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Author: Jean-Luc Gautier Publisher: John Wiley & Sons ISBN: 111881486X Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 329
Book Description
This book presents methods for the design of the main microwave active devices. The first chapter focuses on amplifiers working in the linear mode. The authors present the problems surrounding narrowband and wideband impedance matching, stability, polarization and the noise factor, as well as specific topologies such as the distributed amplifier and the differential amplifier. Chapter 2 concerns the power amplifier operation. Specific aspects on efficiency, impedance matching and class of operation are presented, as well as the main methods of linearization and efficiency improvement. Frequency transposition is the subject of Chapter 3. The author presents the operating principle as well as the different topologies using transistors and diodes. Chapter 4 is dedicated to the operation of fixed frequency and tunable oscillators such as the voltage controlled oscillator (VCO) and the yttrium iron garnet (YIG). The final chapter presents the main control functions, i.e. attenuators, phase shifters and switches.
Author: Jean-Luc Gautier Publisher: John Wiley & Sons ISBN: 111881486X Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 329
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This book presents methods for the design of the main microwave active devices. The first chapter focuses on amplifiers working in the linear mode. The authors present the problems surrounding narrowband and wideband impedance matching, stability, polarization and the noise factor, as well as specific topologies such as the distributed amplifier and the differential amplifier. Chapter 2 concerns the power amplifier operation. Specific aspects on efficiency, impedance matching and class of operation are presented, as well as the main methods of linearization and efficiency improvement. Frequency transposition is the subject of Chapter 3. The author presents the operating principle as well as the different topologies using transistors and diodes. Chapter 4 is dedicated to the operation of fixed frequency and tunable oscillators such as the voltage controlled oscillator (VCO) and the yttrium iron garnet (YIG). The final chapter presents the main control functions, i.e. attenuators, phase shifters and switches.
Author: Claude Duvanaud Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 276
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DANS CE MEMOIRE, UN NOUVEAU TYPE D'ANALYSE ET DE CONCEPTION OPTIMALE D'AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE A L'ETAT SOLIDE A ETE DEVELOPPE ET APPLIQUE A LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS A HAUT RENDEMENT DESTINES A DES SYSTEMES DE TELECOMMUNICATIONS MICROONDES. UNE ETUDE PRELIMINAIRE DES CONDITIONS D'ADAPTATION DU TRANSISTOR EN REGIME NON LINEAIRE DE FONCTIONNEMENT NOUS A PERMIS DE VERIFIER L'EXISTENCE D'UN COMPROMIS ENTRE L'OBTENTION D'UN RENDEMENT ELEVE ET D'UN NIVEAU D'INTERMODULATION MINIMUM. D'AUTRE PART, LA MISE EN UVRE DE NOUVELLES CLASSES DE FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR A ETE ENVISAGEE AFIN D'AMELIORER LE RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE. AUX FREQUENCES MICROONDES, NOUS MONTRONS QUE LES CLASSES LES PLUS PERFORMANTES NECESSITENT LA DESCRIPTION DE TOPOLOGIES ORIGINALES DE RESEAUX D'ADAPTATION AFIN DE VERIFIER DES SPECIFICATIONS PARTICULIERES DE CHARGE AUX FREQUENCES HARMONIQUES. LES RESULTATS THEORIQUES ISSUS DE CES DIFFERENTES ETUDES ONT ETE APPLIQUES A LA CONCEPTION DE DEUX AMPLIFICATEURS CLASSE F, DESTINES L'UN A DES MODULES ACTIFS D'EMISSION-RECEPTION A ANTENNE ACTIVE, L'AUTRE A DES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. LES PERFORMANCES EXPERIMENTALES OBTENUES PERMETTENT D'ENVISAGER L'UTILISATION DE LA METHODOLOGIE ELABOREE POUR LA CONCEPTION DE DISPOSITIFS ACTIFS DES FUTURES SYSTEMES DE TELECOMMUNICATIONS
Author: Marc Zoyo Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 233
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L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL A ETE DE DETERMINER UNE METHODOLOGIE DE CONCEPTION ORIGINALE ET SYSTEMATIQUE D'AMPLIFICATEURS HYPERFREQUENCES DE PUISSANCE A TRES HAUT RENDEMENT, EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET CE POUR DES APPLICATIONS SPATIALES. LA PREMIERE PARTIE CONSTITUE UNE INTRODUCTION DETAILLANT LES DIVERS PHENOMENES RELATIFS A L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE DANS LE DOMAINE DES HYPERFREQUENCES. UN EXEMPLE PARTICULIER DU FONCTIONNEMENT A FORT RENDEMENT, APPELE LA CLASSE F, EST EXPLICITE. LA DEUXIEME PARTIE TRAITE DE LA CARACTERISATION ET DE LA MODELISATION DE DIFFERENTS TYPES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP DE PUISSANCE. IL EST AINSI PROPOSE UNE NOUVELLE APPROCHE DE LA CARACTERISATION, BASEE SUR DES TRANSFORMATIONS LARGE BANDE D'IMPEDANCES, AFIN D'EXTRAIRE DES MODELES ELECTRIQUES EQUIVALENTS EN REGIMES LINEAIRE ET NON-LINEAIRE. LA TROISIEME PARTIE CONCERNE LA CONCEPTION ET LA REALISATION D'AMPLIFICATEURS HYBRIDES DE PUISSANCE A FORT RENDEMENT FONCTIONNANT EN BANDE X (8,2GHZ) ET CONSTITUES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A HETEROSTRUCTURE (HFET). DES CORRELATIONS ENTRE LES RESULTATS EXPERIMENTAUX ET CEUX PREDITS PAR LES SIMULATIONS ONT PERMIS DE MONTRER UNE BONNE ADEQUATION. L'INFLUENCE DES CHARGES PRESENTEES AUX DEUX PREMIERS HARMONIQUES DU SIGNAL APPLIQUE SUR LE COMPORTEMENT DU HFET DE PUISSANCE EST ETUDIEE ET DISCUTEE. DANS LA DERNIERE PARTIE, LA PROCEDURE DE CONCEPTION DE CE TYPE D'AMPLIFICATEUR EST VALIDEE A L'AIDE DE DIVERSES APPLICATIONS TELS QUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE FONCTIONNANT EN BANDE X OU EN BANDE S, A BASE DE TRANSISTORS PSEUDOMORPHIQUES A HAUTE MOBILITE ELECTRONIQUE (PHEMT)
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L'OBJECTIF DE CETTE ETUDE EST D'EVALUER LES POTENTIALITES DU TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION (TBH) POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT INDISPENSABLE POUR LES SYSTEMES DE RADIOCOMMUNICATIONS MOBILES. APRES LA DESCRIPTION DES MOYENS DE CARACTERISATIONS DE TRANSISTORS DE PUISSANCE DISPONIBLES AU SEIN DU LABORATOIRE, LES DEVELOPPEMENTS DE METHODOLOGIES ET D'OUTILS DE SIMULATION ET D'OPTIMISATION ET DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE SONT PRESENTES. LES POTENTIALITES DU TBH POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE A HAUT RENDEMENT A 1.8 GHZ SONT EVALUEES PAR L'UTILISATION INTENSIVE DES OUTILS D'OPTIMISATION DEVELOPPES. UN MODE DE FONCTIONNEMENT OPTIMAL EN RENDEMENT SPECIFIQUE AU TBH EST DEMONTRE. ENSUITE, LES PERFORMANCES THEORIQUES EN TERMES DE PUISSANCE, DE RENDEMENT ET DE LINEARITE D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION ET D'UN TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE DIMENSIONS SIMILAIRES SONT COMPARES. DES VALIDATIONS EXPERIMENTALES POUR UN FONCTIONNEMENT EN MONOPORTEUSE ET EN BIPORTEUSE SONT PRESENTEES. DEUS CONCEPTIONS D'AMPLIFICATEURS A BASE DE TBH EN BANDE L ET S RESPECTIVEMENT EN TECHNOLOGIE HYBRIDE ET MMIC SONT DECRITES DANS CE MEMOIRE. LES MESURES EFFECTUEES SUR L'AMPLIFICATEUR EN TECHNOLOGIE HYBRIDE CONFIRMENT LES POTENTIALITES DU TBH DANS LE DOMAINE DES RADIOCOMMUNICATIONS. EN EFFET, UN RENDEMENT EN PUISSANCE AJOUTEE DE 77% A ETE MESURE POUR UNE FAIBLE POLARISATION DE SORTEI (3,3 V)
Author: David Fournier Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 146
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Le marché des amplificateurs de puissance pour les combinés téléphoniques portables est actuellement dominé par les semi-conducteurs III-V, les transistors HBT et PHEMT GaAs étant utilisés dans les amplificateurs de puissances et les commutateurs d’antennes respectivement. Cette situation est cependant en train d’évoluer puisque des technologies silicium sur isolant (SOI, Silicon-On-Insulator) intégrant à la fois l’amplificateur de puissance (avec des transistors LDMOS) et les commutateurs d’antennes (avec des transistors CMOS ou des MEMS) sont en cours de qualification. Toutefois, les performances de ces transistors à grille polysilicium, intégrés aux technologies CMOS, limitent leur utilisation à des fréquences de travail inférieures à 2 GHz. L’objectif des travaux de thèse présentés dans ce manuscrit est d’étendre le domaine d’applications des transistors LDMOS aux réseaux de communication sans fil fonctionnant dans une gamme de fréquences de 3 à 5 GHz. Dans cette perspective, une première étude sur différents substrats SOI et massifs a permis de conclure que les substrats de type SOI mince pénalisent les performances des composants LDMOS, notamment à cause de l’effet d’auto-échauffement qui est plus important. Une seconde étude axée sur la structure même du composant indique qu’une modification du contact de grille permet d’augmenter de façon significative les performances en petit signal mais l’amélioration des performances grand signal est plus modérée. Enfin, une étude plus amont qui vise à remplacer le polysilicium des grilles par un métal a montré que la co-intégration de transistors CMOS classiques avec des transistors LDMOS à grille métallique est possible.
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Les travaux présentés dans ce mémoire sont une contribution à la conception d'amplificateurs micro-ondes de puissance. Nous présentons dans une première partie les différentes caractéristiques (grandeurs électriques, classes de fonctionnement,...) de l'amplification de puissance dans le domaine des hyperfréquences ainsi que le large spectre de transistors disponibles actuellement pour des applications de puissance. Le deuxième chapitre traite des techniques de caractérisation du fonctionnement non-linéaire des transistors de puissance. A côté de l'équilibrage harmonique ou de la caractérisation load-pull, nous proposons l'utilisation des paramètres S large signal comme méthode alternative. Ces paramètres S large signal sont une extension dans le domaine non-linéaire de la notion de paramètres S petit signal et nous permettent d'approcher la solution optimale dans le cas d'applications faiblement non-linéaires. Dans une troisième partie, nous proposons une extension de la méthode des fréquences réelles, introduite à l'origine par Yarman et Carlin, à la conception d'amplificateurs de puissance. Ainsi, nous décrivons une démarche itérative de conception d'amplificateurs multi-étages qui, dans un premier temps, optimise les performances de l'étage de puissance avant de concevoir les étages situés en amont en progressant vers le générateur. Nous avons vérifié la validité de cette démarche par la réalisation de deux amplificateurs de puissance en bande S. Un premier module a été construit autour d'un MESFET de puissance afin d'optimiser la puissance ajoutée. Un deuxième montage, basé sur trois transistors, a pour objectif d'optimiser à la fois la puissance ajoutée de l'étage de puissance et le gain linéaire des deux premiers étages.
Author: Xavier Begaud Publisher: John Wiley & Sons ISBN: 1118586573 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 217
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Ultra Wide Band Technology (UWB) has reached a level of maturity that allows us to offer wireless links with either high or low data rates. These wireless links are frequently associated with a location capability for which ultimate accuracy varies with the inverse of the frequency bandwidth. Using time or frequency domain waveforms, they are currently the subject of international standards facilitating their commercial implementation. Drawing up a complete state of the art, Ultra Wide Band Antennas is aimed at students, engineers and researchers and presents a summary of internationally recognized studies.
Author: Alain Sibille Publisher: Academic Press ISBN: 0123821959 Category : Technology & Engineering Languages : es Pages : 385
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Foreword from Arogyaswami Paulraj, Professor (Emeritus), Stanford University (USA) - The first book to show how MIMO principles can be implemented in today's mobile broadband networks and components - Explains and solves some of the practical difficulties that arise in designing and implementing MIMO systems - Both theory and implementation sections are written in the context of the most recent standards: IEEE 802.11n (WiFi); IEEE 802.16 (WIMAX); 4G networks (3GPP/3GPP2, LTE)
Author: Jean-Luc Gautier
Author: Jean-Luc Gautier
Author: Claude Duvanaud
Author: Lynn Kirby
Author: Marc Zoyo
Author: Alain Mallet
Author: David Fournier
Author: Mathieu Hazouard
Author: 
Author: Xavier Begaud
Author: Alain Sibille