Author: Adnan Al Malki
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 190
Book Description
Méthodes d'extrapolation permettant de déterminer les paramètres S d'un tel transistor entre 18 et 26 GHz. Élaboration d'un banc de mesures vectorielles pour fréquences supérieures à 18 GHz. Conception et réalisation d'un amplificateur à 25 GHz.
Extrapolation des caractéristiques des transistors à effet de champ à l'AsGa
Author: Adnan Al Malki
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 190
Book Description
Méthodes d'extrapolation permettant de déterminer les paramètres S d'un tel transistor entre 18 et 26 GHz. Élaboration d'un banc de mesures vectorielles pour fréquences supérieures à 18 GHz. Conception et réalisation d'un amplificateur à 25 GHz.
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ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 190
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Méthodes d'extrapolation permettant de déterminer les paramètres S d'un tel transistor entre 18 et 26 GHz. Élaboration d'un banc de mesures vectorielles pour fréquences supérieures à 18 GHz. Conception et réalisation d'un amplificateur à 25 GHz.
Modèles non linéaires distribués des transistors à effet de champ
Author: Benoît Mallet-Guy
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 162
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICROONDES. DEUX NOUVELLES APPROCHES DE MODELISATION SONT PRESENTEES. ELLES S'APPUIENT TOUTES LES DEUX SUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU TRANSISTOR. DANS LA PREMIERE, LE CANAL EST REPRESENTE PAR UNE LIGNE DE TRANSMISSION ACTIVE. LE MODELE NON LINEAIRE RESULTANT A MONTRE, LORS DE SA VALIDATION PAR DES MESURES DU TYPE LOAD-PULL, UNE REELLE AMELIORATION A REPRODUIRE LE MECANISME DE SATURATION DE LA PUISSANCE DE SORTIE. LE DEUXIEME MODELE PRESENTE DANS CE MANUSCRIT UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE.
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Category :
Languages : fr
Pages : 162
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE CONCERNE LA MODELISATION ELECTRIQUE DISTRIBUEE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP HYPERFREQUENCES AFIN DE DISPOSER D'UNE DESCRIPTION PLUS FINE DE CE COMPOSANT POUR LA CAO DES CIRCUITS MICROONDES. DEUX NOUVELLES APPROCHES DE MODELISATION SONT PRESENTEES. ELLES S'APPUIENT TOUTES LES DEUX SUR LA CARACTERISATION EXPERIMENTALE DU TRANSISTOR. DANS LA PREMIERE, LE CANAL EST REPRESENTE PAR UNE LIGNE DE TRANSMISSION ACTIVE. LE MODELE NON LINEAIRE RESULTANT A MONTRE, LORS DE SA VALIDATION PAR DES MESURES DU TYPE LOAD-PULL, UNE REELLE AMELIORATION A REPRODUIRE LE MECANISME DE SATURATION DE LA PUISSANCE DE SORTIE. LE DEUXIEME MODELE PRESENTE DANS CE MANUSCRIT UTILISE UNE DESCRIPTION ELECTROMAGNETIQUE DES PARTIES PASSIVES DU TRANSISTOR, TANDIS QUE CHAQUE DOIGT DU COMPOSANT EST MODELISE PAR UN CIRCUIT EQUIVALENT ELECTRIQUE INTRINSEQUE. CE MODELE A MONTRE DES QUALITES TRES INTERESSANTES D'EXTRAPOLATION DE LA TAILLE ET DE LA GEOMETRIE DU TRANSISTOR MODELISE. IL PERMET EGALEMENT UNE ETUDE BEAUCOUP PLUS REALISTE DE LA STABILITE DES TRANSISTORS A FORT DEVELOPPEMENT DE GRILLE.
Transistors à effet de champ
Author: Jean Pierre Œhmichen
Publisher:
ISBN: 9782709107174
Category :
Languages : fr
Pages : 263
Book Description
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ISBN: 9782709107174
Category :
Languages : fr
Pages : 263
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Transistors MOS
Author: Robert Lyon-Caen
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ISBN: 9782225624254
Category : Field-effect transistors
Languages : fr
Pages : 88
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ISBN: 9782225624254
Category : Field-effect transistors
Languages : fr
Pages : 88
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Répertoire mondial des transistors à effet de champ
Author: Édouard Touret
Publisher:
ISBN: 9782709108560
Category :
Languages : fr
Pages : 96
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ISBN: 9782709108560
Category :
Languages : fr
Pages : 96
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Étude des évolutions temporelles des caractéristiques des transistors à effet de champ à grille isolée
Répertoire mondial des transistors à effet de champ
Author: Thomas Dundas Towers
Publisher:
ISBN: 9782709107532
Category :
Languages : fr
Pages : 96
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ISBN: 9782709107532
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Languages : fr
Pages : 96
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