Etude par microanalyse nucléaire des mécanismes de formation des couches minces diélectriques sur le silicium et sur des substrats à plusieurs constituants PDF Download

Author: Serge Rigo
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 242

View

Book Description

Author: Pablo Vilato
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 193

View

Book Description
ETUDE DE L'INFLUENCE DE L'IRRADIATION DE CIBLES SI PAR DES IONS OXYGENE SUR LA PULVERISATION, L'OXYDATION ET LE DESORDRE DANS LE CRISTAL ET L'ETUDE DU BOMBARDEMENT DE SI PAR SI (AUTOPULVERISATION, RECUITS APRES IMPLANTATION)

Author: Christine Robert-Pierrisnard
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 202

View

Book Description
DURANT CES DERNIERES ANNEES, LE DEVELOPPEMENT DES COMPOSES III-V TELS QUE L'ARSENIURE DE GALLIUM OU LE PHOSPHURE D'INDIUM FUT SPECTACULAIRE. CES COMPOSES SONT TRES INTERESSANTS POUR LES APPLICATIONS MICRO-ELECTRONIQUES ET OPTOELECTRONIQUES. OR LES CARACTERISTIQUES DE CES MATERIAUX ET DES COMPOSANTS REALISES SONT TRES SENSIBLES A LEUR ETAT DE SURFACE ET D'INTERFACE. IL EST DEVENU ESSENTIEL DE COMPRENDRE LES MECANISMES DE FORMATIONS DES STRUCTURES POUR MAITRISER AU MIEUX LA TECHNOLOGIE DES COMPOSANTS REALISES. PLUS RECEMMENT, UN NOUVEAU MATERIAU LE SILICIUM POREUX EST APPARU COMME ETANT TRES PROMETTEUR DANS LE DOMAINE DE L'OPTOELECTRONIQUE. CELUI-CI A FAIT RECEMMENT L'OBJET DE NOMBREUSES RECHERCHES COMPTE TENU DE SES PROPRIETES LUMINESCENTES DONT L'ORIGINE EST ENCORE DISCUTEE. CES PROPRIETES SEMBLENT DEPENDRE BEAUCOUP DES ETATS DE SURFACE ET D'INTERFACE. LA PREMIERE PARTIE DE CE MEMOIRE EST CONSACRE A LA CARACTERISATION DE LA SURFACE ET DE LA CONCENTRATION EN HYDROGENE D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM POREUX. LA SPECTROSCOPIE DES ELECTRONS RETRODIFFUSES ELASTIQUEMENT (EPES) S'EST AVEREE TRES PERFORMANTE. CETTE METHODE NOUS A PERMIS DE CALCULER LE COEFFICIENT DE REFLEXION ELASTIQUE POUR DIFFERENTES POROSITES. NOUS AVONS PU METTRE EN EVIDENCE UN CHANGEMENT DE MORPHOLOGIE DES COUCHES POREUSES LORS DE L'AUGMENTATION DE LA POROSITE. LA DEUXIEME PARTIE DE CE TRAVAIL ENTRE DANS LE CADRE DES ETUDES CONSACREES A LA REALISATION DE STRUCTURES MIS (METAL/ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR). NOUS NOUS SOMMES ATTACHEES PLUS PARTICULIEREMENT A L'ETUDE DE L'INTERFACE ISOLANT/SEMI-CONDUCTEUR. AFIN DE REALISER DE TELLES STRUCTURES, NOUS AVONS PROCEDE DANS UN PREMIER TEMPS A LA REALISATION DE COUCHES MINCES D'ALUMINE SUR DES SUBSTRATS DE SILICIUM (100). EN EFFET, UNE BONNE REPRODUCTIBILITE ET UN CONTROLE DES PARAMETRES D'ELABORATION DE L'ISOLANT SONT EXIGES POUR ABOUTIR A L'AMELIORATION PROGRESSIVE DE LA QUALITE DES COMPOSANTS REALISES. DANS UN SECOND TEMPS DES DEPOTS D'ALUMINE ONT ETE REALISES SUR DES SUBSTRATS DE PHOSPHURE D'INDIUM (100). EN NOUS APPUYANT SUR DES TRAVAUX ANTERIEURS FAITS AU LABORATOIRE LASMEA SUR LA STABILISATION DES SURFACES D'INP(100) PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, NOUS AVONS EFFECTUE DES ETUDES PHYSICO-CHIMIQUES ET ELECTRIQUES DES STRUCTURES DU TYPE HG/AL#2O#3/INP ET HG/AL#2O#3/INSB/INP. NOUS AVONS MIS EN EVIDENCE, L'AMELIORATION SENSIBLE DE LA QUALITE DE L'ISOLANT LORS D'UNE RESTRUCTURATION DE LA SURFACE D'INP PAR DES ATOMES D'ANTIMOINE, UNE REDUCTION DE LA MIGRATION DES ELEMENTS DU SEMI-CONDUCTEUR ETANT OBSERVEE. NOUS AVONS PU CORRELER L'HISTORIQUE DE LA FORMATION DES STRUCTURES A LA MESURE ELECTRIQUE FINALE, CE QUI EST PARTICULIEREMENT IMPORTANT DANS LA COMPREHENSION DES PHENOMENES SE PRODUISANT AUX INTERFACES

