Physique de dépôt par plasma et propriétés optiques de silicium amorphe et microcristallin PDF Download
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Author: Ming Fang Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 123
Book Description
CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET MICROCRISTALLIN (C-SI) A L'UTILISATION DES TECHNIQUES OPTIQUES IN SITU ET SPECTROSCOPIQUES (DE PROCHE INFRAROUGE A ULTRAVIOLET). NOUS AVONS DEVELOPPE LA LOI DE DISPERSION DIELECTRIQUE EN TENANT COMPTE DE LA STRUCTURE DES BANDES AU LIEU DU MODELE A DEUX NIVEAUX (SEUL OSCILLATEUR) UTILISE HABITUELLEMENT. NOUS AVONS MONTRE QU'IL N'Y A PAS DE DEPENDANCE AVEC L'EPAISSEUR DE STRUCTURE DE BANDE DE COUCHE TRES MINCE DU A-SI:H (SI L'EPAISSEUR D>500A). L'ETUDE EN TEMPS REEL DE LA STRUCTURE DU C-SI MONTRE QUE LA CROISSANCE DE C-SI SE PASSE EN TROIS PERIODES: LA NUCLEATION, LA FORMATION DE RUGOSITE DE SURFACE ET LA CROISSANCE INHOMOGENE. LA GRANDE POROSITE TROUVEE DANS CE MATERIAU EXPLIQUE PLUSIEURS OBSERVATIONS NON EXPLIQUEE PRECEDEMMENT. LES RESULTATS OBTENUS SUR L'ETUDE DES INTERFACES DU C-SI AVEC DIVERS SUBSTRATS SONT DIRECTEMENT UTILISABLES POUR LES APPLICATIONS PRATIQUES. LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM EN COUCHE MINCE SOULEVE DES PROBLEMES FONDAMENTAUX COMPLEXES. DE PLUS IL Y A AUSSI DES IMPLICATIONS PRATIQUES IMPORTANTES POUR L'INDUSTRIE OPTOELECTRONIQUE. DEPUIS 10 ANS, ON PENSE QUE C-SI EST DEPOSE EN CONDITION D'EQUILIBRE CHIMIQUE PARTIEL. EN VUE DE CERTAINES DIFFICULTES, NOUS AVONS PRESENTE NOTRE MODELE GRAVURE PREFERENTIELLE DE PHASE AMORPHE ET L'AVONS PROUVE AVEC UNE SERIE D'EXPERIENCES CRUCIALES. CETTE CONNAISSANCE NOUS PERMET DE MIEUX COMPRENDRE L'ORIGINE DU DESORDRE ET DE LA FORMATION DE DEFAUTS
Author: Ming Fang Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 123
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CETTE THESE EST CONSACREE A L'ETUDE DES PROPRIETES OPTIQUES ET LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM AMORPHE (A-SI:H) ET MICROCRISTALLIN (C-SI) A L'UTILISATION DES TECHNIQUES OPTIQUES IN SITU ET SPECTROSCOPIQUES (DE PROCHE INFRAROUGE A ULTRAVIOLET). NOUS AVONS DEVELOPPE LA LOI DE DISPERSION DIELECTRIQUE EN TENANT COMPTE DE LA STRUCTURE DES BANDES AU LIEU DU MODELE A DEUX NIVEAUX (SEUL OSCILLATEUR) UTILISE HABITUELLEMENT. NOUS AVONS MONTRE QU'IL N'Y A PAS DE DEPENDANCE AVEC L'EPAISSEUR DE STRUCTURE DE BANDE DE COUCHE TRES MINCE DU A-SI:H (SI L'EPAISSEUR D>500A). L'ETUDE EN TEMPS REEL DE LA STRUCTURE DU C-SI MONTRE QUE LA CROISSANCE DE C-SI SE PASSE EN TROIS PERIODES: LA NUCLEATION, LA FORMATION DE RUGOSITE DE SURFACE ET LA CROISSANCE INHOMOGENE. LA GRANDE POROSITE TROUVEE DANS CE MATERIAU EXPLIQUE PLUSIEURS OBSERVATIONS NON EXPLIQUEE PRECEDEMMENT. LES RESULTATS OBTENUS SUR L'ETUDE DES INTERFACES DU C-SI AVEC DIVERS SUBSTRATS