Author: Bernard MAINGUETPublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 116
Book Description
Etude des non linéarités dans les transistors à effet de champ hyperfréquences de puissance
Author: Bernard MAINGUETContribution à l'étude des non-linéarités des transistors à effet de champ
Author: Ahmad NakhliEtude des non linéarités dans les amplificateurs hyperfréquences à transistor à effet de champs en régime faible et moyenne puissance
Author: Redouane YaquinePublisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 122
Book Description
Introduction à l'analyse des systèmes non linéaires par la technique des séries de Volterra. Application à l'étude du comportement non linéaire du transistor à effet de champ. Modèle numérique. Aspect expérimental, mesure de la distorsion basse fréquence des paramètres aux fréquences fondamentale et harmoniques. Mesure des éléments non linéaires dans la gamme 01 a 1 GHz, détermination du schéma équivalent du transistor à effet de champ. Application de la technique des séries de Volterra au calcul de l'intermodulation : étude du nec 388, etude du t.e.c. De puissance Thomson 27 gpf. Mesure de l'intermodulation
Non linéarités dans les transistors à effet de champ
Author: G. SalmerEtude des singularités de champ électrique dans un transistor à effet de champ au GaAs
Author: Georges HalkiasCaractérisation non linéaire et analyse de transistors à effet de champ pour applications hyperfréquences dans le domaine temporel
Author: Damien DucatteauPublisher:
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Languages : fr
Pages : 246
Book Description
De nos jours, les systèmes de télécommunications deviennent de plus en plus complexes et sophistiqués. Les perfonnances électriques des transistors hyperfréquences qui les constituent, doivent être améliorées en tenne de fréquence, de puissance, de rendement et de linéarité. Dans le cas des transistors de puissance la caractérisation non linéaire est une étape indispensable afin de mieux comprendre et appréhender les effets limitatifs et d'optimiser leur conception. Dans ce cadre, l'objectif de cette thèse a été de mettre en œuvre un analyseur de réseaux non linéaire, de valider les mesures provenant de cet équipement et de développer des outils de mesures et d'analyse dans le domaine temporel afin de mieux appréhender les effets limitatifs des transistors à effet de champ aux fréquences micro-ondes. Dans un premier temps, nous avons montré l'importance de la caractérisation non linéaire hyperfréquence lors de la conception de circuits actifs. Nous avons effectué ensuite une étude bibliographique des principaux systèmes de caractérisation non linéaires existants et qui ont été précurseurs dans ce domaine.
Modèles non linéaires distribués des transistors à effet de champ
Author: Benoît Mallet-GuyPublisher:
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Languages : fr
Pages : 162
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICROONDES. DEUX NOUVELLES APPROCHES DE MODELISATION SONT PRESENTEES. ELLES S'APPUIENT TOUTES LES DEUX SUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU TRANSISTOR. DANS LA PREMIERE, LE CANAL EST REPRESENTE PAR UNE LIGNE DE TRANSMISSION ACTIVE. LE MODELE NON LINEAIRE RESULTANT A MONTRE, LORS DE SA VALIDATION PAR DES MESURES DU TYPE LOAD-PULL, UNE REELLE AMELIORATION A REPRODUIRE LE MECANISME DE SATURATION DE LA PUISSANCE DE SORTIE. LE DEUXIEME MODELE PRESENTE DANS CE MANUSCRIT UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE.
Étude du comportement non linéaire et de la dégradation de transistors à effet de champ faible bruit soumis à une surcharge microonde
Author: Didier LazaroPublisher:
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Languages : fr
Pages : 235
Book Description
L'influence de surcharges micro-ondes de fort niveau sur des transistors à effet de champ faible a été étudiée. Un banc de test de caractérisation statique et dynamique du composant avant at après chaque impulsion a été mis au point au CERT/DERMO et a permis de mettre en évidence tois phases de dégradation (temporaire, graduelle et catastrophique) ainsi qu'une phase de guérison apparente. Des différences de comportements sont apparues entre HEMTs et MEFETs inhérentes à la technologie du transistor. L'influence de surcharges micro-ondes permanentes a également été étudiée expérimentalement et théoriquement à l'aide d'une modélisation non linéaire qui décrit le comportement du composant actif jusqu'à des niveaux d'entrée de 500 mW. L'importance de l'environnement électrique du transistor a été mise en évidence par ses effets sur le fonctionnement non linéaire du composant et sur sa puissance critique de dégradation.
Etudes théorique et expérimentale de transistors multipuits à effet de champ et à plans de dopage
Author: Thierry CoupezPublisher:
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Languages : fr
Pages : 192
Book Description
L'étude que nous présentons a pour objet la recherche de structures multipuits particulièrement non linéaires, en vue d'applications en mélangeur ou en multiplicateur de fréquence, en gammes millimétriques. Des simulations quasi-statiques et dynamiques petit signal ont été réalisées à l'aide d'un programme de contrôle de charge. Celui-ci est basé sur la résolution autocohérente des équations de Poisson et de Schrodinger. Le choix de la technique du plan de dopage confère à la structure une meilleure compacité et un meilleur contrôle électronique dans les canaux. Conjointement à ces simulations, des transistors à effet de champ ont été réalisés et caractérisés. Pour satisfaire le critère de montée en fréquence, les structures de ces composants ont été limitées à deux puits de potentiel. Une comparaison essentiellement qualitative entre les évolutions de transconductance théoriques et expérimentales a montré que la non-linéarité du profil dépend fortement de la charge dopante introduite dans le plan de dopage intercalé entre les deux puits quantiques. Des divergences entre la théorie et l'expérience sot apparues pour des valeurs atteignant 4,8.1012 at/cm2. Elles remettent ainsi en cause, pour le dopage planaire, le modèle d'ionisation des atomes donneurs à un seul niveau d'énergie d'activation. Une étude exclusivement théorique portant sur la multiplication de fréquence a été menée à l'aide d'un logiciel de CAO : microwave design simulator. L'exploitation des profils de transconductance et de courant de drain montre l'importance du choix de la polarisation de grille et de la puissance disponible à l'entrée du transistor sur les performances du processus de multiplication
Dictionary of Electronics
Author: Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 9401164142
Category : Technology & Engineering
Languages : en
Pages : 545
Book Description
The special interest in electronics all over the world is due to its decisive role in the scien tific and technical progress now taking place in all fields of modern technology. Electronics also plays a decisive role in the development of science, providing as it does the technical basis for various scientific experiments. The role of electronics in the development of the world's culture also deserves a special mention. That is why it is hoped that the English-German French-Dutch-Russian Dictionary of Electronics, which contains some 9.000 entries and is jointly published by Kluwer Technische Boeken, B.V. (Deventer, Holland) and Ruski Yazyk Publishers (Moscow, USSR) will be favourably received. In accordance with existing international tradition, the term «electronics» covers several fields known in Soviet classification as elec tronics proper, radio engineering, and wire communication. The entries included in this dictionary have been selected in accordance with the international understanding of the term «electronics». One of the main difficulties encountered by the compilers was that although according to some calculations the number of terms used in special literature on electronics exceeds 50.000, the vocabulary of the dictionary had to be restricted to only 9.000 entries. Therefore this dictionary cannot claim to be comprehensive. Its purpose is to enable a wide range of specialists in various countries to find the English, German, French, Dutch, or Russian equivalents of the principal and most up-to-date terms in the field of electronics. Most attention has been paid to quantum electronics, fibre optics, optoelectronics, integrated circuit technology, radiolocation and radionavigation, pulse technique, holography, etc.