Author: Michel CrosetPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 52
Book Description
Oxydation anodique du silicium. Etude des réactions aux électrodes. Propriétés et applications du système silicium-silice anodique
Author: Michel CrosetElectrochemistry of Silicon and Its Oxide
Author: Xiaoge Gregory ZhangPublisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 0306479214
Category : Science
Languages : en
Pages : 525
Book Description
It may be argued that silicon, carbon, hydrogen, oxygen, and iron are among the most important elements on our planet, because of their involvement in geological, biol- ical, and technological processes and phenomena. All of these elements have been studied exhaustively, and voluminous material is available on their properties. Included in this material are numerous accounts of their electrochemical properties, ranging from reviews to extensive monographs to encyclopedic discourses. This is certainly true for C, H, O, and Fe, but it is true to a much lesser extent for Si, except for the specific topic of semiconductor electrochemistry. Indeed, given the importance of the elect- chemical processing of silicon and the use of silicon in electrochemical devices (e. g. , sensors and photoelectrochemical cells), the lack of a comprehensive account of the electrochemistry of silicon in aqueous solution at the fundamental level is surprising and somewhat troubling. It is troubling in the sense that the non-photoelectrochemistry of silicon seems “to have fallen through the cracks,” with the result that some of the electrochemical properties of this element are not as well known as might be warranted by its importance in a modern technological society. Dr. Zhang’s book, Electrochemical Properties of Silicon and Its Oxide, will go a long way toward addressing this shortcoming. As with his earlier book on the elect- chemistry of zinc, the present book provides a comprehensive account of the elect- chemistry of silicon in aqueous solution.
The Surface Properties of Oxidized Silicon
Author: Else KooiPublisher: Springer
ISBN: 3662402106
Category : Science
Languages : en
Pages : 143
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Etude des proriétés électroniques de couches ultra minces de silice anodique
Author: Bécharia NadjiPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 148
Book Description
DES COUCHES ULTRA-MINCES DE SILICE ONT ETE PREPAREES PAR OXYDATION ANODIQUE DU SILICIUM DANS L'EAU PURE, A TEMPERATURE AMBIANTE. DES CAPACITES MOS METTANT EN JEU DE TELS OXYDES ONT ETE REALISEES EN UTILISANT LES TECHNIQUES CONVENTIONNELLES DE LA MICROELECTRONIQUE. AFIN D'ETUDIER LES PROPRIETES DE CES STRUCTURES ET L'INFLUENCE DE LA TEMPERATURE DE RECUIT, NOUS AVONS UTILISE LES DIFFERENTES TECHNIQUES DE CARACTERISATION TELLES QUE L'ANALYSE DES COURBES C(V) QUASI STATIQUE OU LA METHODE DE LA CONDUCTANCE. LES RESULTATS OBTENUS MONTRENT DE FACON CONVAINCANTE QUE L'OXYDATION ANODIQUE PERMET D'OBTENIR DES OXYDES MINCES AYANT DE BONNES PROPRIETES ELECTRIQUES A PARTIR DE 600#OC. AUX CHAMPS FORTS LA CONDUCTION EST DOMINEE PAR LE MECANISME TUNNEL DE FOWLER-NORDHEIM. LA VALEUR DE LA HAUTEUR DE BARRIERE A L'INTERFACE AL/SIO#2 OBTENUE APRES CORRECTION DE L'EFFET SCHOTTKY EST DE 3,1 EV. L'ETUDE DE LA VITESSE DE DISSOLUTION DE L'OXYDE ANODIQUE DANS HF A MIS EN EVIDENCE LA STRUCTURE POREUSE DES OXYDES ANODIQUES ET L'EFFET DE RESTRUCTURATION ET DENSIFICATION QUI ACCOMPAGNE LA PHASE DE RECUIT
