Author: Sylvain L.. DelagePublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 212
Book Description
REALISATION ET ETUDE DU TRANSISTOR A BASE METALLIQUE SILICIUM (DISILICIURE DE COBALT) SILICIUM OBTENU PAR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES
Author: Sylvain L.. DelageSilicon-Molecular Beam Epitaxy
Author: E. KasperPublisher: CRC Press
ISBN: 1351093517
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 302
Book Description
This subject is divided into two volumes. Volume I is on homoepitaxy with the necessary systems, techniques, and models for growth and dopant incorporation. Three chapters on homoepitaxy are followed by two chapters describing the different ways in which MBE may be applied to create insulator/Si stackings which may be used for three-dimensional circuits. The two remaining chapters in Volume I are devoted to device applications. The first three chapters of Volume II treat all aspects of heteroepitaxy with the exception of the epitaxial insulator/Si structures already treated in volume I.
Etude et réalisation du transistor à base perméable en technologie microélectronique silicium et évaluation en hyperfréquence
Author: Pascal LetourneauPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 117
Book Description
LE TRANSISTOR A BASE PERMEABLE (TBP) EST UN DISPOSITIF ELECTRONIQUE DONT LA PRINCIPALE CARACTERISTIQUE EST UNE BASE METALLIQUE ENTERREE DANS UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR. CETTE THESE PRESENTE LA PREMIERE REALISATION DE TBP SILICIUM ENTIEREMENT COMPATIBLE AVEC DES PROCEDES DE FABRICATION DE DISPOSITIF MOS (METLA-OXYDE-SEMICONDUCTEUR). CETTE COMPATIBILITE EST OBTENUE AU MOYEN D'UNE TECHNOLOGIE TRANCHEES. UN SILICIURE AUTOALIGNE EST UTILISE, FORMANT AVEC LE SEMI-CONDUCTEUR UN CONTACT DE TYPE SCHOTTKY (LA BASE), ET UN CONTACT OHMIQUE (L'EMETTEUR). LA PREMIERE GENERATION DE DISPOSITIFS DE LARGEUR DE GRILLE LEGEREMENT SUBMICRONIQUE, A PERMIS D'EFFECTEUR DES MESURES HYPERFREQUENCE QUI ONT DONNE DES FREQUENCES DE COUPURE DE L'ORDRE DU GHZ. NOUS AVONS ENSUITE DEFINI UNE SECONDE GENERATION DE TRANSISTORS, DE LARGEUR DE GRILLE EGALE A 0,3 M, ET DIRECTEMENT TESTABLES (EN STATIQUE ET EN DYNAMIQUE) SANS REPORT DE CONTACT. NOUS AVONS OBTENU UNE FREQUENCE MAXIMUM DE 3 GHZ, RESULTAT ESSENTIELLEMENT LIMITE PAR LA CAPACITE TRES IMPORTANTE DE LA DIODE BASE-COLLECTEDUR. CES MESURES PERMETTENT DE REMONTER AUX PARAMETRES DU DISPOSITIF INTRINSEQUE ET D'EXTRAPOLER UNE FREQUENCE MAXIMUM DE 26 GHZ
REALISATION ET ETUDE DU TRANSISTOR A BASE PERMEABLE EN TECHNOLOGIE SILICIUM
Author: Geneviève GlastrePublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 96
Book Description
LE TRANSISTOR A BASE PERMEABLE EST CONSTITUE D'UNE GRILLE METALLIQUE ENTERREE DANS UN MONOCRISTAL SEMICONDUCTEUR. MAIS POUR QUE CE TRANSISTOR DEVIENNENT INTERESSANT D'UN POINT DE VUE PERFORMANCE, IL FAUT QUE LES DISTANCES ENTRE LES DOIGTS METALLIQUES SOIENT INFERIEURES QU MICRON (SUBMICRON). DISCUSSION SUR LA FAISABILITE D'UN TEL DISPOSITIF ET DES TECHNIQUES LITHOGRAPHIQUES PERMETTANT DE LE REALISER.