Author: JUAN CARLOS.. CHEANG WONG
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 158

View

Book Description
LES PROPRIETES PHYSIQUES ET STRUCTURALES DES OXYDES SUPRACONDUCTEURS A HAUTE TEMPERATURE CRITIQUE T#C DEPENDENT FORTEMENT DE LA STCHIOMETRIE EN OXYGENE. DE PLUS, LA FORMATION IN SITU DES COUCHES MINCES EST GOUVERNEE PAR DES MECANISMES DE CROISSANCE DE STRUCTURES HETEROEPITAXIALES. AINSI, NOUS AVONS ETUDIE L'INTERDEPENDANCE ENTRE LES PROPRIETES PHYSIQUES DES COUCHES MINCES D'YBACUO ET LES MECANISMES DE CROISSANCE MIS EN JEU LORS DE LEUR FORMATION. NOUS AVONS DEVELOPPE DE NOUVELLES METHODES DE MESURE DE LA STCHIOMETRIE, EN PARTICULIER CELLE EN OXYGENE, PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE. CES METHODES NOUS PERMETTENT DE DISTINGUER DEUX FILMS DONT LA DIFFERENCE EN COMPOSITION EN OXYGENE EST O#0#.#1#-#0#.#2. IL EST GENERALEMENT ADMIS QUE LA CROISSANCE DES COUCHES MINCES D'YBACUO S'EFFECTUE SELON LA PHASE QUADRATIQUE ET PRES DE LA LIMITE DE STABILITE THERMODYNAMIQUE DU COMPOSE Y#1BA#2CU#3O#6 (ISOLANT FERROMAGNETIQUE). PUIS, L'OXYGENATION ASSOCIEE A LA TRANSITION QUADRATIQUE-ORTHORHOMBIQUE (ISOLANT-METAL) SE FAIT LORS DU REFROIDISSEMENT DES COUCHES DANS UNE ATMOSPHERE D'OXYGENE MOLECULAIRE (0.2-1 BAR) OU EN PRESENCE D'OXYGENE ATOMIQUE. LES RESULTATS PRESENTES DANS CETTE THESE SONT EN CONTRADICTION AVEC CE MODELE. EN EFFET, NOUS MONTRONS QUE: 1) LORS DE LA CROISSANCE, L'OXYGENATION DES COUCHES D'YBACUO EST AU VOISINAGE DE O#7 ET DE PLUS LEUR STRUCTURE EST QUADRATIQUE ; 2) LA COMPOSITION EN OXYGENE ET LA STRUCTURE QUADRATIQUE PEUVENT ETRE PRESERVEES A TEMPERATURE AMBIANTE GRACE A UN REFROIDISSEMENT RAPIDE (TREMPE). DES ETUDES SUR LE SOUS-RESEAU D'OXYGENE A L'AIDE DU TRACAGE ISOTOPIQUE A L'#1#8O, LA SPECTROSCOPIE RAMAN ET DE LA MICROANALYSE NUCLEAIRE NOUS ONT PERMIS D'ETABLIR QUE: 1) LE COEFFICIENT DE DIFFUSION ISOTOPIQUE DANS LE CAS DES COUCHES MINCES EST 2-3 ORDRES DE GRANDEUR PLUS FAIBLE QUE CELUI MESURE SUR DES MONOCRISTAUX ; 2) POUR DES COUCHES MINCES LE DESORDRE DANS LE SOUS-RESEAU D'OXYGENE EST 2-3 FOIS PLUS GRAND QUE DANS LE CAS DE MONOCRISTAUX. LES IMPLICATIONS DE CES OBSERVATIONS SONT ANALYSEES DANS LE CADRE DES MODELES THEORIQUES EXISTANTS

