Observation en microscopie électronique de bicristaux de silicium Σ PDF Download
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Author: Mario Martinez-Hernandez Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 163
Book Description
Après une brève revue des éléments principaux de la structure des joints et des interactions dislocations joints de grains, étude par microscopie électronique en transmission du mécanisme de déformation plastique des bicristaux du titre. Discussion des résultats obtenus
Author: Mario Martinez-Hernandez Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 163
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Après une brève revue des éléments principaux de la structure des joints et des interactions dislocations joints de grains, étude par microscopie électronique en transmission du mécanisme de déformation plastique des bicristaux du titre. Discussion des résultats obtenus
Author: SEUNG JOO.. LEE Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
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LA MICROSTRUCTURE DU CARBURE DE SILICIUM DOPE A L'ALUMINIUM A ETE ETUDIEE A L'ETAT BRUT DE FRITTAGE ET APRES DEFORMATION A 1600#OC PAR FLEXION TROIS POINTS ET PAR COMPRESSION A 1900#OC. LES EXAMENS DES ECHANTILLONS DEFORMES ONT ETE EFFECTUES PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION. LES ECHANTILLONS NON DEFORMES CONTIENNENT UN NOMBRE IMPORTANT DES FAUTES DE CROISSANCE ET DE RESEAUX DE DISLOCATIONS DANS LES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM 4H ET 6H. L'ANALYSE DE QUELQUES DEFAUTS EST PRESENTEE. L'EXAMEN DES ECHANTILLONS DEFORMES MET EN EVIDENCE L'ACTIVATION DU SYSTEME DE GLISSEMENT BASAL. LE CARACTERE DES DISLOCATIONS GLISSILES A PU ETRE DETERMINE DANS DE NOMBREUX CAS. CES DISLOCATIONS SONT DISSOCIEES DANS LE PLAN DE BASE EN DISLOCATIONS PARTIELLES DE SHOCKLEY. DES PHENOMENES DE MONTEE DES DISLOCATIONS ONT ETE OBSERVES ET PLUSIEURS MECANISMES ONT PU ETRE PROPOSES. DANS CERTAINS CAS IL Y A NUCLEATION DE BOUCLES SUR LA DISLOCATION PARTIELLE. LA MONTEE DES DISLOCATIONS EST ALORS ACCOMPAGNEE DE LA FORMATION DE DEBRIS SOUS FORME DE NOMBREUSES BOUCLES NUCLEEES AUTOUR DES DISLOCATIONS. DANS D'AUTRES EXEMPLES, LA MONTEE DES DISLOCATIONS S'EFFECTUE DANS LES PLANS PRISMATIQUES 1010 SANS FORMATION APPARENTE DE BOUCLES RESIDUELLES. DES MECANISMES DE GLISSEMENT DEVIE ONT ETE OBSERVES POUR LES DISLOCATIONS A CARACTERE VIS ET DANS PLUSIEURS EXEMPLES LE PLAN DE DEVIATION A ETE DETERMINE. DE FORTES INTERACTIONS ENTRE LES DISLOCATIONS VIS (B//C) ONT ETE MISES EN EVIDENCE. IL EXISTE EGALEMENT UNE DEFORMATION INTERGRANULAIRE IMPORTANTE SE TRADUISANT PAR LA FORMATION DE RESEAUX DE DISLOCATIONS INTERGRANULAIRES RESULTANT DE L'ACTIVATION DE SOURCES DANS LES JOINTS DE GRAINS SANS CAVITATION NOTABLE AUX JOINTS TRIPLES. UNE MODIFICATION IMPORTANTE DE LA STRUCTURE DES JOINTS TRIPLES. UNE MODIFICATION IMPORTANTE DE LA STRUCTURE DES JOINTS DE GRAINS A ETE SOUVENT OBSERVEE SOUS LA FORME D'UN MICROFACETTAGE CONS
Author: François Brisset Publisher: EDP Sciences ISBN: 2759803481 Category : Science Languages : fr Pages : 930