Epitaxie par jets chimiques du silicium et du disiliciure de fer sur silicium
Author: Jean-Yves NatoliPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 242
Book Description
LE BUT DE CE TRAVAIL EST L'ELABORATION DU DISILICIURE DE FER BETA-FESI2 PAR LA TECHNIQUE D'EPITAXIE PAR JET CHIMIQUE. CE MATERIAU EST EN EFFET PROMETTEUR POUR L'OPTOELECTRONIQUE INTEGRE EN TECHNOLOGIE SILICIUM. CETTE ETUDE A ETE SEPAREE EN DEUX VOLETS: LE PREMIER S'INTERESSE A L'HOMOEPITAXIE DU SILICIUM ET LE SECOND A L'HETEROEPITAXIE DU SILICIURE DE FER SUR SILICIUM. L'HOMOEPITAXIE DU SILICIUM EFFECTUEE A PARTIR DU DISILANE (SI2H6) PERMET D'OBTENIR DES COUCHES DE QUALITE CRISTALLINE TRES SATISFAISANTE POUR DES TEMPERATURES RELATIVEMENT BASSES (
Optimisation de l'épitaxie sous jets moléculaires d'hétérostructures à base de GaN
Author: Nicolas BaronPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 262
Book Description
Des avancées significatives dans la synthèse des matériaux semiconducteurs à large bande interdite de la famille de GaN permettent aujourd’hui la réalisation de dispositifs optoélectroniques (diodes, lasers) mais aussi celle de dispositifs électroniques (transistor). L’absence de substrat natif GaN ou AlN a pour conséquence le recours à l’hétéroépitaxie sur des substrats de nature différente comme le silicium qui présente un grand intérêt de par son prix très compétitif, la taille des substrats disponibles et sa conductivité thermique. Néanmoins, les différences de paramètres de maille et de coefficients d’expansion thermique génèrent des défauts cristallins et des contraintes dans les matériaux élaborés qui peuvent, s’ils ne sont pas maîtrisés, dégrader les performances des dispositifs. Ce travail de thèse a porté sur la croissance par épitaxie par jets moléculaires (EJM) d’hétérostructures à base de GaN sur substrat Si(111) en vue de la réalisation de transistors à haute mobilité d’électrons (Al,Ga)N/GaN. Ce travail avait pour objectif l’identification des paramètres de croissance susceptibles d’avoir un impact notable sur la qualité structurale et électrique de la structure HEMT (High Electron Mobility Transistor), et notamment sur l’isolation électrique des couches tampon et le transport des électrons dans le canal. Nous montrerons l’impact notable de certains paramètres de la croissance sur la qualité structurale et électrique de la structure HEMT. Nous verrons comment la relaxation des contraintes est liée au dessin d’empilement des couches, à leurs conditions d’élaboration et à la densité de défauts.
Elaboration par épitaxie par jets moléculaires de dopage planaire silicium dans des couches de GaAs et GaAlAs
Author: Bertrand SplingartPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 192
Book Description
L'étude que nous présentons a pour objet la caractérisation du dopage planaire silicium dans les matériaux gaas et gaalas épitaxies par jets moléculaires pour la réalisation de transistors à effet de champ microondes. La réalisation du dopage planaire consiste à interrompre la croissance du matériau pendant le dépôt des éléments dopants. L'étude a permis de vérifier le confinement des impuretés silicium dans la couche. Dans ces conditions la caractérisation électrique en densité d'électrons et en mobilité a été effectuée. Des conditions de croissance ont été définies pour la réalisation de transistors à effet de champ (mesfet) et a hétérojonction (hemt). Les résultats obtenus ont montré l'intérêt du dopage planaire dans le cas de transistors à hétérojonction en prenant particulièrement en compte d'une part, les effets liés aux centres dx dans l'algaas et d'autre part, l'épaisseur de l'espaceur entre l'interface gaas/gaalas et le plan de dopage. Cette étude a montré dans certains cas la supériorité du plan de dopage par rapport au pulsé dopage dans une structure hemt. Ces résultats ont contribué à l'amélioration des conditions de réalisation des structures afin d'augmenter les performances des composants