Author: ABDELLATIF.. ACHIQ
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 173

View

Book Description
DEUX CATEGORIES DE COUCHES DE SILICIUM NANOCRISTALLIN OBTENUES PAR PULVERISATION RF ONT FAIT L'OBJET DE CET ETUDE. L'UNE A ETE THERMIQUEMENT CRISTALLISEE APRES DEPOT A DIFFERENTES PRESSIONS PARTIELLES D'HYDROGENE, ALORS QUE LA DEUXIEME CONSISTE EN DES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES SOUS PLASMA D'HYDROGENE PUR POUR DIFFERENTES VALEURS DE LA TEMPERATURE DU SUBSTRAT (T#S). LES CARACTERISATIONS STRUCTURALES ET PHYSIQUES DE CES COUCHES ONT ETE REALISEES A L'AIDE D'UNE PANOPLIE DE TECHNIQUES EXPERIMENTALES TELLES QUE IR, RAMAN, DRX, MET, ABSORPTION OPTIQUE, CONDUCTIVITE ELECTRIQUE, PHOTOLUMINESCENCE. LES MECANISMES DE CRISTALLISATION DANS LES COUCHES SE SONT REVELES TRIBUTAIRES, POUR UNE LARGE PART, DE LA PRESENCE ET DE LA CONCENTRATION DES ESPECES OU DES RADICAUX D'HYDRURE SIH#2, SOIT DANS LES FILMS DE BASE POUR LES COUCHES THERMIQUEMENT CRISTALLISEES, SOIT DANS LE PLASMA POUR LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES. DANS LA PREMIERE CATEGORIE DE COUCHES, LES EFFETS DE SIH#2 SE TRADUISENT PAR LA RELAXATION AU COURS DU RECUIT DE LA STRUCTURE CRISTALLISEE. CELLE-CI A ETE MISE EN EVIDENCE PAR LE COMPORTEMENT DE LA CONTRAINTE ET CONFORTEE PAR LA VARIATION DES QUEUES DE BANDES OU ENERGIE D'URBACH LAQUELLE REFLETE LE DESORDRE DANS LE MATERIAU. LE DEGRE DE CE DESORDRE SEMBLE DETERMINER LA LARGEUR DU GAP OPTIQUE ET LES ETENDUES DES DOMAINES DE VALIDITE DES MECANISMES DE CONDUCTION ELECTRIQUE. CONCERNANT LES COUCHES DIRECTEMENT CRISTALLISEES, LA FRACTION CRISTALLINE F#C ET LA TAILLE DES GRAINS MONTRENT UNE AUGMENTATION GRADUELLE AVEC T#S. L'ORIGINE DE CE COMPORTEMENT RESIDE DANS LES MECANISMES REACTIONNELS ENTRE LES RADICAUX SIH#2 ET LA SURFACE DE LA COUCHE QUI RESULTE EN UN PROCESSUS DE GRAVURE SELECTIVE DES LIAISONS FAIBLES OU SOUS CONTRAINTE CONDUISANT A LA RELAXATION DE LA STRUCTURE VERS L'ETAT CRISTALLIN. LA CONDUCTIVITE ELECTRIQUE ET LE GAP OPTIQUE E#O ONT MONTRE DES VARIATIONS SPECTACULAIRES EN FONCTION DE T#S DUES PRINCIPALEMENT A L'ACCROISSEMENT DE F#C : ACCUSE UN GAIN DE 7 ORDRES DE GRANDEUR ET E#O DECROIT DE 2,40 EV A 1,95 EV. LA FORMATION D'UNE COUCHE TAMPON AMORPHE POUR LES BASSES T#S A FAIT L'OBJET D'UNE ETUDE SPECIFIQUE QUI A MONTRE LA POSSIBILITE DE SA RECRISTALLISATION SUITE A UN SIMPLE RECUIT A UNE TEMPERATURE RELATIVEMENT BASSE (150C) QUI IMPLIQUE LE ROLE CRITIQUE DES ESPECES SIH#2.

