Author: Pierre RosselPublisher:
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Languages : fr
Pages : 284
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Propriétés statistiques et dynamiques du transistor à effet de champ à grille isolée
Author: Pierre RosselPropriétés statiques et dynamiques du transistor à effet de champ à grille isolée
Author: Pierre Rossel (physicien.)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 280
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Propriétés statiques et dynamiques du transistor à effet de champ à grille isolée
Author: Pierre RosselPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 285
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ETUDE DES PROPRIETES STATISTIQUES DU TRANSISTOR MOS DANS LES DEUX MODES DE FONCTIONNEMENT CORRESPONDANT RESPECTIVEMENT AU REGIME NON PINCE, OU LA CONDITION D'UNIDIMENSIONNALITE EST RESPECTEE, ET AU REGIME DE SATURATION OU DE PINCEMENT, OU UNE ANALYSE BIDIMENSIONNELLE EST A PRIORI INDISPENSABLE. ETUDE DU COMPORTEMENT EN HAUTES FREQUENCES DU TRANSISTOR MOS: ANALYSE THEORIQUE DE LA ZONE ACTIVE DU COMPOSANT EN VUE DE DETERMINER LES ELEMENTS DE LA MATRICE ADMITTANCE "INTRINSEQUE", IDENTIFICATION ET CARACTERISATION DES ELEMENTS PARASITES ET SCHEMA EQUIVALENT GLOBAL. ANALYSE DE DIVERS CRITERES DE PERFORMANCE DU TRANSISTOR, EN PARTICULIER LE GAIN EN PUISSANCE AFIN DE DEFINIR LES METHODES D'UTILISATION OU DE CONCEPTION DES COMPOSANTS MOS DESTINES A L'AMPLIFICATION EN HAUTES FREQUENCES
Le Transistor hyperfréquence à effet de champ à grille métallique sur arséniure de gallium
Author: Jacques GraffeuilPublisher:
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Languages : fr
Pages : 231
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ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY SUR GAAS. ANALYSE DES PROPRIETES EN BRUITS DE CE DISPOSITIF ET DE LA COUCHE EPITAXIALE QUI EN REPRESENTE LE CONSTITUANT ESSENTIEL. LES RESULTATS OBTENUS REPONDENT A LA PLUPART DES BESOINS QUI AVAIENT MOTIVE CETTE ETUDE EN PARTICULIER: ETABLISSEMENT DES MODELES PERMETTANT DE SIMULER LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DYNAMIQUES ET EN BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS MESFET, DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE MESURE ADAPTEES A LA DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISANT LES PROPRIETES DES TRANSISTORS, APPLICATION DE CES RESULTATS A LA CONCEPTION ASSISTEE DES MESFET.
CONTRIBUTION A L'ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE DE GALLIUM A GRILLE SCHOTTKY
Author: Chérifa Azizi (auteur d'une thèse en sciences).)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 181
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ANALYSE DES PARAMETRES FONDAMENTAUX REGISSANT LE COMPORTEMENT STATIQUE. ETUDE DU COMPORTEMENT EXPERIMENTAL EN ZONE OHMIQUE ET EN ZONE SATUREE. MISE EN EVIDENCE D'UN PHENOMENE DE RELAXATION TRES BASSE FREQUENCE QUI AFFECTE NOTABLEMENT LA VALEUR DE LA CONDUCTANCE DE SORTIE. ETUDE DU COMPORTEMENT DU COMPOSANT EN TOUTES FREQUENCES. DETERMINATION THEORIQUE AU MOYEN DE L'INTEGRATION DES EQUATIONS DE TRANSPORT EN REGIME DYNAMIQUE DES ELEMENTS DE LA MATRICE ADMITTANCE ASSOCIES A LA ZONE ACTIVE DU CANAL DE CONDUCTION.