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Aussi bien essentielle dans les milieux académiques qu'industriels, la microscopie électronique à balayage et les microanalyses associéessont au coeur de la recherche scientifique et industrielle. L'ensemble des bases théoriques, les principales caractéristiques techniques, ainsi que des compléments pratiques d'utilisation et d'entretien liés à ces disciplines sont développés dans cet ouvrage. Les microscopes électroniques sous haut vide ou vide contrôlé sont exposées profondément, les microanalyses EDS et WDS de dernières générations également. À coté de ces piliers structurants, d'autres techniques d'analyse ou d'observation sont abordées, telles l'analyse EBSD et l'imagerie 3D, le FIB, les simulations de Monte-Carlo et les essais in-situ, etc. Ce volume en langue française est le seul traitant du sujet de façon aussi exhaustive ; il représente la version actualisée et totalement refondue d'une précédente édition de 1979 aujourd'hui épuisée ; il regroupe enfin les cours dispensés lors de l'école d'été de Saint Martin d'Hères en 2006, organisée par le Groupement National de Microscopie Électronique à Balayage et de microAnalyses (GN-MEBA). Ce livre est particulièrement recommandé aux expérimentateurs mais intéressera aussi les spécialistes en science des matériaux (durs ou mous, conducteurs ou non-conducteurs, stratifiés, etc.) désireux de s'investir dans toutes ces techniques d'imagerie et d'analyse, afin d'en exploiter pleinement les forts potentiels. Il a été écrit par les enseignants de l'école d'été, tous chercheurs ou ingénieurs et spécialistes dans leur domaine. Cet ouvrage s'inscrit dans une collection de publications du GN-MEBA consacrée aux principes, aux techniques expérimentales et aux méthodes de calcul et de simulation en Microscopie Électronique à Balayage et en microanalyses.
Author: Golla Eranna Publisher: CRC Press ISBN: 1482232812 Category : Science Languages : en Pages : 432
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Silicon, as a single-crystal semiconductor, has sparked a revolution in the field of electronics and touched nearly every field of science and technology. Though available abundantly as silica and in various other forms in nature, silicon is difficult to separate from its chemical compounds because of its reactivity. As a solid, silicon is chemically inert and stable, but growing it as a single crystal creates many technological challenges. Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is one of the first books to cover the systematic growth of silicon single crystals and the complete evaluation of silicon, from sand to useful wafers for device fabrication. Written for engineers and researchers working in semiconductor fabrication industries, this practical text: Describes different techniques used to grow silicon single crystals Explains how grown single-crystal ingots become a complete silicon wafer for integrated-circuit fabrication Reviews different methods to evaluate silicon wafers to determine suitability for device applications Analyzes silicon wafers in terms of resistivity and impurity concentration mapping Examines the effect of intentional and unintentional impurities Explores the defects found in regular silicon-crystal lattice Discusses silicon wafer preparation for VLSI and ULSI processing Crystal Growth and Evaluation of Silicon for VLSI and ULSI is an essential reference for different approaches to the selection of the basic silicon-containing compound, separation of silicon as metallurgical-grade pure silicon, subsequent purification, single-crystal growth, and defects and evaluation of the deviations within the grown crystals.