CONTRIBUTION A L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. REALISATION DE COUCHES D'OXYDE MINCES ET ULTRA-MINCES POUR DES APPLICATIONS EN MOCROELECTRONIQUE
Author: AOMAR.. HALIMAOUIPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Book Description
CE TRAVAIL PORTE SUR L'ETUDE DE L'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ORGANIQUE ET EN MILIEU AQUEUX. LES PROPRIETES DES COUCHES D'OXYDE OBTENUES SONT ETUDIEES EN RELATION AVEC LES PARAMETRES PHYSICO-CHIMIQUES DE L'ELECTROLYSE ET EN VUE D'UNE APPLICATION EN MICROELECTRONIQUE. DANS LA PREMIERE PARTIE DE CE TRAVAIL, CONSACREE A L'OXYDATION EN MILIEU ORGANIQUE, LE CHOIX DE L'ACETRONITRILE, QUI EST UN SOLVANT NON OXYGENE, A PERMIS DE DETERMINER SANS AMBIGUITE LA NATURE DE L'AGENT OXYDANT. NOUS AVONS MONTRE QUE LE TRANSPORT IONIC, PENDANT L'ELECTROLYSE, A TRAVERS LA COUCHE D'OXYDE S'EFFECTUE PAR UN MECANISME DE CONDUCTION PAR SAUTS. LES COUCHES D'OXYDE OBTENUES EN MILIEU ORGANIQUE SONT SOUS CERTAINS ASPECTS COMPARABLES A CELLES OBTENUES PAR OXYDATION THERMIQUE. CEPENDANT, IL A ETE MIS EN EVIDENCE UNE FORTE DENSITE DE CHARGES FIXES ATTRIBUEE A LA CONTAMINATION DE L'OXYDE PAR LES PRODUITS D'OXYDATION ELECTROCHIMIQUE DU SOLVANT. LES 2EME ET 3EME PARTIES SONT CONSACREES A L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. APRES UNE ETUDE DU SYSTEME SILICIUM/SOLUTION, NOUS DISCUTONS, DANS LA 2EME PARTIE, LES MECANISMES MIS EN JEU PENDANT L'OXYDATION DU SILICIUM EN MILIEU AQUEUX. LA 3EME PARTIE EST CONSACREE A L'ELABORATION DE COUCHES D'OXYDE DANS L'EAU ULTRA PURE ET A LEUR CARACTERISATION. DES COUCHES TRES HOMOGENES, DANS LA GAMME 2 A 10 NM PEUVENT ETRE FACILEMENT OBTENUES. LEURS QUALITES SONT TOUT A FAIT CONFORMES A CELLES REQUISES PAR UN DIELECTRIQUE DE GRILLE EN MICROELECTRONIQUE
Etude de l'oxydation anodique du tantale, de l'aluminium et du silicium au moyen de la microanalyse par l'observation directe de réactions nucléaires
Author: Jean-Pierre NadaiOxydation du silicium poreux
Author: Jean-Jacques YonPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 134
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DES STRUCTURES SILICIUM SUR ISOLANT (SOI) PEUVENT ETRE OBTENUES A PARTIR DE SILICIUM POREUX A CONDITION DE CONTROLER L'OXYDATION THERMIQUE DU MATERIAU. CE MEMOIRE EST CONSACRE A L'ETUDE DE L'OXYDATION DU SILICIUM POREUX. CE TRAVAIL A PERMIS DE FIXER LES CONDITIONS EXPERIMENTALES CONDUISANT A LA FORMATION REPRODUCTIBLE DE COUCHES DE SILICIUM POREUX HOMOGENES. L'ETUDE DETAILLEE DE L'OXYDATION DE CE MATERIAU A PERMIS DE DEGAGER UN MECANISME PHENOMENOLOGIQUE QUI REND COMPTE DE LA TRANSFORMATION DU SILICIUM POREUX EN OXYDE AUX PROPRIETES IDENTIQUES A CELLES DE LA SILICE CLASSIQUE. LE MECANISME PROCEDE PAR UNE OXYDATION CHIMIQUE COUPLEE A UNE DENSIFICATION, TRES ACTIVEE EN TEMPERATURE, DE LA SILICE. CES RESULTATS ONT ETE APPLIQUES A LA REALISATION DE STRUCTURES SOI
Contribution a l'etude des mecanismes responsables de la dissolution anodique du silicium en milieu acide fluorhydrique aqueux
Author: Christophe SerrePublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 116
Book Description
CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'ETUDE DE LA DISSOLUTION ELECTROCHIMIQUE DU SILICIUM MONOCRISTALLIN EN MILIEU ACIDE FLUORHYDRIQUE. DANS UNE PREMIERE PARTIE BIBLIOGRAPHIQUE, NOUS DECRIVONS L'INTERFACE SILICIUM/ACIDE FLUORHYDRIQUE ET LES DIFFERENTS REGIMES DE DISSOLUTION ANODIQUE: SUIVANT LES CONDITIONS D'ANODISATION, LA DISSOLUTION PEUT SE PRODUIRE DE MANIERE LOCALISEE (SILICIUM POREUX) OU HOMOGENE (ELECTROPOLISSAGE). NOUS RAPPELONS ENSUITE LES MECANISMES PROPOSES DANS LA LITTERATURE, QUI SONT EXTREMEMENT COMPLEXES ET RESTENT TRES MAL CONNUS. NOUS PRESENTONS EN DEUXIEME PARTIE UNE ETUDE DE L'INFLUENCE DE LA COMPOSITION DE L'ELECTROLYTE ET DE L'INFLUENCE DU REGIME HYDRODYNAMIQUE SUR LES CARACTERISTIQUES COURANT-TENSION. CETTE ETUDE, RENDUE POSSIBLE GRACE A UNE ELECTRODE TOURNANTE ET UNE METHODE DE MESURE DE PH FIABLE, A PERMIS DE MONTRER LE ROLE PREPONDERANT MAIS INDIRECT DE L'ESPECE NON DISSOCIEE HF, ET NOUS A AMENE A SUSPECTER LA FORMATION D'UNE COUCHE D'OXYDE A LA SURFACE DE L'ELECTRODE EN COURS D'ELECTROPOLISSAGE. DANS UNE TROISIEME PARTIE, NOUS AVONS MENE UNE ETUDE ORIGINALE ET DETAILLEE BASEE SUR UN PHENOMENE DE COURANT TRANSITOIRE QUI APPARAIT A LA FIN DE LA DISSOLUTION SOUS FAIBLE POLARISATION DES OXYDES EN MILIEU HF. LES RESULTATS OBTENUS, APPLIQUES A L'ETUDE DE LA COUCHE D'ELECTROPOLISSAGE, NOUS ONT ALORS PERMIS DE CONFIRMER QUE L'ON AVAIT TRES VRAISEMBLABLEMENT AFFAIRE A UN OXYDE, ET LA VITESSE DE DISSOLUTION DE CETTE COUCHE. NOUS AVONS ENFIN PROPOSE UN MECANISME DE DISSOLUTION METTANT EN JEU UNE COMPETITION ENTRE LA CROISSANCE ELECTROCHIMIQUE DE L'OXYDE ET SA DISSOLUTION CHIMIQUE PAR HF
ETUDE DES COUCHES MINCES TRANSPARENTES ET CONDUCTRICES ELABOREES A PARTIR DES OXYDES SEMICONDUCTEURS SRTIO::(3), ITO ET TL::(2)O::(3)
Author: Zhiwen SunPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :
Book Description
DES COUCHES MINCES DE SRRIO::(3) ET DE ITO ONT ETE ELABOREES PAR PULVERISATION CATHODIQUE R-F, ET CELLES DE TL::(2)O::(3) PAR OXYDATION ANODIQUE. ETUDE DE LEURS PROPRIETES ELECTRONIQUES ET OPTIQUES. REALISATION DE CELLULES SOLAIRES A BASE DE CES JONCTIONS SILICIUM/OXYDE. PERFORMANCES ELECTRIQUES ET RENDEMENT DE CONVERSION
Dictionary of Civil Engineering
Author: Jean-Paul KurtzPublisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 0306483173
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 1520
Book Description
I am pleased to present a work which marks a milestone in the history of public works and, more precisely, in that of permanent structures—a comprehensive dictionary of Civil Engineering terms. Since the beginning of time, Man has always tried to find a means to clear the obstacles which nature erected to displace him. With the first tree trunk thrown across a river, man sought to improve the crossing structure. After the invention of the wheel, and to satisfy his thirst for conquest (Roman ways), and comfort (aqueducts), man built bridges that became a preremptory necessity to move quickly. Thus, Man started to build wooden and masonry works. With the passing centuries, the builders became masters in the art of building masonry works. Then came the Industrial Revolution and the advent of the steel (1864), which was closely followed by the invention of the reinforced concrete (1855). The need for railways and improving the road network inspired great works of crossing such as viaducts and tunnels. The boom of the railway network and the development of the car required the construction of an increasing number of new structures. This phenomenon continues today with hundreds of structures built each year throughout the world.