SONT DIRECTEMENT UTILISABLES POUR LES APPLICATIONS PRATIQUES. LA PHYSIQUE DE DEPOT PAR PLASMA DU SILICIUM EN COUCHE MINCE SOULEVE DES PROBLEMES FONDAMENTAUX COMPLEXES. DE PLUS IL Y A AUSSI DES IMPLICATIONS PRATIQUES IMPORTANTES POUR L'INDUSTRIE OPTOELECTRONIQUE. DEPUIS 10 ANS, ON PENSE QUE C-SI EST DEPOSE EN CONDITION D'EQUILIBRE CHIMIQUE PARTIEL. EN VUE DE CERTAINES DIFFICULTES, NOUS AVONS PRESENTE NOTRE MODELE GRAVURE PREFERENTIELLE DE PHASE AMORPHE ET L'AVONS PROUVE AVEC UNE SERIE D'EXPERIENCES CRUCIALES. CETTE CONNAISSANCE NOUS PERMET DE MIEUX COMPRENDRE L'ORIGINE DU DESORDRE ET DE LA FORMATION DE DEFAUTS
Author: Jérôme Perrin (auteur d'une thèse de physique).) Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 419
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PROPRIETES PHYSICO-CHIMIQUES FONDAMENTALES ET REACTIONS ELEMENTAIRES DES ESPECES PRESENTES DANS UN PLASMA DE SILANE. ETUDE EXPERIMENTALE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DU PLASMA MULTIPOLAIRE ET MODELISATION DE L'EQUILIBRE DE LA DECHARGE. ANALYSE DE LA DECOMPOSITION CHIMIQUE DU PLASMA EN FONCTION DES CONDITIONS DE DECHARGE. ETUDE DES MECANISMES DE CROISSANCE DE LA COUCHE DE A-SI:H PAR ELLIPSOMETRIE ET ANALYSE DES PROPRIETES OPTIQUES, CHIMIQUES ET STRUCTURELLES
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EN ETABLISSANT DES CORRELATIONS ENTRE LES PROPRIETES SPECTROSCOPIQUES DES PLASMAS ET LES PROPRIETES PHYSIQUES DES COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE, OBTENUES PAR PULVERISATION CATHODIQUE ET PAR DISSOCIATION DU SILANE DANS UN PLASMA HE-SIH::(U), IL EST MONTRE LA POSSIBILITE D'OBTENIR UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR POSSEDANT LES PROPRIETES ELECTRONIQUES REQUISES A LA REALISATION D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN COUCHES MINCES
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CETTE THÈSE EST CONSACRÉE À L'ÉTUDE DES COUCHES EN SILICIUM MICROCRISTALLIN HYDROGÉNÉ ("micro"C-SI:H) PRÉPARÉES PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PAR FlLAMENT CHAUD (HWCVD) PROPOSÉ COMME UNE ALTERNATIVE À LA MÉTHODE CONVENTIONELLE DE DÉPÔT PAR PLASMA, AYANT POUR OBJECTIF L'OPTIMISATION DES PROPRIÉTÉS DES COUCHES POUR L'APPLICATION SUR CELLULES SOLAIRES. PROPRIÉTÉS PHYSIQUES DES COUCHES PRÉPARÉES UTILISANT SIH4 DILUÉ DANS H2 AVEC DIFFÉRENTES VALEURS DE DILUTION DH ONT ÉTÉ CARACTÉRISÉES PAR DIFFÉRENTES TECHNIQUES. PARTICULIÈREMENT, ANALYSE IN-SITU D'ELLIPROMÉTRIE INFRAROUGE A ÉTÉ, POUR LA PREMIÈRE FOIS, APPLIQUÉE A LA CROISSANCE DES COUCHES PAR HWCVD: ÉVOLUTION DE LA CONFIGURATION DES LIAISONS Sl-H A ÉTÉ CORRELÉE AVEC LES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. MEILLEURE LONGUEUR DE DIFFUSION DES PORTEURS A ÉTÉ OBTENUE POUR LES COUCHES EN "micro"C-SI:H PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES