MECANISMES DE CRISTALLISATION EN PHASE SOLIDE DE FILMS MINCES DE SILICIUM AMORPHE DEPOSES PAR LPCVD PDF Download
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LES CINETIQUES DE CROISSANCE, DE GERMINATION ET DE CRISTALLISATION DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE (A-SI) DEPOSES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) ONT ETE DETERMINEES PAR RECUIT IN SITU DANS UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION. LA CINETIQUE DU PROCESSUS DE CROISSANCE EST LINEAIRE, ANISOTROPE ET CARACTERISEE PAR UNE ENERGIE D'ACTIVATION (E#A) EGALE A 2,4 EV. LA LOI DE GERMINATION EST DECRITE PAR UNE LOI PUISSANCE ET L'ENERGIE D'ACTIVATION DU PROCESSUS (E#A#N) DEPEND DE LA TEMPERATURE DE DEPOT DU FILM ET DE LA NATURE DU GAZ REACTANT (E#A#N = 2,4 EV: 520C-300 MTORR, FILIERE SIH#4 ET E#A#N=4,3 EV: 465C-200 MTORR, FILIERE SI#2H#6). LA CINETIQUE DE CRISTALLISATION SUIT LA LOI D'AVRAMI D'EXPOSANT N VARIANT DE 5 A 13, SELON LES CONDITIONS DE DEPOT ET LA TEMPERATURE DE RECUIT (T#R). LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE IN SITU EN HAUTE RESOLUTION MONTRE QUE PLUSIEURS MECANISMES REGISSENT LA CROISSANCE DES GRAINS DE SILICIUM ET QUE L'EVOLUTION DU FRONT DE CROISSANCE S'EFFECTUE PAR INCORPORATION SIMULTANEE DE PLUSIEURS CENTAINES D'ATOMES. LA SPECTROSCOPIE DE PERTE D'ENERGIE DES ELECTRONS A PERMIS DE DETERMINER LA DENSITE DES FILMS AMORPHES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN ORDRE A COURTE DISTANCE. LE NOMBRE D'ATOMES CONTENUS DANS LE GERME DE TAILLE CRITIQUE EST INDEPENDANT DES PARAMETRES DE DEPOT ET DE RECUIT. LA VARIATION DE L'EXPOSANT Q DE LA LOI DE GERMINATION S'INTERPRETE PAR UNE CINETIQUE DE MISE EN AMAS DES ATOMES DE SILICIUM LORS DU DEPOT, ET PAR UNE EXODIFFUSION RAPIDE DE L'HYDROGENE POUR T#R>600C. LES TRANSISTORS ELABORES A PARTIR DES FILMS DEPOSES A 465C ET 200 MTORR (FILIERE SI#2H#6) ET RECUITS A 600C OU 750C PRESENTENT LES MEILLEURS PERFORMANCES ELECTRIQUES ET SONT CORRELEES AU MAXIMUM DE LA TAILLE DES GRAINS (D#G). CE DERNIER PARAMETRE EST LIE A DES VITESSES DE GERMINATION ET DE CROISSANCE RESPECTIVEMENT MINIMALE ET MAXIMALE. UN RECUIT ANISOTHERME EST PROPOSE AFIN D'AUGMENTER LA TAILLE DES GRAINS, DE DIMINUER LA LARGEUR DES DISTRIBUTIONS DES TAILLES ET LES TEMPS DE RECUIT
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LES CINETIQUES DE CROISSANCE, DE GERMINATION ET DE CRISTALLISATION DES FILMS DE SILICIUM AMORPHE (A-SI) DEPOSES PAR LPCVD (LOW PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION) ONT ETE DETERMINEES PAR RECUIT IN SITU DANS UN MICROSCOPE ELECTRONIQUE A TRANSMISSION. LA CINETIQUE DU PROCESSUS DE CROISSANCE EST LINEAIRE, ANISOTROPE ET CARACTERISEE PAR UNE ENERGIE D'ACTIVATION (E#A) EGALE A 2,4 EV. LA LOI DE GERMINATION EST DECRITE PAR UNE LOI PUISSANCE ET L'ENERGIE D'ACTIVATION DU PROCESSUS (E#A#N) DEPEND DE LA TEMPERATURE DE DEPOT DU FILM ET DE LA NATURE DU GAZ REACTANT (E#A#N = 2,4 EV: 520C-300 MTORR, FILIERE SIH#4 ET E#A#N=4,3 EV: 465C-200 MTORR, FILIERE SI#2H#6). LA CINETIQUE DE CRISTALLISATION SUIT LA LOI D'AVRAMI D'EXPOSANT N VARIANT DE 5 A 13, SELON LES CONDITIONS DE DEPOT ET LA TEMPERATURE DE RECUIT (T#R). LA MICROSCOPIE ELECTRONIQUE IN SITU EN HAUTE RESOLUTION MONTRE QUE PLUSIEURS MECANISMES REGISSENT LA CROISSANCE DES GRAINS DE SILICIUM ET QUE L'EVOLUTION DU FRONT DE CROISSANCE S'EFFECTUE PAR INCORPORATION SIMULTANEE DE PLUSIEURS CENTAINES D'ATOMES. LA SPECTROSCOPIE DE PERTE D'ENERGIE DES ELECTRONS A PERMIS DE DETERMINER LA DENSITE DES FILMS AMORPHES ET DE METTRE EN EVIDENCE L'EXISTENCE D'UN ORDRE A COURTE DISTANCE. LE NOMBRE D'ATOMES CONTENUS DANS LE GERME DE TAILLE CRITIQUE EST INDEPENDANT DES PARAMETRES DE DEPOT ET DE RECUIT. LA VARIATION DE L'EXPOSANT Q DE LA LOI DE GERMINATION S'INTERPRETE PAR UNE CINETIQUE DE MISE EN AMAS DES ATOMES DE SILICIUM LORS DU DEPOT, ET PAR UNE EXODIFFUSION RAPIDE DE L'HYDROGENE POUR T#R>600C. LES TRANSISTORS ELABORES A PARTIR DES FILMS DEPOSES A 465C ET 200 MTORR (FILIERE SI#2H#6) ET RECUITS A 600C OU 750C PRESENTENT LES MEILLEURS PERFORMANCES ELECTRIQUES ET SONT CORRELEES AU MAXIMUM DE LA TAILLE DES GRAINS (D#G). CE DERNIER PARAMETRE EST LIE A DES VITESSES DE GERMINATION ET DE CROISSANCE RESPECTIVEMENT MINIMALE ET MAXIMALE. UN RECUIT ANISOTHERME EST PROPOSE AFIN D'AUGMENTER LA TAILLE DES GRAINS, DE DIMINUER LA LARGEUR DES DISTRIBUTIONS DES TAILLES ET LES TEMPS DE RECUIT
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LA POTENTIALITE DU DISILANE COMME FILIERE GAZEUSE POUR LA REALISATION DE FILMS DE POLYSILICIUM, OBTENUS PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A BASSE PRESSION, EST ETUDIEE DU POINT DE VUE DE L'INFLUENCE DES PARAMETRES DE DEPOT (TEMPERATURE , PRESSION, FACTEURS GEOMETRIQUES) SUR LA CINETIQUE DE DEPOT, L'HOMOGENEITE, LA CRISTALLISATION PAR RECUIT A 600C ET LA CINETIQUE D'OXYDATION A 600C EN AMBIANCE HUMIDE. DANS UNE PREMIERE ETAPE, NOUS ESSAYONS DE DISCERNER LES PHENOMENES PHYSICOCHIMIQUES POUVANT INTERVENIR LORS DU DEPOT ET SUSCEPTIBLES D'EXPLIQUER LES RESULTATS OBTENUS CONCERNANT LA CINETIQUE DE DEPOT ET L'HOMOGENEITE DES FILMS REALISES. LE RECUIT EN ATMOSPHERE NEUTRE ET L'OXYDATION DE CES FILMS A 600C NOUS A PERMIS DE CONSTATER QUE, MOYENNANT UN CHOIX JUDICIEUX DES CONDITIONS DE DEPOT, LA FILIERE DISILANE PERMET D'OBTENIR A LA FOIS UNE CRISTALLISATION OPTIMALE ET UN TAUX D'OXYDATION MAXIMUM, CE QUI N'EST PAS LE CAS DES AUTRES FILIERES. LA DERNIERE PARTIE DU MEMOIRE DONNE LES RESULTATS ELECTRIQUES OBTENUS POUR DIFFERENTES SERIES DE TRANSISTORS A FILMS MINCES, REALISES SUR LES MATERIAUX ETUDIES, ET DONT LA FABRICATION INCLUT DES ETAPES TECHNOLOGIQUES ORIGINALES COMME LA REALISATION D'ISOLANTS DE GRILLE BI-COUCHES SIO2-SI3-N4, LE DOPAGE IN-SITU LORS DU DEPOT POUR LA REALISATION DES ZONES DE DRAIN ET DE SOURCE, OU L'HYDROGENATION PAR PLASMA. LES VALEURS DE MOBILITE OBTENUES (27 CM2/V.S POUR LES ELECTRONS, 22,7 CM2/VS POUR LES TROUS), COMPAREES A CELLES DE LA LITTERATURE, CONFIRMENT L'AVENIR DU DISILANE COMME FILIERE GAZEUSE ADAPTEE A LA REALISATION PAR LPCVD DE FILMS QUI REPONDENT AUX BESOINS DES NOUVELLES TECHNOLOGIES MICROELECTRONIQUES
Author: Agnes Buka Publisher: World Scientific ISBN: 1848167997 Category : Science Languages : en Pages : 299
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The book intends to give a state-of-the-art overview of flexoelectricity, a linear physical coupling between mechanical (orientational) deformations and electric polarization, which is specific to systems with orientational order, such as liquid crystals. Chapters written by experts in the field shed light on theoretical as well as experimental aspects of research carried out since the discovery of flexoelectricity. Besides a common macroscopic (continuum) description the microscopic theory of flexoelectricity is also addressed. Electro-optic effects due to or modified by flexoelectricity as well as various (direct and indirect) measurement methods are discussed. Special emphasis is given to the role of flexoelectricity in pattern-forming instabilities. While the main focus of the book lies in flexoelectricity in nematic liquid crystals, peculiarities of other mesophases (bent-core systems, cholesterics, and smectics) are also reviewed. Flexoelectricity has relevance to biological (living) systems and can also offer possibilities for technical applications. The basics of these two interdisciplinary fields are also summarized.
Author: Jerome V. Moloney Publisher: Springer Science & Business Media ISBN: 9780387985817 Category : Business & Economics Languages : en Pages : 270
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Mathematical methods play a significant role in the rapidly growing field of nonlinear optical materials. This volume discusses a number of successful or promising contributions. The overall theme of this volume is twofold: (1) the challenges faced in computing and optimizing nonlinear optical material properties; and (2) the exploitation of these properties in important areas of application. These include the design of optical amplifiers and lasers, as well as novel optical switches. Research topics in this volume include how to exploit the magnetooptic effect, how to work with the nonlinear optical response of materials, how to predict laser-induced breakdown in efficient optical devices, and how to handle electron cloud distortion in femtosecond processes.
Author: JEAN-PAUL.. GUILLEMET
Author: JEAN-PAUL.. GUILLEMET
Author: Mohammed Guendouz
Author: Juan-José Pedroviejo Poyatos
Author: Agnes Buka
Author: Jerome V. Moloney