Author: Jean Kamdem (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
ISBN:
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Languages : fr
Pages : 176
Book Description
Le Transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium en régime non-linéaire d'amplification hyperfréquence de puissance
Author: Jean Kamdem (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176
Book Description
Le Transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium en régime non linéaire d'amplification hyperfréquence de puissance
Author: Jean KamdemPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 176
Book Description
MISE AU POINT D'UN MODELE MATHEMATIQUE DU TRANSISTOR UTILISABLE EN REGIME DE GRANDS SIGNAUX. ELABORATION D'UNE METHODE THEORIQUE ET DE CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU COMPOSANT, UTILISE EN TANT QU'ELEMENT AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE. ETUDE SUR LES PLANS THEORIQUE ET EXPERIMENTAL DES PROPRIETES DES IMPEDANCES QU'IL FAUT PLACER A L'ENTREE ET A LA SORTIE DU TRANSISTOR, POUR OBTENIR UN TRANSFERT OPTIMAL DE LA PUISSANCE VERS LA SORTIE, LORSQUE LA PUISSANCE INCIDENTE INJECTEE SUR LA GRILLE EST AUGMENTEE, ET UTILISATION DU MODELE LARGE SIGNAL POUR LA SIMULATION DU COMPORTEMENT DE CE TYPE DE COMPOSANT, EN FONCTIONNEMENT DOMAINE HYPERFREQUENCE NON LINEAIRE
LE TRANSISTOR HYPERFREQUENCE A EFFET DE CHAMP A L'ARSENIURE DE GALLIUM DANS LES REGIMES D'AMPLIFICATION DE PUISSANCE ET DE MULTIPLICATION DE FREQUENCE
Author: RABAH.. MAIMOUNIPublisher:
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Languages : fr
Pages : 168
Book Description
PAR UTILISATION D'UN MODELE MATHEMATIQUE NON LINEAIRE DU TEC GAAS COMPATIBLE AVEC LA C.A.O. DES CIRCUITS, ON PRESENTE TOUT D'ABORD UNE METHODOLOGIE D'ETUDE THEORIQUE DES AMPLIFICATEURS DE PUISSANCE HYPERFREQUENCE EN REGIME TEMPOREL QUE L'ON VALIDE PAR L'EXPERIENCE DANS LA BANDE 2-8 GHZ. ON DETERMINE ENSUITE LES QUALITES POTENTIELLES THEORIQUES DU TEC POUR LA MULTIPLICATION DE FREQUENCE QUE L'ON CONFIRME PAR UNE ETUDE EXPERIMENTALE MENEE SUR DES DOUBLEURS DE FREQUENCE DANS LES BANDES 2-4 ET 4-8 GHZ
Le Transistor hyperfréquence à effet de champ à l'arséniure de gallium
Author: Chérifa Azizi (auteur d'une thèse de sciences.)Publisher:
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Languages : fr
Pages : 206
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Eléments de technologie des transistors à effet de champ de puissance à l'arséniure de gallium fonctionnant en hyperfréquences
Author: Patrice Arsène-HenryPublisher:
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Languages : fr
Pages : 310
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Le transistor hyperfréquence a effet de champ a l'arséniure de Gallium
Author: C. AziziLe transistor hyperfréquence à effect de champ à l' arséniure de gallium
Author: Modélisation et analyse physique du fonctionnement en amplification de puissance hyperfréquence du transistor à effet de champ à l'arséniure de gallium
Author: Georges HalkiasPublisher:
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Languages : fr
Pages : 162
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Formulation des mécanismes physiques internes du T.E.C. en dynamique. Simulation du fonctionnement du T.E.C. en amplification classe A. Compréhension du comportement global du T.E.C. en amplification de puissance ; mécanismes limitatifs fondamentaux.
International Aerospace Abstracts
Author: Etude des non linéarités dans les amplificateurs hyperfréquences à transistor à effet de champs en régime faible et moyenne puissance
Author: Redouane YaquinePublisher:
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Languages : fr
Pages : 122
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Introduction à l'analyse des systèmes non linéaires par la technique des séries de Volterra. Application à l'étude du comportement non linéaire du transistor à effet de champ. Modèle numérique. Aspect expérimental, mesure de la distorsion basse fréquence des paramètres aux fréquences fondamentale et harmoniques. Mesure des éléments non linéaires dans la gamme 01 a 1 GHz, détermination du schéma équivalent du transistor à effet de champ. Application de la technique des séries de Volterra au calcul de l'intermodulation : étude du nec 388, etude du t.e.c. De puissance Thomson 27 gpf. Mesure de l'intermodulation