Author: FRANCOIS.. PLAIS
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages :

View

Book Description
LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE (MISFET) SUR INP EST LE COMPOSANT SUSCEPTIBLE DE REPONDRE AUX SPECIFICATIONS REQUISES DANS LE DOMAINE DE L'AMPLIFICATION HYPERFREQUENCE. LA REALISATION DE CE COMPOSANT PASSE PAR LA MAITRISE DU DEPOT DE SILICE SUR INP ET LA REALISATION D'UNE INTERFACE SANS DEFAUTS. LES TECHNIQUES HABITUELLES DE DEPOT D'ISOLANT (DEPOT ASSISTE PAR PLASMA RADIOFREQUENCE, TEMPERATURE DE SUBSTRAT 250C) INDUISENT DES DEFAUTS DANS LE SUBSTRAT QUI NUISENT A LA QUALITE DU COMPOSANT REALISE. A TITRE D'ALTERNATIVE AUX PLASMAS RADIOFREQUENCES, NOUS AVONS UTILISE UN PLASMA MULTIPOLAIRE MICROONDE POUR DEPOSER LE FILM DE SILICE. LE PLASMA EST CREE, A BASSE PRESSION (10##3 MBAR), DANS UN MELANGE SIH#4-N#2O, PAR RESONANCE CYCLOTRONIQUE ELECTRONIQUE REPARTIE (RCER). LES FILMS OBTENUS A TEMPERATURE AMBIANTE PRESENTENT UNE FAIBLE CONTAMINATION (2 AT% D'AZOTE ET 5 AT% D'HYDROGENE MESURE PAR MICROANALYSE NUCLEAIRE), UNE FAIBLE VITESSE DE GRAVURE HUMIDE (3 FOIS CELLE DE LA SILICE THERMIQUE) ET UNE BONNE RESISTIVITE (10#1#5CM). NOUS AVONS ENSUITE CARACTERISE L'INTERFACE ENTRE LE FILM DE SILICE ET L'INP PAR SPECTROSCOPIE DE PHOTOELECTRONS (XPS) SUR DES COUCHES MINCES OU PAR ANALYSE I(V)-C(V) SUR DES COUCHES EPAISSES. ON MONTRE PAR XPS QUE LE DEPOT DE SILICE OXYDE FORTEMENT LE SUBSTRAT D'INP. LE CHAMP CRITIQUE, POUR LEQUEL LA DENSITE DE COURANT DE FUITE EST INFERIEURE A 1 NA CM##2, DEPASSE 5 MV CM##1, RESULTAT COMPARABLE A LA STRUCTURE SILICE THERMIQUE - SI (ANALYSE I(V) QUASISTATIQUE). LA DISPERSION EN FREQUENCE DES CARACTERISTIQUES C(V) EST NULLE ET L'ANALYSE TERMAN INDIQUE UN MINIMUM DE DENSITES D'ETATS D'INTERFACE EGAL A 2 10#1#1 CM##2 EV##1

Author: KHALID.. CHAFIK
Publisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 188

