FILMS MINCES SUPRACONDUCTEURS D'YBA2CU307-X ELABORES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR PDF Download
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NOUS AVONS MIS AU POINT DANS CE TRAVAIL UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A PARTIR DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES (OMCVD) POUR L'ELABORATION DE COUCHES MINCES SUPRACONDUCTRICES D'YBA2CU3O7X. LE PROCEDE DEVELOPPE PERMET UNE CROISSANCE DES FILMS SOUS FORTE PRESSION PARTIELLE D'OXYGENE (2,6 HPA). LE REACTEUR EST HORIZONTAL, DU TYPE MUR CHAUD. LES EPAISSEURS DES FILMS VONT DE 40 A 150 NM. D'EXCELLENTES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES ONT PU ETRE OBTENUES DANS UN LARGE INTERVALLE DE COMPOSITIONS, ALORS QUE LES FILMS APPARAISSENT DE PLUS EN PLUS LISSES LORSQUE L'ON SE RAPPROCHE DE LA STCHIOMETRIE 1:2:3. L'OBTENTION DE BONNES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES ET DE FAIBLES RUGOSITES NECESSITE DONC UN CONTROLE TRES STRICT DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE. L'ETUDE DE L'INFLUENCE DU SUBSTRAT A EGALEMENT ETE MENEE. LES DEPOTS SUR MGO(100), SRTIO3(100) ET LAA103(012) SONT TRES TEXTURES, AVEC L'AXE C PERPENDICULAIRE AU PLAN DE LA COUCHE, ET PRESENTENT UNE FORTE ORIENTATION DANS LE PLAN. D'AUTRES DIRECTIONS DE CROISSANCE ONT CEPENDANT PU ETRE DETERMINEES SUR MGO. LES TEMPERATURES CRITIQUES ET DENSITES DE COURANT CRITIQUE A 77 K SONT RESPECTIVEMENT DE 86 K ET 1,4.10#6A/CM#2 SUR MGO. LES MEILLEURES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES SONT OBTENUES SUR LES SUBSTRATS DE SRTIO3 ET LAA1O3. DES TEMPERATURES CRITIQUES SUPERIEURES A 90 K ET DES DENSITES DE COURANT CRITIQUE COMPRISES ENTRE 3 ET 4.10#6A/CM#2 ONT ETE MESUREES, CE QUI MONTRE QUE L'OMCVD EST DEVENUE UNE TECHNIQUE COMPETITIVE POUR LE DEPOT D'OXYDES SUPRACONDUCTEURS
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NOUS AVONS MIS AU POINT DANS CE TRAVAIL UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A PARTIR DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES (OMCVD) POUR L'ELABORATION DE COUCHES MINCES SUPRACONDUCTRICES D'YBA2CU3O7X. LE PROCEDE DEVELOPPE PERMET UNE CROISSANCE DES FILMS SOUS FORTE PRESSION PARTIELLE D'OXYGENE (2,6 HPA). LE REACTEUR EST HORIZONTAL, DU TYPE MUR CHAUD. LES EPAISSEURS DES FILMS VONT DE 40 A 150 NM. D'EXCELLENTES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES ONT PU ETRE OBTENUES DANS UN LARGE INTERVALLE DE COMPOSITIONS, ALORS QUE LES FILMS APPARAISSENT DE PLUS EN PLUS LISSES LORSQUE L'ON SE RAPPROCHE DE LA STCHIOMETRIE 1:2:3. L'OBTENTION DE BONNES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES ET DE FAIBLES RUGOSITES NECESSITE DONC UN CONTROLE TRES STRICT DE LA COMPOSITION DE LA PHASE GAZEUSE. L'ETUDE DE L'INFLUENCE DU SUBSTRAT A EGALEMENT ETE