Étude prédictive et réalisation de transistors films minces verticaux à basse température (T PDF Download
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Author: Himi Deen Touré Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
Book Description
Depuis la fabrication du premier transistor, les technologies microélectroniques notamment celles mettant en œuvre les couches minces de silicium ont eu une évolution formidable. Cette réduction des dimensions (loi de Moore) a conduit de nos jours à des dispositifs nanométriques. Cependant, la miniaturisation des transistors films minces (TFT) de type planar a montré ses limites. L’étude présentée, se veut une réponse à ces problèmes et traite de la conception et de la réalisation à basse température de TFT à canaux verticaux sur substrat de verre à base de silicium polycristallin. Ce dispositif est réalisé dans le but de contrôler efficacement la longueur du canal, d’accroître les densités d’intégration et de courant par unité de surface du TFT. Après une étude prédictive, des structures génériques multicanaux en forme de peigne, d’échelle ou de U ont été conçues et fabriquées. Il a été montré leur faisabilité avec des flancs quasi-verticaux et une longueur de canal de 1μm. Après une série d’essais sur le design des structures, les techniques de dépôts des couches actives et les traitements post-dépôts, une amélioration des propriétés électriques a été obtenue.
Author: Himi Deen Touré Publisher: ISBN: Category : Languages : fr Pages :
Book Description
Depuis la fabrication du premier transistor, les technologies microélectroniques notamment celles mettant en œuvre les couches minces de silicium ont eu une évolution formidable. Cette réduction des dimensions (loi de Moore) a conduit de nos jours à des dispositifs nanométriques. Cependant, la miniaturisation des transistors films minces (TFT) de type planar a montré ses limites. L’étude présentée, se veut une réponse à ces problèmes et traite de la conception et de la réalisation à basse température de TFT à canaux verticaux sur substrat de verre à base de silicium polycristallin. Ce dispositif est réalisé dans le but de contrôler efficacement la longueur du canal, d’accroître les densités d’intégration et de courant par unité de surface du TFT. Après une étude prédictive, des structures génériques multicanaux en forme de peigne, d’échelle ou de U ont été conçues et fabriquées. Il a été montré leur faisabilité avec des flancs quasi-verticaux et une longueur de canal de 1μm. Après une série d’essais sur le design des structures, les techniques de dépôts des couches actives et les traitements post-dépôts, une amélioration des propriétés électriques a été obtenue.
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CE TRAVAIL EST CONSACRE A L'AMELIORATION D'UN PROCEDE TECHNOLOGIQUE DE FABRICATION DE TRANSISTORS EN COUCHES MINCES (TCM) DE SILICIUM POLYCRISTALLIN A BASSE TEMPERATURE ( 600 \C). LE BUT VISE EST D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DES CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES COMPATIBLES AVEC DES APPLICATIONS EN VISUALISATION SANS AVOIR RECOURS A UNE ETAPE D'HYDROGENATION. UNE PREMIERE PARTIE TRAITE DE LA REALISATION DE TCM CRISTALLISES EN PHASE SOLIDE. CES TRANSISTORS SONT OBTENUS A PARTIR DE DEUX COUCHES DE SILICIUM, L'UNE NON DOPEE SERVANT DE COUCHE ACTIVE, L'AUTRE DOPEE POUR LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. UNE ETUDE A MONTRE QU'UNE AUGMENTATION DE LA PRESSION DE DEPOT DU SILICIUM DE 10 A 90 PA, ACCOMPAGNEE D'UN PLASMA D'OXYGENE POUR L'ETAPE DE PREPARATION DE LA SURFACE DE LA COUCHE ACTIVE, ONT CONDUIT A UN ACCROISSEMENT DE LA MOBILITE D'EFFET DE CHAMP DE 33 A 63 CM 2/V.S, A UNE DIMINUTION DE LA PENTE SOUS LE SEUIL DE 1,13 A 0,96 V/DEC ET DE LA TENSION DE SEUIL DE 5 A 2 V. UNE MODIFICATION DE LA STRUCTURE DU TRANSISTOR A ETE REALISEE EN DEPOSANT LES COUCHES DE SILICIUM LORS D'UN SEUL DEPOT PERMETTANT D'ELIMINER L'INTERFACE ENTRE LA COUCHE ACTIVE ET LES ZONES DE SOURCE ET DE DRAIN. CETTE MODIFICATION A PERMIS D'OBTENIR DES TRANSISTORS PRESENTANT DE TRES BONNES PERFORMANCES : S = 0,6 V/DEC, V T H = 1,2 V ET F E 100 CM 2/V.S. UNE ETUDE DE VIEILLISSEMENT A ETE MENEE SUR CES TRANSISTORS. UNE SECONDE PARTIE TRAITE DE LA CRISTALLISATION EN PHASE LIQUIDE PAR UN RECUIT LASER DE LA COUCHE ACTIVE DES TRANSISTORS. NOUS UTILISONS UN LASER DE GRANDE SURFACE DONT L'IMPACT COUVRE 5 5 CM 2. LA DENSITE D'ENERGIE VARIE DE 350 A 550 MJ/CM 2 ET LE NOMBRE D'IMPACTS DE 1 A 10. CETTE PREMIERE ETUDE A MIS EN EVIDENCE QU'UNE DENSITE D'ENERGIE DE 550 MJ/CM 2 ET 10 IMPACTS, DONNENT LES MEILLEURS RESULTATS, A SAVOIR, UNE MOBILITE DE 140 CM 2/V.S, UNE PENTE SOUS LE SEUIL DE 0,35 V/DEC ET UNE TENSION DE SEUIL DE 3V. LA PRESENCE D'UNE COUCHE ANTIREFLET DE SIO 2 SUR LE FILM A CRISTALLISER A PERMIS D'AUGMENTER L'EFFICACITE DU LASER.
