMS DEPOSES. NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE DIFFERENTS PARAMETRES COMME LA TEMPERATURE DE DEPOT, LA PUISSANCE MICROONDE, LES DIFFERENTS DEBITS DE GAZ OU LES DIFFERENTES DILUTIONS, AINSI QUE LES EFFETS DE COUPLAGE DES DEUX PLASMAS. LES COUCHES MINCES DEPOSEES ONT ETE ANALYSEES PAR ELLIPSOMETRIE UV-VISIBLE IN SITU, TRANSMISSION INFRAROUGE, MESURES NUCLEAIRES (ERDA, RBS), EDX ET ABSORPTION DANS L'UV LOINTAIN. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE LE ROLE DU BOMBARDEMENT IONIQUE ET LE FAIT QU'IL EST POSSIBLE DE REDUIRE LA QUANTITE D'HYDROGENE (SOUS FORME DE GROUPEMENT O-H) CONTENU DANS LES FILMS EN LES EXPOSANT A UNE ILLUMINATION UV
Author: Ming Fang Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 123
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CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET MICROCRISTALLIN (C-SI) A L'UTILISATION DES TECHNIQUES OPTIQUES IN SITU ET SPECTROSCOPIQUES (DE PROCHE INFRAROUGE A ULTRAVIOLET). NOUS AVONS DEVELOPPE LA LOI DE DISPERSION DIELECTRIQUE EN TENANT COMPTE DE LA STRUCTURE DES BANDES AU LIEU DU MODELE A DEUX NIVEAUX (SEUL OSCILLATEUR) UTILISE HABITUELLEMENT. NOUS AVONS MONTRE QU'IL N'Y A PAS DE DEPENDANCE AVEC L'EPAISSEUR DE STRUCTURE DE BANDE DE COUCHE TRES MINCE DU A-SI:H (SI L'EPAISSEUR D>500A). L'ETUDE EN TEMPS REEL DE LA STRUCTURE DU C-SI MONTRE QUE LA CROISSANCE DE C-SI SE PASSE EN TROIS PERIODES: LA NUCLEATION, LA FORMATION DE RUGOSITE DE SURFACE ET LA CROISSANCE INHOMOGENE. LA GRANDE POROSITE TROUVEE DANS CE MATERIAU EXPLIQUE PLUSIEURS OBSERVATIONS NON EXPLIQUEE PRECEDEMMENT. LES RESULTATS OBTENUS SUR L'ETUDE DES INTERFACES DU C-SI AVEC DIVERS SUBSTRATS SONT DIRECTEMENT UTILISABLES POUR LES APPLICATIONS PRATIQUES. LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM EN COUCHE MINCE SOULEVE DES PROBLEMES FONDAMENTAUX COMPLEXES. DE PLUS IL Y A AUSSI DES IMPLICATIONS PRATIQUES IMPORTANTES POUR L'INDUSTRIE OPTOELECTRONIQUE. DEPUIS 10 ANS, ON PENSE QUE C-SI EST DEPOSE EN CONDITION D'EQUILIBRE CHIMIQUE PARTIEL. EN VUE DE CERTAINES DIFFICULTES, NOUS AVONS PRESENTE NOTRE MODELE GRAVURE PREFERENTIELLE DE PHASE AMORPHE ET L'AVONS PROUVE AVEC UNE SERIE D'EXPERIENCES CRUCIALES. CETTE CONNAISSANCE NOUS PERMET DE MIEUX COMPRENDRE L'ORIGINE DU DESORDRE ET DE LA FORMATION DE DEFAUTS
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DANS CE TRAVAIL, DES MODELES NUMERIQUES ONT ETE DEVELOPPES POUR SIMULER LE COMPORTEMENT DE PLUSIEURS REACTEURS CLASSIQUES DE DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE. CES MODELES PRENNENT EN COMPTE LES PHENOMENES DISSOCIATIFS DUS A L'UTILISATION D'UNE DECHARGE, LES PHENOMENES DE TRANSFERT DE QUANTITE DE MOUVEMENT ET DE TRANSFERT DE MATIERE. LE PREMIER OBJECTIF DE L'AUTEUR A ETE DE REPRODUIRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX DANS DEUX TYPES DE REACTEURS DE CONCEPTION TRES DIFFERENTE, DANS LE CAS DU NITRURE DE SILICIUM DEPOSE A PARTIR DE SILANE ET D'AMMONIAC. POUR CELA, UN MECANISME CHIMIQUE COMPLEXE PRENANT NOTAMMENT EN CONSIDERATION UNE FAIBLE REACTIVITE DU RADICAL TRIAMINOSILYL ET L'ABSTRACTION D'HYDROGENE SUR LES ESPECES AMINOSILICIEES STABLES, A ETE ENVISAGE. L'ANALYSE DES RESULTATS DE MODELISATION MONTRE QUE LA CONSOMMATION DU SILANE ET SES CONSEQUENCES SUR LES TAUX DE PRODUCTION DES DIFFERENTES ESPECES RADICALAIRES JOUENT UN ROLE PREPONDERANT SUR LA VITESSE DE DEPOT ET LA COMPOSITION DU MATERIAU. UNE COMPARAISON DE PLUSIEURS REACTEURS A ETE ALORS EFFECTUEE. LES REACTEURS A INJECTION DISTRIBUEE ONT ETE MONTRES COMME OFFRANT LE MEILLEUR COMPROMIS ENTRE UNIFORMITE DES DEPOTS ET DE COMPOSITION, ALORS QUE POUR DES REACTEURS A INJECTION LOCALISEE, IL EST IMPOSSIBLE D'OBTENIR DES DEPOTS D'EPAISSEUR CONSTANTE ET DE COMPOSITION VOULUE. L'INFLUENCE DES DIMENSIONS DES REACTEURS A EGALEMENT ETE ANALYSEE. PAR AILLEURS, UNE ETUDE SUR LA CHIMIE DES DECHARGES DANS LES MELANGES SILANE-PROTOXYDE D'AZOTE POUR LE DEPOT DE SILICE A ETE INITIEE. DANS CE TRAVAIL, LA MODELISATION A ETE UTILISEE SOUS TOUS CES ASPECTS. ELLE A PERMIS LA DETERMINATION D'UN MECANISME CHIMIQUE, LA COMPREHENSION DES PROCESSUS GOUVERNANT LES PROCEDES, AINSI QUE L'AIDE A LA CONCEPTION ET A L'OPTIMISATION DES PROCEDES
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CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE
Author: Roca i Cabarrocas, Pere
Author: Roca i Cabarrocas, Pere
Author: Lise Layeillon
Author: Abdelatif Djelloul
Author: Ahmed Belasri
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Author: FADI.. KRAYEM
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