Étude des évolutions temporelles des caractéristiques des transistors à effet de champ à grille isolée
Author: Pierre RosselANALYSE DE CERTAINES PROPRIETES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GAZ BIDIMENSIONNEL D'ELECTRONS
Author: Jean-Marie DieudonnéPublisher:
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Languages : fr
Pages : 138
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UNE ETUDE NON EXHAUSTIVE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GAZ D'ELECTRONS BIDIMENSIONNEL (TEGFET, HEMT), FORME A L'INTERFACE D'UNE HETEROJONCTION GAALAS/GAAS, EST PRESENTEE. LA CONCENTRATION ELECTRONIQUE DU GAZ BIDIMENSIONNEL EST ETABLIE A PARTIR DE LA MODELISATION DE L'HETEROJONCTION ISOLEE. UN MODELE ANALYTIQUE DES CARACTERISTIQUES STATIQUES DU COMPOSANT EST PROPOSE. UNE ETUDE DU REGIME STATIQUE EN FONCTION DE L'ECLAIREMENT ET AUX BASSES TEMPERATURES MET EN EVIDENCE L'EFFET NEFASTE DE PIEGES DE TYPE DONNEUR (DX) DANS LA COUCHE DE GAALAS. UNE CARACTERISATION DYNAMIQUE DU TRANSISTOR METTANT EN OEUVRE UNE TECHNIQUE DE MESURE DES PARAMETRES S ET UN PROGRAMME D'EXTRACTION DES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT EST PROPOSEE. UNE COMPARAISON EST EFFECTUEE ENTRE LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU MESFET ET CELLES DU TEGFET AUX BASSES TEMPERATURES. LA MESURE DU BRUIT BASSE FREQUENCE REVELE UNE CORRELATION ENTRE LE NIVEAU DE BRUIT MESURE ET LES PERFORMANCES DYNAMIQUES DU TRANSISTOR REFROIDI. ENFIN, UNE EVOLUTION TECHNOLOGIQUE POSSIBLE DU COMPOSANT EST PRESENTEE
Propriétés statiques et dynamique du transistor métal-oxyde-semi-conducteur à double grille
Author: Michel BelmasPropriétés statiques et dynamiques d'un transistor bipolaire à collecteur réalisé par implantation haute énergie développé en technologie VLSI CMOS
Author: Arlette MartyPublisher:
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Languages : fr
Pages : 176
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CE TRAVAIL S'INSCRIT DANS LE CADRE DE L'ETUDE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE COMPATIBLE AVEC LA TECHNOLOGIE CMOS DU CENTRE NATIONAL D'ETUDES DES TELECOMMUNICATIONS DE MEYLAN. DANS UN PREMIER TEMPS, LA STRUCTURE DU COMPOSANT EST PRESENTEE: ELLE EST DERIVEE DE CELLE DU TRANSISTOR PMOS ET SA SPECIFICITE EST L'UTILISATION D'UN CAISSON DE PHOSPHORE IMPLANTE A HAUTE ENERGIE EN TANT QUE COLLECTEUR. NOUS DECRIVONS LES PROCEDURES ET LES OUTILS DE CARACTERISATION MIS EN JEU. APRES AVOIR EXPOSE LES EFFETS COLLECTEURS, NOUS PROCEDONS A UNE ETUDE APPROFONDIE DU COMPORTEMENT DU COLLECTEUR IMPLANTE A HAUTE ENERGIE AU MOYEN DE LA SIMULATION: LES MECANISMES PROVOQUANT LA DEGRADATION DES PERFORMANCES A FORT NIVEAU DE COURANT SONT MIS EN EVIDENCE. L'INFLUENCE DE LA SILICIURATION SUR LES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR EST ANALYSEE. A PARTIR DE MESURES STATIQUES, DYNAMIQUES ET DES RESULTATS OBTENUS SUR DES OSCILLATEURS EN ANNEAU ECL, NOUS DONNONS UNE EVALUATION DU DISPOSITIF POUR DEUX TYPES DE COLLECTEURS: UN COLLECTEUR CORRESPONDANT AU CAISSON DU PMOS ET UN COLLECTEUR PLUS FORTEMENT DOPE. CES PERFORMANCES SONT COMPAREES A CELLE DE TRANSISTORS DONT LE COLLECTEUR EST CONSTITUE D'UNE COUCHE ENTERREE ET D'UNE EPITAXIE. AINSI, NOUS MONTRONS QUE LA TECHNOLOGIE BICMOS DEVELOPPEE CORRESPOND A UN EXCELLENT COMPROMIS COUT-PERFORMANCE. ENFIN, L'INTEGRATION DU COMPOSANT DANS UN CIRCUIT UTILISABLE DANS LES TELECOMMUNICATIONS PROUVE QUE CETTE TECHNOLOGIE EST ADAPTEE AUX APPLICATIONS FONCTIONNANT JUSQU'A DES FREQUENCES DE QUELQUES GIGAHERTZ
Contribution à l'étude des propriétés dynamiques du transistor métal-oxyde-semiconducteur à canal vertical (V-MOS)
Author: Georges Guegan (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 224
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ANALYSE DES MECANISMES QUI REGISSENT LE FONCTIONNEMENT, STATISTIQUE ET DYNAMIQUE DU TRANSISTOR MOS A CANAL VERTICAL, QUI APPARTIENT A LA FAMILLE DES TRANSISTORS MOS DE PUISSANCE. ON DECRIT LES PRINCIPALES STRUCTURES MOS DE PUISSANCE REALISEES DANS LE MONDE, LEURS PARTICULARITES ET LEURS CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES. EQUATIONS DE FONCTIONNEMENT DE CE TYPE DE TRANSISTOR EN REGIME STATIQUE, ET PROPOSITION D'UN MODELE DYNAMIQUE, BASE SUR LA THEORIE DES CHARGES SUR LES ELECTRODES. ETUDE THEORIQUE ET EXPERIMENTALE DES PPTES FREQUENTIELLES DU TRANSISTOR VMOS. CARACTERISATION D'UN AMPLIFICATEUR LARGE BANDE UTILISANT CE COMPOSANT