MODELISATION EN SIGNAL ET EN BRUIT DES TRANSISTORS FET MILLIMETRIQUES. APPLICATION PDF Download
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LA NECESSITE DE PREVOIR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS FET MILLIMETRIQUES (MESFET, HEMT) POUR DES FREQUENCES DE PLUS EN PLUS ELEVEES, CONDUIT A LA RECHERCHE DE MODELES ELECTRIQUES DECRIVANT DE MANIERE FINE LE COMPORTEMENT DU COMPOSANT. DANS CETTE DIRECTION, NOUS PRESENTONS L'ETUDE D'UN MODELE DE FET DISTRIBUE UTILISABLE AUX FREQUENCES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES POUR LES APPLICATIONS DES AMPLIFICATEURS M(H)MIC. CE MODELE CONSIDERE LES 3 ELECTRODES (SOURCE GRILLE ET DRAIN) COMME 3 LIGNES DE PROPAGATION COUPLEES ENTRE ELLES. ON PROPOSE UNE PROCEDURE SYSTEMATIQUE DE MODELISATION TANT AU POINT DE VUE SIGNAL (SCHEMA EQUIVALENT EN PETITS SIGNAUX), QU'AU POINT DE VUE BRUIT (DETERMINATION DES PARAMETRES DE BRUIT) DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DESTINES A FONCTIONNER DANS LA BANDE DES ONDES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES. ON PREND EN COMPTE LES PHENOMENES DE PROPAGATION DANS LES ELECTRODES DU TRANSISTOR EN CONSIDERANT UNE MODELISATION SEMI-DISTRIBUEE (DECOUPAGE EN TRANCHES), CETTE MODELISATION CONSTITUANT, AVEC UN NOMBRE DE TRANCHES SUFFISANT, UNE TRES BONNE APPROXIMATION DE MODELISATION DISTRIBUEE EXACTE. A L'AIDE DE LA MATRICE DE CORRELATION, ON PRESENTE AUSSI LA C.A.O NECESSAIRE A LA MODELISATION SIMULTANEE SIGNAL-BRUIT (ELECTRIQUE ET THERMIQUE) ET A L'ETUDE DES CONFIGURATIONS OPTIMALES DE CE COMPOSANT ET DES TRANSISTORS A ONDES PROGRESSIVES (TWFET)
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LA NECESSITE DE PREVOIR LES PERFORMANCES DES TRANSISTORS FET MILLIMETRIQUES (MESFET, HEMT) POUR DES FREQUENCES DE PLUS EN PLUS ELEVEES, CONDUIT A LA RECHERCHE DE MODELES ELECTRIQUES DECRIVANT DE MANIERE FINE LE COMPORTEMENT DU COMPOSANT. DANS CETTE DIRECTION, NOUS PRESENTONS L'ETUDE D'UN MODELE DE FET DISTRIBUE UTILISABLE AUX FREQUENCES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES POUR LES APPLICATIONS DES AMPLIFICATEURS M(H)MIC. CE MODELE CONSIDERE LES 3 ELECTRODES (SOURCE GRILLE ET DRAIN) COMME 3 LIGNES DE PROPAGATION COUPLEES ENTRE ELLES. ON PROPOSE UNE PROCEDURE SYSTEMATIQUE DE MODELISATION TANT AU POINT DE VUE SIGNAL (SCHEMA EQUIVALENT EN PETITS SIGNAUX), QU'AU POINT DE VUE BRUIT (DETERMINATION DES PARAMETRES DE BRUIT) DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DESTINES A FONCTIONNER DANS LA BANDE DES ONDES CENTIMETRIQUES ET MILLIMETRIQUES. ON PREND EN COMPTE LES PHENOMENES DE PROPAGATION DANS LES ELECTRODES DU TRANSISTOR EN CONSIDERANT UNE MODELISATION SEMI-DISTRIBUEE (DECOUPAGE EN TRANCHES), CETTE MODELISATION CONSTITUANT, AVEC UN NOMBRE DE TRANCHES SUFFISANT, UNE TRES BONNE APPROXIMATION DE MODELISATION DISTRIBUEE EXACTE. A L'AIDE DE LA MATRICE DE CORRELATION, ON PRESENTE AUSSI LA C.A.O NECESSAIRE A LA MODELISATION SIMULTANEE SIGNAL-BRUIT (ELECTRIQUE ET THERMIQUE) ET A L'ETUDE DES CONFIGURATIONS OPTIMALES DE CE COMPOSANT ET DES TRANSISTORS A ONDES PROGRESSIVES (TWFET)
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Aujourd'hui, l'amélioration des fréquences de coupure des transistors sur silicium en technologie CMOS et BiCMOS permet la conception d'applications au-delà de 110 GHz. Des recherches antérieures dans le cadre du laboratoire commun entre STMicroelectronics et l'IEMN ont permis le développement de méthodologies et d'outils de caractérisation en régime petit signal jusque 325 GHz et en bruit jusque 110 GHz. L'objectif de cette thèse est la conception d'un outil de caractérisation en bruit au-delà de 110 GHz pour permettre l'extraction des quatre paramètres de bruit des transistors. Après une présentation des difficultés liées à la caractérisation millimétrique sur silicium, la deuxième première partie de ce travail se consacre au développement d'un banc de mesure de bruit dans la bande 130 - 170 GHz. Son optimisation a permis d'obtenir un facteur de bruit du récepteur inférieur à 7 dB sur toute la bande de fréquences. La conception de tuners intégrés sur silicium en technologie BiCMOS9MW est ensuite détaillée. Leur réalisation a permis l'extraction des quatre paramètres de bruit d'un transistor bipolaire en technologie BiCMOS9MW dans la bande 130 - 170 GHz. La dernière partie de ce travail présente la mesure et l'extraction des modèles petit signal et de bruit jusque 110 GHz des transistors MOSFET et TBH avancés de STMicroelectronics permettant l'établissement d'une base de données pour des caractérisations au-delà de 110 GHz. Enfin, une ouverture vers un système de mesure de bruit totalement intégré sur silicium est évoquée pouvant permettre des caractérisations en bruit au-delà de 170 GHz.
Author: Alban Laloue Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 227
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICRO-ONDES. UNE PREMIERE APPROCHE UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE. D'AUTRE PART, LES SPECIFICATIONS DRACONIENNES IMPOSEES AUX SPECTRES DE BRUIT DES OSCILLATEURS INCLUS DANS LES SYSTEMES ELECTRONIQUES IMPOSENT UNE MODELISATION RIGOUREUSE DU COMPORTEMENT EN BRUIT BASSE FREQUENCE DES COMPOSANTS ACTIFS. EN EFFET, LA PRESENCE DE BRUIT CONVERTI PAR MODULATION DE PHASE ET D'AMPLITUDE AUTOUR DE LA PORTEUSE DES OSCILLATEURS, CONTRIBUE A L'AUGMENTATION DES TAUX D'ERREURS ET A LA DIMINUTION DE LA SENSIBILITE DES RADARS POUR NE CITER QUE CES DEUX EXEMPLES. UN NOUVEAU MODELE DE TEC DE TYPE DISTRIBUE INCLUANT CES SOURCES DE BRUIT EST DONC DEVELOPPE. LA DEUXIEME PARTIE DE NOS TRAVAUX S'EST ORIENTEE DANS LA MISE AU POINT DE METHODES DE SIMULATION RAPIDES ET PRECISES DU COMPORTEMENT EN BRUIT DES CIRCUITS NON LINEAIRES. LA COMPLEXITE GRANDISSANTE DES CIRCUITS INTEGRES MMIC ENTRAINE UN BESOIN DE METHODES DE SIMULATION DE TYPE SYSTEME. UNE TELLE METHODE A ETE DEVELOPPEE ET NOUS A PERMIS DE SIMULER AVEC PRECISION LA SOURCE MILLIMETRIQUE COMPLETE D'UN RADAR ANTI-COLLISION FONCTIONNANT A 77 GHZ.
Author: Alexander V. Sergienko Publisher: CRC Press ISBN: 1420026607 Category : Science Languages : en Pages : 248
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All current methods of secure communication such as public-key cryptography can eventually be broken by faster computing. At the interface of physics and computer science lies a powerful solution for secure communications: quantum cryptography. Because eavesdropping changes the physical nature of the information, users in a quantum exchange can easily detect eavesdroppers. This allows for totally secure random key distribution, a central requirement for use of the one-time pad. Since the one-time pad is theoretically proven to be undecipherable, quantum cryptography is the key to perfect secrecy. Quantum Communications and Cryptography is the first comprehensive review of the past, present, and potential developments in this dynamic field. Leading expert contributors from around the world discuss the scientific foundations, experimental and theoretical developments, and cutting-edge technical and engineering advances in quantum communications and cryptography. The book describes the engineering principles and practical implementations in a real-world metropolitan network as well as physical principles and experimental results of such technologies as entanglement swapping and quantum teleportation. It also offers the first detailed treatment of quantum information processing with continuous variables. Technologies include both free-space and fiber-based communications systems along with the necessary protocols and information processing approaches. Bridging the gap between physics and engineering, Quantum Communications and Cryptography supplies a springboard for further developments and breakthroughs in this rapidly growing area.
Author: Amal El Fallah Seghrouchni Publisher: John Wiley & Sons ISBN: 184821958X Category : Science Languages : en Pages : 268
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Smart cities are a new vision for urban development. They integrate information and communication technology infrastructures – in the domains of artificial intelligence, distributed and cloud computing, and sensor networks – into a city, to facilitate quality of life for its citizens and sustainable growth. This book explores various concepts for the development of these new technologies (including agent-oriented programming, broadband infrastructures, wireless sensor networks, Internet-based networked applications, open data and open platforms), and how they can provide smart services and enablers in a range of public domains. The most significant research, both established and emerging, is brought together to enable academics and practitioners to investigate the possibilities of smart cities, and to generate the knowledge and solutions required to develop and maintain them.
Author: Francine Krief Publisher: John Wiley & Sons ISBN: 1118580893 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 235
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This book focuses on green networking, which is an important topic for the scientific community composed of engineers, academics, researchers and industrialists working in the networking field. Reducing the environmental impact of the communications infrastructure has become essential with the ever increasing cost of energy and the need for reducing global CO2 emissions to protect our environment. Recent advances and future directions in green networking are presented in this book, including energy efficient networks (wired networks, wireless networks, mobile networks), adaptive networks (cognitive radio networks, green autonomic networking), green terminals, and industrial research into green networking (smart city, etc.).
Author: ABDOLALI.. ABDIPOUR
Author: ABDOLALI.. ABDIPOUR
Author: Laurent Poulain
Author: Alban Laloue
Author: Jean-Guy Tartarin
Author: Alexander V. Sergienko
Author: Raj Mittra
Author: K. C. Gupta
Author: Eric Brousseau
Author: Amal El Fallah Seghrouchni
Author: Francine Krief