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UNE ETUDES DES JOINTS DE GRAINS A ETE REALISEE EN MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DANS LE CARBURE DE SILICIUM ALPHA. DIFFERENTES NUANCES ONT ETE ETUDIEES DONT UNE APRES DEFORMATION A 1600 C. L'ETUDE CRISTALLOGRAPHIQUE DES JOINTS DE GRAINS Q NECESSITE L'ETABLISSEMENT DES LISTES DE COINCIDENCE. LES MODELES DES RESEAUX DE COINCIDENCE ONT ALORS ETE APPLIQUES AUX DEUX POLYTYPES 4H ET 6H AINSI QU'AU CAS PARTICULIER DES JOINTS ENTRE POLYTYPES DIFFERENTS. UN NOMBRE IMPORTANT DE RELATIONS D'ORIENTATION A ETE DETERMINE EXPERIMENTALEMENT DANS LES DIFFERENTES NUANCES. UNE DESCRIPTION EN COINCIDENCE TRIDIMENSIONNELLE A PU ETRE REALISEE DANS UN NOMBRE LIMITE DE CAS ET L'ECART A LA POSITION DE COINCIDENCE EST EN GENERAL IMPORTANT. LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ONT MONTRE L'IMPORTANCE DE LA NATURE CRISTALLOGRAPHIQUE DU PLAN DU JOINT. SI LA CONFIGURATION LA PLUS FREQUENTE EST DEFINIE PAR LE PLAN DE BASE ET UN PLAN D'INDICES ELEVES, D'AUTRES PLANS PEUVENT DONNER LIEU A DES CONFIGURATIONS DE BASSES ENERGIES. UNE BONNE CONTINUITE DES PLANS PRISMATIQUES DE PART ET D'AUTRE DE L'INTERFACE EST OBSERVEE FREQUEMMENT. L'OBSERVATION DES JOINTS DE GRAINS DANS LA NUANCE DEFORMEE A MIS EN EVIDENCE UNE MODIFICATION IMPORTANTE DU PLAN DE JOINT SE TRADUISANT PAR UN FACETTAGE TRES FREQUENT. DES RESEAUX DE DISLOCATIONS ONT ETE OBSERVES DANS LES JOINTS DE GRAINS DU MATERIQU DEFORME ET INTERPRETES COMME UNE CONSEQUENCE D'UN GLISSEMENT INTERGRANULQIRE. DES IMAGES HAUTE RESOLUTION DE QUELQUES INTERFACES ONT REVELE LA COMPLEXITE DE CELLES-CI, TRES SOUVENT MICROFACETTEES A L'ECHELLE DE LA MAILLE DU CRISTAL
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DESCRIPTION DU SILICIUM POLYCRISTALLIN UTILISE A L'HEURE ACTUELLE DANS LA FABRICATION DES PHOTOPILES ET EN PARTICULIER DU SILICIUM RAD (RIBBON AGAINST DROP). LA QUALITE DES PHOTOPILES FABRIQUEES A PARTIR DE CES CRISTAUX DEPEND A LA FOIS DES DEFAUTS PRESENTS DANS LE MATERIAU DE BASE ET DES DEFAUTS SUPPLEMENTAIRES CREES LORS DES TRAITEMENTS THERMIQUES ULTERIEURS A LA CROISSANCE. ETUDE PAR MICROSCOPIE ELECTRONIQUE EN TRANSMISSION DES DEFAUTS CREES DANS LE VOLUME LORS DE L'ETAPE DE BRULAGE DU SUPPORT DANS L'OXYGENE ET DES DEFAUTS INDUITS PAR LE PROCESSUS D'ELABORATION DE LA JONCTION N**(+)/P PAR DIFFUSION DU PHOSPHORE (SOURCE POCL::(3))
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DES JOINTS DE FLEXION ET DE TORSION EN ORIENTATION DE COINCIDENCE ONT ETE ETUDIES PAR LA METHODE DES FRANGES AFIN DE DETERMINER LA TRANSLATION ENTRE LES DEUX CRISTAUX ADJACENTS. LA DETERMINATION DU VECTEUR TRANSLATION DANS LA MACLE 3 211 A PERMIS DE CONFIRMER LES RESULTATS EXPERIMENTAUX (FRANGES ET MEHR) ET THEORIQUES (CALCULS ENERGETIQUES) DEJA PROPOSES ET DE MONTRER QUE CETTE TRANSLATION N'A PAS ETE SENSIBLE AU TRAITEMENT THERMIQUE EFFECTUE (950#OC-92 H). L'ANALOGIE DES CONTRASTES OBSERVES ENTRE LA MACLE ASYMETRIQUE 3 511//111 ET LA MACLE SYMETRIQUE 3 211 NOUS A AMENE A CONSIDERER QUE DANS LE JOINT 3 511//111, DES FACETTES 211 SONT A L'ORIGINE DE LA TRANSLATION. LE JOINT DE TORSION 9 OBSERVE EST FACETTE SELON LES PLANS 511 ET 410. L'EXISTENCE D'UNE TRANSLATION POUR CES FACETTES A ETE MISE EN EVIDENCE EN MET ET LA COMPARAISON ENTRE LES CONTRASTES OBSERVES SUR LES DEUX FACETTES MONTRE QU'ELLES ONT DES VECTEURS TRANSLATION DIFFERENTS. LA FACETTE 511 EST CARACTERISEE PAR UN VECTEUR TRANSLATION D'INDICES 1/67525#1//1/20102#2, DETERMINE A PARTIR DU POTENTIEL DE KEATING ET EN ACCORD AVEC LES PROFILS OBSERVES ET SIMULES
