Author: Rached HajjiPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 312
Book Description
Modélisation non-linéaire d'un transistor micro-ondes utilisant des mesures "load-pull"
Author: Rached HajjiMasters Theses in the Pure and Applied Sciences
Author: Wade H. ShaferPublisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 1461528321
Category : Science
Languages : en
Pages : 350
Book Description
Masters Theses in the Pure and Applied Sciences was first conceived, published, and disseminated by the Center for Information and Numerical Data Analysis and Synthesis (CINDAS) * at Purdue University in 1 957, starting its coverage of theses with the academic year 1955. Beginning with Volume 13, the printing and dissemination phases of the activity were transferred to University Microfilms/Xerox of Ann Arbor, Michigan, with the thought that such an arrangement would be more beneficial to the academic and general scientific and technical community. After five years of this joint undertaking we had concluded that it was in the interest of all con cerned if the printing and distribution of the volumes were handled by an interna tional publishing house to assure improved service and broader dissemination. Hence, starting with Volume 18, Masters Theses in the Pure and Applied Sciences has been disseminated on a worldwide basis by Plenum Publishing Cor poration of New York, and in the same year the coverage was broadened to include Canadian universities. All back issues can also be ordered from Plenum. We have reported in Volume 36 (thesis year 1991) a total of 11,024 thesis titles from 23 Canadian and 161 United States universities. We are sure that this broader base for these titles reported will greatly enhance the value of this important annual reference work. While Volume 36 reports theses submitted in 1991, on occasion, certain univer sities do report theses submitted in previous years but not reported at the time.
Caractérisation et modélisation électrothermique non linéaire de transistors à effet de champ GaN pour l'amplification de puissance micro-onde
Author: Christophe CharbonniaudPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 191
Book Description
L’objectif de cette étude est d’évaluer les potentialités des transistors HEMTs AlGaN/GaN pour l’amplification de puissance aux fréquences micro-ondes, à l’aide d’un banc de mesures I(V) et paramètres [S] en régime impulsionnel, et de proposer un modèle précis de ce type de transistors facilement implémentable dans les logiciels de C.A.O. des circuits. Après un passage en revue des différentes technologies disponibles sur le marché pour l’amplification de puissance, les transistors HEMTs grand gap à base de Nitrures de Gallium apparaissent comme des candidats naturels pour ces applications (Figures de mérites de Johnson, ...). Cependant, ces transistors plus que prometteurs ne sont pas exempts de défauts. En effet, plusieurs phénomènes limitatifs inhérents à la technologie GaN, à savoir l’auto-échauffement et les effets des pièges, doivent être pris en compte lors de la conception des circuits micro-ondes. Une étude de ces différents effets limitatifs en terme de puissance est effectuée. Enfin, un modèle non-linéaire électrothermique d’un transistor HEMT 8x125 μm est présenté, et validé à l’aide de deux banc de mesures fonctionnelles (banc Load-Pull et banc LSNA).