AMORPHE ET MICROCRISTALLINE: CECI PEUT ÉTRE DU AU RÉSEAU AMORPHE RELAXE QUI EST AMENÉ PAR RÉACTIONS DE RECONSTRUCTION INDUITES PAR DIFFUSION DES ATOMES H PENDANT LA CROISSANCE, ÉTANT SUGGÉRÉ PAR ANALYSES DES PROPRIÉTÉS STRUCTURALES. CEPENDANT, IL A ÉTÉ MONTRÉ QU'IL Y A UNE COUCHE D'INCUBATION AMORPHE ÉPAISSE FORMÉE AVANT LE NOYAUTAGE DES MICROCRISTAUX, QUI EMPÉCHE LE TRANSPORT ÉLECTRONIQUE DANS LA DIRECTION TRANSVERSALE DE CES COUCHES. DANS LE BUT D'AVOIR DES COUCHES EN "micro"C-Sl:H SANS COUCHE D'INCUBATION ET AVEC LES PROPRIÉTÉS FAVORABLES DE LA VOLUME ASSOCIÉES AUX COUCHES PROCHES DE LA TRANSITION DES PHASES, NOUS AVONS PROPOSE UN PROCÈDÉ DE DH VARIABLE TENANT COMPTE DES RÉSULTATS TRÉS POSITIFS GRÂCE AU PROCÉDÉ DE DH VARIABLE, DES COUCHES INTRINSÈQUES EN "micro"C-SI:H PRÉPARÉES PAR HWCVD ONT ÉTÉ APPLIQUÉES À LA FABRICATION DES CELLULES SOLAIRES. UN RENDEMENT DE 5,1 % OBTENU POUR DES CELLULES DE LA STRUCTURE N-l-P SUR SUBSTRAT EN VERRE A CONFIRMÉ UNE BONNE QUALITÉ DES COUCHES INTRINSÈQUES.LA VOIE POUR L'AMÉLIORATION DE LA PERFORMANCE DES CELLULES EST DlSCUTÉE EN CONSIDÉRATION DES RÉSULTATS.
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CE TRAVAIL CONCERNE LES DEPOTS DE NITRURE DE SILICIUM AMORPHE HYDROGENE ASSISTES PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, A PARTIR D'UN MELANGE GAZEUX SILANE ET AMMONIAC. L'INFLUENCE DES CONDITIONS OPERATOIRES, TELLES QUE LE RAPPORT DES DEBITS GAZEUX ET LA PUISSANCE, SUR LES PROPRIETES DU MATERIAU, A ETE ANALYSEE. LES CARACTERISTIQUES PHYSICO-CHIMIQUES DU MATERIAU ONT ETE TOUT D'ABORD ETUDIEES PAR SPECTROSCOPIE INFRAROUGE. LES SPECTRES INFRAROUGES OBTENUS PAR TRANSMISSION DIRECTE ET PAR REFLEXION, POUR DES ANGLES D'INCIDENCE DIFFERENTS ET POUR UNE LUMIERE POLARISEE PARALLELEMENT ET PERPENDICULAIREMENT, SUGGERENT UNE INTERACTION ANISOTROPIQUE FAISCEAU-ECHANTILLON, DUE PROBABLEMENT A DES MODES DE VIBRATION SUR UNE PETITE ECHELLE DE PHONONS: UN MODE PARALLELE LO (1040-1070 CM#-#1), UN MODE PARALLELE ET PERPENDICULAIRE TO (840 CM#-#1). LA SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS PAR RAYONS X ET LES ANALYSES OPTIQUES ONT DONNE DES INFORMATIONS SUR LA COMPOSITION ATOMIQUE ET L'ENVIRONNEMENT CHIMIQUE DANS LE MATERIAU. SOUS UN POURCENTAGE DE SILANE FAIBLE ET/OU SOUS FORTE PUISSANCE, IL APPARAIT QUE L'ON TROUVE PRINCIPALEMENT DES LIAISONS N(SI#3) ET EN MOINDRE QUANTITE DES LIAISONS N-H (H#XN-SI#3#-#X) DANS LES FILMS RICHES EN AZOTE. PAR CONTRE, DANS LES FILMS RICHES EN SILICIUM, ON TROUVE DES TETRAEDRES SI(N#4), DES LIAISONS SI-H ET SI-SI, CES DERNIERES PARAISSANT LIEES AU GAP OPTIQUE. LES PROPRIETES ELECTRIQUES DES FILMS ONT ETE ENSUITE DETERMINEES ET RELIEES AUX CARACTERISTIQUES PRECEDENTES. L'ETUDE DES DENSITES DE CHARGES PIEGEES DANS LE VOLUME DU MATERIAU, DES ETATS D'INTERFACE ET DES PERTES DIELECTRIQUES, A MONTRE QU'IL ETAIT POSSIBLE SOUS CERTAINES CONDITIONS DE SYNTHETISER UN DIELECTRIQUE POSSEDANT TRES PEU DE DEFAUTS. UN MODELE RELATIF AU PIEGEAGE DES CHARGES ET PRENANT EN COMPTE LES DIFFERENTS RESULTATS EXPERIMENTAUX ET BIBLIOGRAPHIQUES, A ETE DISCUTE. LE PROBLEME DE L'ORIGINE DES CHARGES A EGALEMENT ETE SOULEVE