Author: H. Zabel Publisher: Springer ISBN: 3540734627 Category : Science Languages : en Pages : 373
Book Description
Heterostructures consist of combinations of different materials, which are in contact through at least one interface. Magnetic heterostructures combine different physical properties which do not exist in nature. This book provides the first comprehensive overview of an exciting and fast developing field of research, which has already resulted in numerous applications and is the basis for future spintronic devices.
Author: John Wilfred Orton Publisher: ISBN: 0199695822 Category : Science Languages : en Pages : 529
Book Description
The book is a history of Molecular Beam Epitaxy (MBE) as applied to the growth of semiconductor thin films (note that it does not cover the subject of metal thin films). It begins by examining the origins of MBE, first of all looking at the nature of molecular beams and considering their application to fundamental physics, to the development of nuclear magnetic resonance and to the invention of the microwave MASER. It shows how molecular beams of silane (SiH4) were used to study the nucleation of silicon films on a silicon substrate and how such studies were extended to compound semiconductors such as GaAs. From such surface studies in ultra-high vacuum the technique developed into a method of growing high quality single crystal films of a wide range of semiconductors. Comparing this with earlier evaporation methods of deposition and with other epitaxial deposition methods such as liquid phase and vapour phase epitaxy (LPE and VPE). The text describes the development of MBE machines from the early 'home-made' variety to that of commercial equipment and show how MBE was gradually refined to produce high quality films with atomic dimensions. This was much aided by the use of various in-situ surface analysis techniques, such as reflection high energy electron diffraction (RHEED) and mass spectrometry, a feature unique to MBE. It looks at various modified versions of the basic MBE process, then proceed to describe their application to the growth of so-called 'low-dimensional structures' (LDS) based on ultra-thin heterostructure films with thickness of order a few molecular monolayers. Further chapters cover the growth of a wide range of different compounds and describe their application to fundamental physics and to the fabrication of electronic and opto-electronic devices. The authors study the historical development of all these aspects and emphasise both the (often unexpected) manner of their discovery and development and the unique features which MBE brings to the growth of extremely complex structures with monolayer accuracy.
Author: North Atlantic Treaty Organization. Advisory Group for Aerospace Research and Development Publisher: ISBN: 9789283600046 Category : Aeronautics Languages : en Pages :
Author: Bloomsbury Publishing Publisher: Bloomsbury Publishing ISBN: 1408102579 Category : Games & Activities Languages : en Pages : 719
Book Description
Anagram Solver is the essential guide to cracking all types of quiz and crossword featuring anagrams. Containing over 200,000 words and phrases, Anagram Solver includes plural noun forms, palindromes, idioms, first names and all parts of speech. Anagrams are grouped by the number of letters they contain with the letters set out in alphabetical order so that once the letters of an anagram are arranged alphabetically, finding the solution is as easy as locating the word in a dictionary.
Author: Isabelle Huynen Publisher: MDPI ISBN: 3039362224 Category : Technology & Engineering Languages : en Pages : 92
Book Description
The microwave and millimeter wave frequency range is nowadays widely exploited in a large variety of fields including (wireless) communications, security, radar, spectroscopy, but also astronomy and biomedical, to name a few. This Special Issue focuses on the interaction between the nanoscale dimensions and centimeter to millimeter wavelengths. This interaction has been proven to be efficient for the design and fabrication of devices showing enhanced performance. Novel contributions are welcome in the field of devices based on nanoscaled geometries and materials. Applications cover, but not are limited to, electronics, sensors, signal processing, imaging and metrology, all exploiting nanoscale/nanotechnology at microwave and millimeter waves. Contributions can take the form of short communications, regular or review papers.
Author: Himi Deen Touré
Author: Himi Deen Touré
Author: KARINE.. MOURGUES
Author: H. Zabel
Author: John Wilfred Orton
Author: North Atlantic Treaty Organization. Advisory Group for Aerospace Research and Development
Author: Bloomsbury Publishing
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Author: Isabelle Huynen
Author: J. Labo