Masters Theses in the Pure and Applied Sciences
Author: W. H. ShaferPublisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 9780306444951
Category : Education
Languages : en
Pages : 368
Book Description
Volume 36 reports (for thesis year 1991) a total of 11,024 thesis titles from 23 Canadian and 161 US universities. The organization of the volume, as in past years, consists of thesis titles arranged by discipline, and by university within each discipline. The titles are contributed by any and all a
MISE EN UVRE D'UN SYSTEME DE MESURE LOAD-PULL A PARTIR D'UN ANALYSEUR DE RESEAUX A SIX-PORTES POUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE
Author: Frédérique DeshoursPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 291
Book Description
LES SYSTEMES DE COMMUNICATION DEVIENNENT DE PLUS EN PLUS COMPLEXES ET DOIVENT REPONDRE A DES CRITERES BIEN PRECIS (TAILLE, POIDS, CONSOMMATION). LEUR CONCEPTION PASSE INELUCTABLEMENT PAR UNE PHASE D'OPTIMISATION DE LEURS DIFFERENTES FONCTIONS ELECTRONIQUES. POUR REPONDRE A CE BESOIN DE CONCEPTION OPTIMALE, DES LOGICIELS DE SIMULATION NUMERIQUE NON LINEAIRE (TOUCHSTONE, MDS) ONT ETE DEVELOPPES ET COMMERCIALISES. CEPENDANT, LA VALIDITE DES RESULTATS OBTENUS PAR LA SIMULATION REPOSE, EN GRANDE PARTIE, SUR LA QUALITE DES MODELES ELECTRIQUES NON LINEAIRES DES COMPOSANTS INTRODUITS DANS LES SIMULATEURS. AUSSI, PARALLELEMENT A CES TRAVAUX D'OPTIMISATION PAR SIMULATION, IL EST NECESSAIRE DE DEVELOPPER DES SYSTEMES DE MESURE, SOIT POUR VALIDER LES MODELES DEJA EXISTANTS, SOIT, POUR CONNAITRE DE MANIERE EXPERIMENTALE LE COMPORTEMENT DU COMPOSANT EN REGIME NON LINEAIRE. DE TELS SYSTEMES REALISENT UNE SIMULATION EXPERIMENTALE DES CONDITIONS D'EXCITATION, SUSCEPTIBLES D'ETRE IMPOSEES AUX COMPOSANTS ACTIFS DANS LES CIRCUITS MICRO-ONDES DE PUISSANCE. CETTE TECHNIQUE, CONNUE SOUS LE NOM DE METHODE LOAD-PULL CONSISTE A PRESENTER AU DISPOSITIF DIFFERENTES IMPEDANCES DE FERMETURE ET A MESURER SON COMPORTEMENT EN PUISSANCE, POUR UNE FREQUENCE ET UN POINT DE POLARISATION DONNES. C'EST DANS CE CADRE QUE S'INSCRIVENT LES TRAVAUX DE CETTE THESE. LES SYSTEMES DE MESURE LOAD-PULL QUI UTILISENT DES ADAPTATEURS MECANIQUES (TUNERS) PRESENTENT CERTAINES LIMITATIONS LIEES AUX PERTES INTRINSEQUES DES TUNERS. IL N'EST DONC PAS POSSIBLE DE SYNTHETISER DES CHARGES A FORT FACTEUR DE REFLEXION ET DE DETERMINER LES IMPEDANCES D'ENTREE DES TRANSISTORS FORTEMENT DESADAPTES. D'AUTRE PART, IL EST DIFFICILE DE CONTROLER LES IMPEDANCES DE CHARGE PRESENTEES AU DISPOSITIF AUX FREQUENCES HARMONIQUES. LES SYSTEMES DE TYPE LOAD-PULL ACTIF NECESSITE L'UTILISATION D'UN ANALYSEUR DE RESEAUX VECTORIEL HETERODYNE A QUATRE ENTREES ET D'UN WATTMETRE ASSOCIE A UN COUPLEUR DIRECTIF POUR MESURER LES DIFFERENTS RAPPORTS D'ONDE ET LES NIVEAUX DE PUISSANCE INCIDENTE. LE DOUBLE REFLECTOMETRE A SIX-PORTES EST PARTICULIEREMENT BIEN ADAPTE A CE TYPE DE CARACTERISATION, CAR CONTRAIREMENT