Author: Ahmed Belasri Publisher: Springer Nature ISBN: 9811554447 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 659
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This book highlights peer reviewed articles from the 1st International Conference on Renewable Energy and Energy Conversion, ICREEC 2019, held at Oran in Algeria. It presents recent advances, brings together researchers and professionals in the area and presents a platform to exchange ideas and establish opportunities for a sustainable future. Topics covered in this proceedings, but not limited to, are photovoltaic systems, bioenergy, laser and plasma technology, fluid and flow for energy, software for energy and impact of energy on the environment.
Author: Paolo Mele Publisher: ISBN: 9781536160864 Category : Zinc oxide thin films Languages : en Pages : 0
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Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.
Author: Publisher: ISBN: Category : Nuclear energy Languages : en Pages : 1040
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NSA is a comprehensive collection of international nuclear science and technology literature for the period 1948 through 1976, pre-dating the prestigious INIS database, which began in 1970. NSA existed as a printed product (Volumes 1-33) initially, created by DOE's predecessor, the U.S. Atomic Energy Commission (AEC). NSA includes citations to scientific and technical reports from the AEC, the U.S. Energy Research and Development Administration and its contractors, plus other agencies and international organizations, universities, and industrial and research organizations. References to books, conference proceedings, papers, patents, dissertations, engineering drawings, and journal articles from worldwide sources are also included. Abstracts and full text are provided if available.
Author: M. Oberhofer Publisher: Springer Science & Business Media ISBN: 9780792312321 Category : Medical Languages : en Pages : 400
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Based on the Lectures given during the Ispra-Course held at the Centro de Formação Técnica, Lisbon, Portugal, October 23-27, 1989, in collaboration with the Laboratorio Nacional de Engenharia e Tecnologia
Author: Ming Fang
Author: Ming Fang
Author: Jérôme Perrin (auteur d'une thèse de physique).)
Author: YANNICK.. CHOUAN
Author: Chisato Niikura
Author: Gisèle Serrano
Author: Ahmed Belasri
Author: Paolo Mele
Author: 
Author: J. A. B. Gibson
Author: M. Oberhofer