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LES TECHNIQUES DE PHOTOLITHOGRAPHIE SUR SILICIUM ET LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE SOUS ULTRAVIDE (U.H.V.T.E.M) ONT RENDU POSSIBLE L'OBSERVATION DES EVOLUTIONS, EN FONCTION DU TEMPS ET DE LA TEMPERATURE, D'UNE COLONNE DE SILICIUM DE TAILLE H=10M ET 1=5M FORMEE DANS UN SUBSTRAT DE SI(111). LA COLONNE, UNE FOIS NETTOYEE ET FORTEMENT EVAPOREE, OVULE ET FORME UN BULBE. LA DIMENSION FINALE DE CE BULBE EST ALORS DE 1M. NOUS AVONS MONTRE QUE L'APEX DE CE BULBE ETAIT UNE FORME STATIONNAIRE, C'EST A DIRE, INVARIANTE DANS LE TEMPS ET DE PLUS, INDEPENDANTE DE L'ORIENTATION DU SUBSTRAT. IL RESSORT DE NOS OBSERVATIONS QUE LA PARTIE SUPERIEURE DU BULBE COINCIDE BIEN AVEC LA FORME D'EQUILIBRE DU SILICIUM. LA TEMPERATURE A LAQUELLE NOUS AVONS REUSSI CETTE MISE A L'EQUILIBRE EST DE 1050C. IL S'AGIT DE LA SEULE TEMPERATURE POUR LAQUELLE NOUS AYONS CLAIREMENT DEMONTRE LA NON CONTAMINATION EN SURFACE DU BULBE. NOS RESULTATS EXPERIMENTAUX, FACES PLANES PRESENTES ET DIAGRAMME DES VARIATIONS DE L'ENERGIE LIBRE SPECIFIQUE DE SURFACE SONT COMPARES A CEUX DONNES PAR LA LITTERATURE. LES RAISONS D'EVENTUELS DESACCORDS SONT DISCUTEES
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De récents travaux consacrés à l'étude des propriétés des matériaux aux petites échelles ont souligné des différences exceptionnelles dans le comportement mécanique des nano-objets par rapport aux matériaux massifs. Dans le cas du silicium, une transition fragile-ductile à température ambiante a été observée lorsque la taille des échantillons est réduite. Cependant, les défauts et les mécanismes à l'origine de ce changement de comportement n'ont pas été clairement identifiés. Ce travail repose sur l'étude post mortem de nanopiliers déformés, en utilisant différentes techniques de microscopie électronique. Les nanopiliers étudiés ont été préparés par gravure plasma et déformés en compression à température ambiante. Les résultats obtenus durant cette thèse, confirment la différence de comportement des nano-objets par rapport au matériau massif. Par ailleurs, une grande variété de défauts produits lors de la compression a été observée. L'orientation cristallographique de l'axe de sollicitation semble avoir un impact important sur les mécanismes à l'origine du comportement ductile observé. La comparaison entre images HRTEM expérimentales et simulées témoigne de la propagation simultanée de dislocations partielles et parfaites dans les plans {111}. De plus, des événements plastiques ont également été observés dans des plans {115}. Divers mécanismes de déformation possibles impliqués lors de la compression des piliers sont décrits à partir des observations microscopiques. Un modèle tenant compte de l'influence sur la mobilité des dislocations des interactions entre systèmes de glissement est proposé afin d'expliquer la transition fragile-ductile observé aux petites échelles.
Author: Mario Martinez-Hernandez
Author: Mario Martinez-Hernandez
Author: SEUNG JOO.. LEE
Author: M. Fabricotti
Author: François Brisset
Author: Golla Eranna
Author: ELISABETH.. LAURENT-PINSON
Author: TOUNES.. MOUDDA AZZEM
Author: MARCELLINE.. DEYEME OUEDRAOGO
Author: Xavier Egéa
Author: Amina Merabet