AUX SYSTEMES HETERODYNES COMMERCIALISES, LES JONCTIONS SIX-PORTES DETERMINENT DIRECTEMENT, A LA FREQUENCE DE TRAVAIL, LES RAPPORTS D'ONDE AUX ACCES DE MESURE, ET CE A PARTIR DE MESURES DE PUISSANCE. IL EST D'AUTRE PART POSSIBLE DE DETERMINER LES PUISSANCES INCIDENTES AUX ACCES DE MESURE SANS UTILISER DE WATTMETRE ET DE COUPLEUR. CE MEMOIRE PRESENTE UN SYSTEME DE MESURE LOAD-PULL POUR CARACTERISER EXPERIMENTALEMENT LES COMPOSANTS ACTIFS NON LINEAIRES. CE SYSTEME PERMET DE S'AFFRANCHIR DE TOUTES LES DIFFICULTES PRECEDENTES EN ASSOCIANT LA METHODE DE LA CHARGE ACTIVE A UN ANALYSEUR DE RESEAUX A SIX-PORTES LARGE-BANDE (1-18 GHZ). IL APPORTE DES SOLUTIONS ATTRACTIVES AUX PROBLEMES RENCONTRES. LES RESULTATS OBTENUS PERMETTENT DE CONCEVOIR, DE FACON OPTIMALE, LES CIRCUITS MICRO-ONDES NON LINEAIRES (AMPLIFICATEURS, OSCILLATEURS) ET DE VALIDER OU D'AMELIORER LES MODELES DES TRANSISTORS UTILISES DANS LES LOGICIELS DE SIMULATION
MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES. METHODES DE CARACTERISATION ASSOCIEES AU MODELE
Author: AHMED.. BIRAFANEPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 220
Book Description
AU COURS DE CE TRAVAIL NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE NON LINEAIRE DU TBH POUR LA CONCEPTION DES CIRCUITS MICRO-ONDES, AINSI QUE DES PROCEDURES DE CARACTERISATION ASSOCIEES A CE MODELE. LE MODELE TIEN COMPTE DES PROPRIETES PHYSIQUES PROPRES AU TBH ET DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR. LA PRISE EN COMPTE DE L'AUTO ECHAUFFEMENT DU TRANSISTOR CONSTITUE UNE ORIGINALITE DE CE TRAVAIL. LE TRANSISTOR EST DECRIT PAR UN MODELE ELECTROTHERMIQUE, CONSTITUE D'UN MODELE ELECTRIQUE ET D'UN MODELE THERMIQUE AVEC INTERACTION ENTRE LES DEUX MODELES. LA TEMPERATURE QUI N'EST PLUS CONSTANTE DURANT LA SIMULATION COMME C'EST LE CAS DES MODELES IMPLANTES DANS LES SIMULATEURS STANDARDS, CONSTITUE UNE ELECTRODE DE COMMANDE DU TRANSISTOR AU MEME TITRE QUE LES ELECTRODES DE BASE, DE COLLECTEUR ET D'EMETTEUR. UNE METHODOLOGIE DE CARACTERISATION NON LINEAIRE PERMETTANT DE DETERMINER L'ENSEMBLE DES PARAMETRES STATIQUES DU MODELE ELECTRIQUE A ETE DEVELOPPEE. D'AUTRE PART NOUS AVONS PROPOSE UNE NOUVELLE METHODE D'EXTRACTION QUI PERMET D'OBTENIR DIRECTEMENT L'ENSEMBLE DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT DU TBH SANS AUCUNE OPTIMISATION. DE PLUS ELLE NE NECESSITE AUCUNE INFORMATION GEOMETRIQUE NI TECHNOLOGIQUE CONCERNANT LE TRANSISTOR. CETTE METHODE EST BASEE SUR DES EQUATIONS PUREMENT ANALYTIQUES QUI EXPRIMENT LES PARAMETRES Z DU TRANSISTOR EN FONCTION DES PARAMETRES ELECTRIQUES DU CIRCUIT LINEAIRE EQUIVALENT UTILISE. LA VALIDATION DE LA METHODE EST EFFECTUEE SUR DEUX TRANSISTORS GAINP/GAAS DE FREQUENCE DE COUPURES DIFFERENTES 20 GHZ ET 80 GHZ. LE MODELE NON LINEAIRE EST VALIDE EN REGIME STATIQUE ET EN REGIME DYNAMIQUE PETITS SIGNAUX ET FORTS SIGNAUX, UN EXCELLENT ACCORD EST OBTENU ENTRE LA MESURE ET LA SIMULATION.