MENEE. LES DEPOTS SUR MGO(100), SRTIO3(100) ET LAA103(012) SONT TRES TEXTURES, AVEC L'AXE C PERPENDICULAIRE AU PLAN DE LA COUCHE, ET PRESENTENT UNE FORTE ORIENTATION DANS LE PLAN. D'AUTRES DIRECTIONS DE CROISSANCE ONT CEPENDANT PU ETRE DETERMINEES SUR MGO. LES TEMPERATURES CRITIQUES ET DENSITES DE COURANT CRITIQUE A 77 K SONT RESPECTIVEMENT DE 86 K ET 1,4.10#6A/CM#2 SUR MGO. LES MEILLEURES PROPRIETES SUPRACONDUCTRICES SONT OBTENUES SUR LES SUBSTRATS DE SRTIO3 ET LAA1O3. DES TEMPERATURES CRITIQUES SUPERIEURES A 90 K ET DES DENSITES DE COURANT CRITIQUE COMPRISES ENTRE 3 ET 4.10#6A/CM#2 ONT ETE MESUREES, CE QUI MONTRE QUE L'OMCVD EST DEVENUE UNE TECHNIQUE COMPETITIVE POUR LE DEPOT D'OXYDES SUPRACONDUCTEURS
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DES COUCHES MINCES SUPRACONDUCTRICES D'YBA#2CU#3O#7#-#X ONT ETE DEPOSEES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A PARTIR DE PRECURSEURS ORGANOMETALLIQUES SUR DES SUBSTRATS DE MGO (001), SRTIO#3 (001), LAALO#3 (012) ET YALO#3 (001). NOUS AVONS ETUDIE L'INFLUENCE DE LA NATURE DU SUBSTRAT, DE LA PRESSION PARTIELLE D'OXYGENE PENDANT LE DEPOT ET DE LA COMPOSITION DES FILMS SUR LES PROPRIETES MICROSTRUCTURALES, ELECTRIQUES ET SUR L'IMPEDANCE DE SURFACE DES FILMS. LES FILMS ELABORES SONT FORTEMENT TEXTURES, AVEC L'AXE C PERPENDICULAIRE AU PLAN DU SUBSTRAT. UNE RELATION D'EPITAXIE PARTICULIERE A ETE MISE EN EVIDENCE SUR YALO#3: UNE SEULE DIRECTION DE MACLAGE EST OBSERVEE AU LIEU DE DEUX COMME SUR MGO, LAALO#3 ET SRTIO#3. L'ORTHORHOMBICITE DU SUBSTRAT FAVORISE L'ALIGNEMENT DES DIRECTIONS 110 OU 10 D'YBCO SELON LA DIRECTION 010 D'YALO#3. L'IMPEDANCE DE SURFACE DES FILMS A ETE MESUREE PAR UNE TECHNIQUE DE CAVITE RESONNANTE EN CUIVRE A 87 GHZ ET PAR UNE TECHNIQUE DE RESONATEUR COPLANAIRE A 8 GHZ. LES MEILLEURS FILMS CVD ELABORES SUR MGO OU LAALO#3 PRESENTENT UNE TEMPERATURE CRITIQUE T#C#R 90 K (MESURE DE RESISTIVITE), UNE DENSITE DE COURANT CRITIQUE J#C SUPERIEURE A 10#6 A/CM#2, UNE PROFONDEUR DE PENETRATION A 0 K DE 155 NM, ET UNE RESISTANCE DE SURFACE COMPRISE ENTRE 15 MILLIOHMS ET 20 MILLIOHMS A 77 K ET 87 GHZ (SOIT R#S DE L'ORDRE DE 0.2 A 0.3 MILLIOHMS A 77 K ET 10 GHZ ET 10 GHZ SI R#S F#2). CES PERFORMANCES SONT EQUIVALENTES A CELLES DES MEILLEURS FILMS ELABORES PAR LES TECHNIQUES PVD (ABLATION LASER, PULVERISATION ET CO-EVAPORATION). NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE UNE CORRELATION ENTRE: LA RESISTANCE DE SURFACE A 0.85 T#C ET LA FRACTION DE GRAINS ORIENTES AXE-A DANS LE FILM, LA RESISTANCE DE SURFACE ET LA DENSITE DE COURANT CRITIQUE MESUREES A 0.85T#C, LA RESISTANCE DE SURFACE A 0.85 T#C ET LA PROFONDEUR DE PENETRATION A 0 K, LA PROFONDEUR DE PENETRATION A 0 K ET LA RESISTIVITE DANS L'ETAT NORMAL
Author: ERIC.. MOSSANG
Author: ERIC.. MOSSANG
Author: Catherine Dubourdieu