Author: Laboratoires d'électronique et de physique appliquée (Limeil-Brévannes, France)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 91
Book Description
Le Transistor à effet de champ en arséniure de gallium
Author: Laboratoires d'électronique et de physique appliquée (Limeil-Brévannes, France)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 91
Book Description
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 91
Book Description
Réalisation d'un transistor à effet de champ à grille isolée sur arséniure de gallium [microforme]
Author: Christian Dubuc
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612217485
Category :
Languages : fr
Pages : 92
Book Description
Publisher: National Library of Canada = Bibliothèque nationale du Canada
ISBN: 9780612217485
Category :
Languages : fr
Pages : 92
Book Description
Applications Des Transistors a Effet de Champ en Arseniure de Gallium
APPLICATIONS DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM
Author: Daniel Lins
Publisher:
ISBN: 9782212052947
Category :
Languages : fr
Pages : 517
Book Description
Publisher:
ISBN: 9782212052947
Category :
Languages : fr
Pages : 517
Book Description
Contribution à l'étude des mécanismes de dégradation du transistor à effet de champ sur arséniure de galium
Applications des transistors à effet de champ en arséniure de gallium
ANALYSE DES PROPRIETES ELECTRIQUES DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME
Author: Jean-Louis Cazaux
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 225
Book Description
UN NOUVEAU SIMULATEUR DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-SEMICONDUCTEUR (MESFET) EST PRESENTE DANS CE MEMOIRE. CE LOGICIEL, DENOMME SIMTEC, EST SPECIALEMENT CONCU POUR LES TRANSISTORS A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME. IL PERMET LA DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES STATIQUES, DE PRESQUE TOUS LES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES PRINCIPALES PERFORMANCES MICROONDES DU COMPOSANT
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 225
Book Description
UN NOUVEAU SIMULATEUR DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP METAL-SEMICONDUCTEUR (MESFET) EST PRESENTE DANS CE MEMOIRE. CE LOGICIEL, DENOMME SIMTEC, EST SPECIALEMENT CONCU POUR LES TRANSISTORS A PROFIL DE DOPAGE NON UNIFORME. IL PERMET LA DETERMINATION DES CARACTERISTIQUES STATIQUES, DE PRESQUE TOUS LES ELEMENTS DU SCHEMA EQUIVALENT ET DES PRINCIPALES PERFORMANCES MICROONDES DU COMPOSANT
Le Transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium en régime non-linéaire d'amplification hyperfréquence de puissance
Author: Jean Kamdem (auteur d'une thèse de sciences.)
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176
Book Description
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176
Book Description
Propriétés statiques du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium à grille de Schottky
Le Transistor hyperfréquence à effet de champ à grille métallique sur arséniure de gallium
Author: Jacques Graffeuil
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 231
Book Description
ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY SUR GAAS. ANALYSE DES PROPRIETES EN BRUITS DE CE DISPOSITIF ET DE LA COUCHE EPITAXIALE QUI EN REPRESENTE LE CONSTITUANT ESSENTIEL. LES RESULTATS OBTENUS REPONDENT A LA PLUPART DES BESOINS QUI AVAIENT MOTIVE CETTE ETUDE EN PARTICULIER: ETABLISSEMENT DES MODELES PERMETTANT DE SIMULER LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DYNAMIQUES ET EN BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS MESFET, DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE MESURE ADAPTEES A LA DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISANT LES PROPRIETES DES TRANSISTORS, APPLICATION DE CES RESULTATS A LA CONCEPTION ASSISTEE DES MESFET.
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 231
Book Description
ETUDE DES PROPRIETES STATIQUES ET DYNAMIQUES PETITS SIGNAUX DU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A BARRIERE DE SCHOTTKY SUR GAAS. ANALYSE DES PROPRIETES EN BRUITS DE CE DISPOSITIF ET DE LA COUCHE EPITAXIALE QUI EN REPRESENTE LE CONSTITUANT ESSENTIEL. LES RESULTATS OBTENUS REPONDENT A LA PLUPART DES BESOINS QUI AVAIENT MOTIVE CETTE ETUDE EN PARTICULIER: ETABLISSEMENT DES MODELES PERMETTANT DE SIMULER LES CARACTERISTIQUES STATIQUES DYNAMIQUES ET EN BRUIT DE FOND DES TRANSISTORS MESFET, DEVELOPPEMENT DES TECHNIQUES DE MESURE ADAPTEES A LA DETERMINATION DES PARAMETRES CARACTERISANT LES PROPRIETES DES TRANSISTORS, APPLICATION DE CES RESULTATS A LA CONCEPTION ASSISTEE DES MESFET.