Modélisation non-linéaire de transistors microondes
Author: Jean-Pierre ViaudPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 328
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS MICROONDES, APPLIQUEE A LA CONCEPTION D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE EN TECHNOLOGIE MMIC DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. APRES UN RAPIDE TOUR D'HORIZON DES TRANSISTORS DE PUISSANCE UTILISABLES AUX FREQUENCES MICROONDES, NOUS PRESENTONS UN EQUIPEMENT DE TEST, BASE SUR LA TECHNIQUE DE MESURES EN IMPULSIONS. CETTE METHODE DE CARACTERISATION PERMET D'OBTENIR AVEC PRECISION LES EVOLUTIONS NON LINEAIRES DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DES TRANSISTORS MICROONDES. ENSUITE, LA MODELISATION NON LINEAIRE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ET DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION EST TRAITEE D'UNE MANIERE DETAILLEE DANS CE MEMOIRE. NOUS TROUVERONS ENTRE AUTRES, UNE ETUDE DES NON LINEARITES DES TRANSISTORS EN FONCTION DES COMMANDES APPLIQUEES, AINSI QUE DIFFERENTES METHODES POUR LA RECHERCHE ET L'OBTENTION DES PARAMETRES D'UN MODELE, APPLIQUEES A CHAQUE TYPE DE TRANSISTOR. LES DIFFERENTES ETAPES DE CONCEPTION D'UN AMPLIFICATEUR DISTRIBUE LARGE BANDE A TBH SONT PRESENTEES. CET AMPLIFICATEUR A ETE OPTIMISE EN PUISSANCE DANS LA BANDE DE FREQUENCE 2-8 GHZ, A PARTIR DES MODELES NON LINEAIRES MIS AU POINT DANS CE MEMOIRE, ET A FOURNI UNE PUISSANCE DE SORTIE DE 27.5 DBM
Analyse et modélisation non linéaire du Mestec
Author: Monique LajugiePublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 153
Book Description
Ce mémoire présente une bibliographie des méthodes d'analyse non linéaire utilisables pour la simulation de circuits microondes. Nous développons ensuite un modèle non linéaire de MESTEC, basé sur une description analytique de son comportement électrique. Les mesures électriques nécessaires à la caractérisation des paramètres du modèle sont décrites. L'intégration du modèle dans un logiciel d'analyse temporelle est effectuée. Le modèle implanté est validé en régime fort signal par une comparaison avec des résultats expérimentaux (mesures de "load-pull"). Les caractéristiques de sortie du MESTEC nécessaires à la conception d'amplificateurs de puissance sont alors déterminées par le calcul. Nous décrivons une méthode conduisant à la réalisation de deux amplificateurs : un amplificateur 0,4 W dans la bande 4,5 - 18 GHz; un amplificateur 1 W dans la bande 4-18 GHz.
APPLICATION DU FORMALISME DE LA FONCTION DE DESCRIPTION A LA MODELISATION NON-LINEAIRE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE MICROONDE DE PUISSANCE
Author: Jean-Claude GiraudonPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 215
Book Description
LE TRAVAIL DANS CETTE ETUDE CONSISTE EN LA MISE EN PLACE DES OUTILS NECESSAIRES A L'OPTIMISATION ET A LA MESURE DES CIRCUITS NON-LINEAIRES A TRANSISTORS BIPOLAIRES. A PARTIR DU MODELE TEMPOREL THEORIQUE DE TRANSISTOR, ON A DETERMINE SON MODELE FREQUENTIEL, QUE NOUS AVONS UTILISE POUR CALCULER SES IMPEDANCES APPARENTES OPTIMALES DE CHARGES, DANS SON FONCTIONNEMENT EN AMPLIFICATEUR CLASSE C. D'AUTRE PART ON A PREPARE LES MESURES NECESSAIRES A LA MODELISATION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE HYPERFREQUENCE DE PUISSANCE
Modèles non linéaires distribués des transistors à effet de champ
Author: Benoît Mallet-GuyPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 162
Book Description
LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICROONDES. DEUX NOUVELLES APPROCHES DE MODELISATION SONT PRESENTEES. ELLES S'APPUIENT TOUTES LES DEUX SUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU TRANSISTOR. DANS LA PREMIERE, LE CANAL EST REPRESENTE PAR UNE LIGNE DE TRANSMISSION ACTIVE. LE MODELE NON LINEAIRE RESULTANT A MONTRE, LORS DE SA VALIDATION PAR DES MESURES DU TYPE LOAD-PULL, UNE REELLE AMELIORATION A REPRODUIRE LE MECANISME DE SATURATION DE LA PUISSANCE DE SORTIE. LE DEUXIEME MODELE PRESENTE DANS CE MANUSCRIT UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE.