La fiabilité des composants RF de puissance PDF Download
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Author: Mohamed Gares Publisher: Editions Universitaires Europeennes ISBN: 9783841794963 Category : Languages : de Pages : 248
Book Description
Les fortes exigences de fonctionnement ont augmente la quantite de contraintes appliquees aux transistors qui constituent les modules de puissance dans les radars et ont un impact direct sur leurs temps de vie. Une connaissance approfondie de cet impact est necessaire pour une meilleure estimation de la fiabilite des modules. C'est pour toutes ces raisons, qu'une etude a ete engagee pour elaborer de nouvelles methodes d'investigations de la fiabilite des composants RF de puissance en conditions de fonctionnement Radar pulse. Par consequent, ce travail presente un banc dedie specifiquement a des tests de vie sur des composants RF de puissance sous des conditions de pulse RF. Un transistor RF LDMOS a ete retenu pour nos premiers tests en vieillissement acceleres sous diverses conditions. Des caracterisations electriques ont ete effectuees. Ainsi, un examen complet de ces parametres electriques critiques est expose et analyse. Toutes les derives des parametres electriques apres un vieillissement accelere sont etudiees et discutees. Pour comprendre les phenomenes physiques de degradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel a une simulation physique 2-D (Silvaco).
Author: Mohamed Gares Publisher: Editions Universitaires Europeennes ISBN: 9783841794963 Category : Languages : de Pages : 248
Book Description
Les fortes exigences de fonctionnement ont augmente la quantite de contraintes appliquees aux transistors qui constituent les modules de puissance dans les radars et ont un impact direct sur leurs temps de vie. Une connaissance approfondie de cet impact est necessaire pour une meilleure estimation de la fiabilite des modules. C'est pour toutes ces raisons, qu'une etude a ete engagee pour elaborer de nouvelles methodes d'investigations de la fiabilite des composants RF de puissance en conditions de fonctionnement Radar pulse. Par consequent, ce travail presente un banc dedie specifiquement a des tests de vie sur des composants RF de puissance sous des conditions de pulse RF. Un transistor RF LDMOS a ete retenu pour nos premiers tests en vieillissement acceleres sous diverses conditions. Des caracterisations electriques ont ete effectuees. Ainsi, un examen complet de ces parametres electriques critiques est expose et analyse. Toutes les derives des parametres electriques apres un vieillissement accelere sont etudiees et discutees. Pour comprendre les phenomenes physiques de degradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel a une simulation physique 2-D (Silvaco).
Author: Mohamed Gares Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages : 230
Book Description
Since their early implementation, the length of pulses and the cyclic report/ratio did not cease increasing in order to increase the radar performances. These strong requirements of operation increased the quantity of pressure applied to the transistors, which constitue the modules of power in the radars and have a direct impact over their life times. A thorough knowledge of this impact is necesary for a better estimation of the reliability of modules and transistors, which make it up. It is for all these reasons that a study was committed to work out new investigation methods of the power RF components under RF pulses conditions for a radar application. A transistor RF LDMOS was retained for our first tests in accelerated ageing under various conditions (DC, RF, temperature and TOS). Electric characterizations (I-V, C-V and [S] parameters) were carried out. Thus, a complete examination of these critical electric parameters is exposed and analysed. All electric parameter drift after an accelerated ageing are studied and discussed. According to the analysis of these results, one notes that the lower the temperature is, the more important the drifts int the significant electric parameters. In order to understand the physical degradation phenomena inside the structure, we performed a 2-D physical simulation (Silvaco-Atlas). Finally, the degradation mechanism proposed for RF LDMOS is the interface states creation by the hot carriers (traps).
Book Description
Depuis l'avènement des modules de puissance à état solide dans les radars, la longueur de pulse et le rapport cyclique n'ont cessé d'augmenter afin d'accroître les performances du radar. Ces fortes exigences de fonctionnement ont augmenté la quantité de contraintes appliquées aux transistors et ont un impact direct sur leurs temps de vie. Une connaissance approfondie de cet impact est nécessaire pour une meilleure estimation de la fiabilité des modules et des transistors qui la composent. C'est pour toutes ces raisons qu'une étude a été engagée pour élaborer de nouvelles méthodes d'investigations de la fiabilité des composants RF de puissance en condition de fonctionnement Radar pulsé. Par conséquent, ce travail présente un banc de fiabilité innovant, dédié spécifiquement à des tests de vie sur des composants RF de puissance sous des conditions de pulse RF pour une application radar. Un transistor RF LDMOS a été retenu pour nos premiers tests en vieillissement accélérés. Une caractérisation électrique complète (I-V, C-V et RF) a été effectuée. Ainsi, un examen complet de ces paramètres électriques critiques est exposé et analysé. Toutes les dérives des paramètres électriques après un vieillissement accéléré sont étudiées et discutées. D'après l'analyse de ces résultats, on constate que plus la température est basse, plus les dérives des paramètres électriques significatives sont imùportantes. Finalement, le mécanisme de dégradation proposé pour le RF LDMOS est, par conséquent, la création d'états d'interface par les porteurs chauds (pièges). De plus, plus d'états d'interfaces sont générés à température basse, en raison d'un phénomène d'ionisation par impact. c'est la raison pour laquelle les dégradations électriques sont plus fortes à 10°C.
Author: Mohamed Ali Belaïd Publisher: Editions Universitaires Europeennes ISBN: 9783838184845 Category : Languages : fr Pages : 196
Book Description
Les progres realises dans l'electronique conduit a une relance du debat sur la fiabilite et la duree de vie des composants ou des systemes. La temperature limite la duree de vie et joue un role essentiel dans les mecanismes de degradation, neanmoins reste la principale cause dans la majorite des cas. Dans ce contexte, ce livre presente une synthese des effets de porteurs chauds sur les performances de dispositif RF LDMOS de puissance, apres tests de vieillissement sous diverses conditions. Une caracterisation precieuse (IC-CAP) a ete effectuee et un nouveau modele electrothermique (ADS) a ete implante prenant en compte l'evolution de la temperature, lequel est utilise comme outil de fiabilite (extraction des parametres). Par la suite, un examen complet des derives des parametres electriques critiques est expose et analyse. Pour parvenir a une meilleure comprehension des phenomenes physiques de degradation, mis en jeu dans la structure, nous avons fait appel a une simulation physique 2-D (Silvaco-Atlas). Finalement, l'etude montre que le mecanisme de degradation est le phenomene d'injection des porteurs chauds dans les pieges d'oxyde deja existants et/ou dans l'interface Si/ SiO2.
Author: Thomas Quémerais Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages : 143
Book Description
Avec l'émergence d'applications millimétriques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilité est devenue un enjeu extrêmement important pour l'industrie. Dans un émetteur/récepteur radio, les problèmes de fiabilité concernent principalement les transistors MOS intégrés dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement élevés des puissances. Ces composants sont susceptibles de se détériorer fortement par le phénomène de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail de thèse concerne la conception et l'étude de la fiabilité des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fréquences millimétriques en technologies CMOS avancées. Le mémoire est articulé autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l'étude, la conception, la modélisation et la caractérisation des éléments actifs et passifs intégrés sur silicium et utilisés pour réaliser des amplificateurs de puissance aux fréquences millimétriques. Le troisième chapitre décrit les trois amplificateurs de puissance conçus et réalisés pour les tests de fiabilité. Enfin, le dernier chapitre propose une étude complète de la fiabilité de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie.
Author: Thomas Quémerais Publisher: Univ Europeenne ISBN: 9783841675217 Category : Languages : fr Pages : 180
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Avec l'emergence d'applications millimetriques (radar automobile ou le WHDMI...), la fiabilite est devenue un enjeu extremement important pour l'industrie. Dans un emetteur/recepteur radio, les problemes de fiabilite concernent principalement les transistors MOS integres dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement eleve des puissances. Ces composants sont susceptibles de se deteriorer fortement par le phenomene de l'injection de porteurs chauds impactant lourdement les performances des amplificateurs. Ce travail concerne la conception et l'etude de la fiabilite de ces circuits en technologies CMOS avancees. Le livre est articule autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l'etude, la conception, la modelisation et la caracterisation des elements actifs et passifs integres sur silicium et utilises pour realiser des amplificateurs de puissance aux frequences millimetriques. Le troisieme chapitre decrit les trois amplificateurs de puissance concus et realises pour les tests de fiabilite. Le dernier chapitre propose une etude complete de la fiabilite de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie.
Author: Roland Habchi Publisher: ISBN: Category : Languages : en Pages : 215
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The aim of this thesis is to study the operation of VDMOSFET power devices under extreme conditions.Switching times are measured by a newly defined method, first introduced in this document. Electrical and thermal stressing were applied in away to simulate real operating conditions.Switching times reliability is a function of the oxide thickness.After electrical stressing, a gain of speed is obtained in devices having very thick oxides but with large shifts of the threshold voltage, while in thinner oxides the variations were less observed.Switching times are also a function of temperature.Defects are then characterised by capacitance and conductance measurements, showing that a high density of oxide positive charges is obtainedwhen the device is stressed at low temperatures.Higher temperatures force the defects to migrate away from the interface so their affects are less observable.Regarding the fact that this study is realised on commercial devices, the introduced measurement procedures and the follow up of reliability are applicable to all kinds of MOSFET devices.
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CE MEMOIRE DE THESE TRAITE DE LA FIABILITE DES CIRCUITS INTEGRES MONOLITHIQUES EN ARSENIURE DE GALLIUM POUR L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE MICRO-ONDES A BORD DES SATELLITES DE TELECOMMUNICATIONS ET D'OBSERVATION. L'OBJECTIF DE CE TRAVAIL EST DE DETERMINER DES REGLES DE REDUCTION DES CONTRAINTES (EN TERMES DE TEMPERATURE, COURANT, TENSION, PUISSANCE) APPLIQUEES AUX CIRCUITS MICRO-ONDES. LA PREMIERE PARTIE ENONCE LES NOTIONS FONDAMENTALES DE LA FIABILITE DES COMPOSANTS EN ARSENIURE DE GALLIUM SUIVIS D'UNE SYNTHESE DES PRINCIPAUX MECANISMES DE DEFAILLANCES DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP EN ARSENIURE DE GALLIUM. LE SECOND CHAPITRE PROPOSE UNE METHODOLOGIE PERMETTANT L'EVALUATION DE LA FIABILITE DES CIRCUITS INTEGRES A SEMI CONDUCTEUR BASEE SUR LA DEFINITION DES VEHICULES DE TEST ET SUR LA MISE EN UVRE D'ESSAIS DE FIABILITE APPROPRIES. A PARTIR DES RESULTATS OBTENUS LORS DES ESSAIS DE STOCKAGE A HAUTE TEMPERATURE ET DE VIEILLISSEMENT SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUES STATIQUES, LA FIABILITE DE LA TECHNOLOGIE EST EVALUEE. CETTE PARTIE FAIT L'OBJET DU TROISIEME CHAPITRE. NOUS VALIDONS DANS LE QUATRIEME CHAPITRE L'APPLICATION CONSIDEREE (L'AMPLIFICATION DE PUISSANCE EN BANDE X) AU TRAVERS D'ESSAIS DE VIEILLISSEMENT SOUS CONTRAINTES ELECTRIQUES DYNAMIQUES. LE MECANISME DE DEGRADATION ACTIVE LORS DU FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN AMPLIFICATION DE PUISSANCE EST DU A LA MULTIPLICATION DES PORTEURS PAR IONISATION PAR IMPACT. A PARTIR DE CETTE ANALYSE, UNE METHODOLOGIE ALLIANT LA SIMULATION ELECTRIQUE NON-LINEAIRE AVEC DES ESSAIS DE VIEILLISSEMENT ACCELERE DE COURTE DUREE EST DEGAGEE. CETTE METHODOLOGIE PERMET D'EVALUER LA FIABILITE DES TRANSISTORS DE PUISSANCE EN ARSENIURE DE GALLIUM DES LE STADE DE LA CONCEPTION DES EQUIPEMENTS.
Author: Thomas Quémerais Publisher: Omniscriptum ISBN: 9786131544750 Category : Languages : fr Pages : 216
Book Description
Avec l' mergence d'applications millim triques telles que le radar automobile ou le WHDMI, la fiabilit est devenue un enjeu extr mement important pour l'industrie. Dans un metteur/r cepteur radio, les probl mes de fiabilit concernent principalement les transistors MOS int gr s dans les amplificateurs de puissance, compte-tenu des niveaux relativement lev des puissances. Ce livre concerne la conception et l' tude de la fiabilit des amplificateurs de puissance fonctionnant aux fr quences millim triques en technologies CMOS avanc es. Le m moire est articul autour de quatre chapitres. Les deux premiers chapitres concernent l' tude, la conception, la mod lisation et la caract risation des l ments actifs et passifs int gr s sur silicium et utilis s pour r aliser des amplificateurs de puissance aux fr quences millim triques. Le 3 me chapitre d crit les trois amplificateurs de puissance con us et r alis s pour les tests de fiabilit . Enfin, le dernier chapitre propose une tude compl te de la fiabilit de ces circuits jusqu'au calcul de leur temps de vie
Author: Titu I. Bajenescu Publisher: Springer Science & Business Media ISBN: 3642585051 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 547
Book Description
This application-oriented professional book explains why components fail, addressing the needs of engineers who apply reliability principles in design, manufacture, testing and field service. A detailed index, a glossary, acronym lists, reliability dictionaries and a rich specific bibliography complete the book.
Author: Mohamed Gares
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Author: Hichame Maanane
Author: Mohamed Ali Belaïd
Author: Thomas Quémerais
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Author: Roland Habchi
Author: Jean-Luc Muraro
Author: Thomas Quémerais
Author: Titu I. Bajenescu