Mise en oeuvre d'un système d'épitaxie par jets moléculaires en vue de l'obtention de couches dopées de Ga As PDF Download

Author: Norbert Fabre
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Languages : fr
Pages : 130

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Author: Bernard Delhomme
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Languages : fr
Pages : 25

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L'épitaxie par jets moleculaires: avantages et dispositif experimental. Etude "systeme" du procédé: analyse du procédé d'évaporation (calcul théorique de la vitesse de dépôt, analyse de l'influence des paramètres géométriques), cas particulier de couches gaas et ga::(x)al::(1-x)as sur support gaas. Conception et réalisation des sources d'évaporation. Mesure optique de la température et préparation du support. Etude des couches épitaxiques réalisées, en liaison avec les travaux expérimentaux et théoriques antérieurs. Objectifs actuels et conclusions.

Author: Florin Cristian Beuran
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Languages : fr
Pages : 270

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Author: ISABELLE.. HARDY
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Languages : fr
Pages : 211

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DESCRIPTION DU SYSTEME D'EPITAXIE UTILISE ET DES PROBLEMES DE CONTROLE DE LA CROISSANCE DE GAALAS/GAAS RENCONTRES. DETERMINATION DE LA COMPOSITION DU TERNAIRE REALISE A L'AIDE DE TROIS TECHNIQUES: DIFFRACTION RX, SONDE IONIQUE, SPECTROSCOPIE RAMAN. LES RESULTATS OBTENUS SONT UTILISES POUR FOURNIR DES ELEMENTS QUANTITATIFS POUR LE CONTROLE DU PROCESSUS D'EPITAXIE. UTILISATION DE L'EMISSION DE PHOTOLUMINESCENCE POUR OPTIMISER LES CONDITIONS DE CROISSANCE. ETUDE DETAILLEE, DANS LE CAS DE GAALAS, DES MESURES DE RESISTIVITE ET DE TENSION DE HALL. ENFIN, EXAMEN DE LA REALISATION D'HETEROSTRUCTURES GAALAS/GAAS A BARRIERE MODULEE ET PRESENTATION DES PERFORMANCES OBTENUES EN PHOTODETECTION A 820MM

Author: BRUNO.. LAMARE
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Languages : fr
Pages : 184

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LES SOURCES D'HYDRURES (ARSINE ET PHOSPHINE) UTILISEES EN EPITAXIE PRESENTENT DES RISQUES AUSSI BIEN POUR SES UTILISATEURS QUE POUR SON ENVIRONNEMENT. CE TRAVAIL A PORTE SUR L'ETUDE DES SUBSTITUTS D'HYDRURES D'ELEMENT V, LE TRISDIMETHYLAMINOARSENIC (TDMAAS) ET LE TERTIARYBUTYLPHOSPHINE (TBP), POUR LA REALISATION DE TBH GAAS/GAINP EN EPITAXIE PAR JETS CHIMIQUES (EJC). LA CROISSANCE, AVEC CES NOUVELLES SOURCES, DES DIFFERENTS MATERIAUX INTERVENANT DANS LA STRUCTURE DE CE COMPOSANT A ETE ETUDIEE. L'UTILISATION DU TBP A NECESSITE LA CONCEPTION D'UN INJECTEUR HAUTE TEMPERATURE, SPECIALEMENT ADAPTE AU CRAQUAGE THERMIQUE DE CETTE MOLECULE. LE TDMAAS A PERMIS, TOUT COMME L'ARSINE, D'OBTENIR DES COUCHES DE GAAS PURES OU DOPEES CARBONE (P=4X10#1#9 CM#-#3) LORSQU'IL EST ASSOCIE RESPECTIVEMENT AU TRIETHYLGALLIUM (TEGA) OU AU TRIMETHYLGALLIUM (TMGA). CE RESULTAT ORIGINAL LEVE LA SEULE RESERVE LIEE A L'UTILISATION DU TDMAAS, QUI PRESENTE, PAR AILLEURS DE NOMBREUX AVANTAGES PAR RAPPORT A L'ARSINE: PAS DE PRECRAQUAGE THERMIQUE A HAUTE TEMPERATURE, DES FAIBLES PICS DE CONTAMINATION D'INTERFACE, UN EFFET DE GRAVURE QUI PERMET UNE DESOXYDATION A BASSE TEMPERATURE (400C), UNE PLUS FAIBLE PRESSION DE LA CHAMBRE PENDANT LA CROISSANCE. LA CROISSANCE AVEC CES SOURCES, DES ALLIAGES GA#L#-#XIN#XAS ET GA#L#-#XIN#XAS#YP#L#-#Y A ETE ETUDIEE. LES PREMIERS RESULTATS OBTENUS MONTRENT DES PERSPECTIVES INTERESSANTES EN VUE DE LA REALISATION, A PARTIR DE CES SOURCES, DE MATERIAUX POUR L'OPTOELECTRONIQUE. L'ETUDE DES DOPANTS GAZEUX DE SILICIUM (TYPE N) MONTRE DES PHENOMENES D'EFFET MEMOIRE QUI NE SONT PAS ENCORE MAITRISES. POUR LA SOURCE DE CARBONE, LE TETRABROMURE DE CARBONE (CBR#4) PERMET UN DOPAGE DE TYPE P (5X10#1#9 CM#-#3) DANS GA#0#.#4#7IN#0#.#5#3AS, CE QUI A PERMIS LA PREMIERE REALISATION DE TBH INP/GAINAS A BASE DOPEE CARBONE. DES TBH GAAS/GAINP REALISES A PARTIR DE CES SOURCES SONT A L'ETAT DE L'ART POUR DES STRUCTURES REALISEES PAR UNE TECHNIQUE D'EJC SANS HYDRURES. L'UTILISATION DE CES SOURCES PERMET D'ENVISAGER UNE SIMPLIFICATION DE L'EQUIPEMENT DE L'EJC QUI ETAIT A PRESENT TROP COMPLEXE POUR ENVISAGER UN DEVELOPPEMENT INDUSTRIEL

Author: Paolo Mele
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ISBN: 9781536160864
Category : Zinc oxide thin films
Languages : en
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Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.