View

Book Description
LES DEPOTS MINCES ISOLANTS SUR SILICIUM OCCUPENT UNE PLACE ESSENTIELLE DANS LA MISE AU POINT DES STRUCTURES (EN PARTICULIER DES MEMOIRES) UTILISEES EN MICRO-ELECTRONIQUE SUR SILICIUM. DEPUIS LE TOUT DEBUT DE L'ETUDE DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, PLUSIEURS AUTEURS ONT PORTE LEUR ATTENTION SUR LES REACTIONS CHIMIQUES QUI POUVAIENT SE PRODUIRE PENDANT LA FORMATION DE L'ISOLANT. GENERALEMENT, CES ETUDES ONT UTILISE DES MODELES ASSEZ ELOIGNES DE LA REALITE CHIMIQUE, ET LES PHENOMENES DE CROISSANCE DE CES COUCHES ISOLANTES RESTENT ENCORE MAL EXPLIQUES. NOUS AVONS DONC DECIDE D'ABORDER LA FORMATION DE FILMS MINCES ISOLANTS DU POINT DE VUE DE LA REACTION CHIMIQUE ET NOUS AVONS DEVELOPPE UNE APPROCHE THERMODYNAMIQUE ET STRUCTURALE DU PROBLEME. ETANT DONNE LE GRAND NOMBRE DE REACTIFS CHIMIQUES POUVANT ETRE UTILISES POUR DEPOSER DES COUCHES MINCES ISOLANTES SUR SILICIUM, NOUS AVONS INITIALEMENT LIMITE NOTRE ETUDE A LA FORMATION DE NITRURE(S) DE SILICIUM SUR DU SILICIUM MONOCRISTALLIN (100)-(21) EN UTILISANT L'AMMONIAC NH#3 COMME GAZ NITRURANT. NOUS AVONS DEVELOPPE UN MODELE DE SURFACE TENANT COMPTE A LA FOIS DE CONSIDERATIONS CRISTALLOGRAPHIQUES ET DE CALCULS DE THERMODYNAMIQUE CLASSIQUE. LE MODELE MONTRE QUE LA SURFACE DE SILICIUM EST FORTEMENT MODIFIEE, NON SEULEMENT SUR LE PREMIER PLAN, MAIS AUSSI EN PROFONDEUR: DEUX PLANS DE SILICIUM CONTIENNENT DE L'AZOTE. LE MODELE EST EN TRES BON ACCORD AVEC CE QUI A ETE OBSERVE EXPERIMENTALEMENT DANS LA LITTERATURE. IL MONTRE AUSSI QUE LA CROISSANCE DU NITRURE NE PEUT PAS ETRE HOMOGENE ET QU'AINSI, LE MODELE DE PRIGOGINE NE PEUT PAS S'APPLIQUER. NOUS AVONS REPRIS ET AMELIORER LE MODELE EN UTILISANT DES PROGRAMMES DE CALCULS D'EVENTUALITE DE REACTIONS CHIMIQUES PAR MINIMISATION DE L'ENTHALPIE LIBRE. CES CALCULS CONFIRMENT LES RESULTATS INITIAUX. ILS APPORTENT DES PRECISIONS QUANT AUX ESPECES FORMEES A HAUTES TEMPERATURES. LA VALIDITE DES MODELES ALLIANT ETUDES STRUCTURALES ET THERMODYNAMIQUES CLASSIQUES EST DISCUTEE

Author: Paolo Mele
Publisher:
ISBN: 9781536160864
Category : Zinc oxide thin films
Languages : en
Pages : 0

View

Book Description
Zinc oxide (ZnO) is an n-type semiconductor with versatile applications such as optical devices in ultraviolet region, piezoelectric transducers, transparent electrode for solar cells and gas sensors. This book "ZnO Thin Films: Properties, Performance and Applications" gives a deep insight in the intriguing science of zinc oxide thin films. It is devoted to cover the most recent advances and reviews the state of the art of ZnO thin films applications involving energy harvesting, microelectronics, magnetic devices, photocatalysis, photovoltaics, optics, thermoelectricity, piezoelectricity, electrochemistry, temperature sensing. It serves as a fundamental information source on the techniques and methodologies involved in zinc oxide thin films growth, characterization, post-deposition plasma treatments and device processing. This book will be invaluable to the experts to consolidate their knowledge and provide insight and inspiration to beginners wishing to learn about zinc oxide thin films.

Author: David Adler
Publisher: Springer Science & Business Media
ISBN: 1489922601
Category : Science
Languages : en
Pages : 448

View

Book Description
The Institute for Amorphous Studies was founded in 1982 as the international center for the investigation of amorphous mate rials. It has since played an important role in promoting the und er standing of disordered matter in general. An Institute lecture series on "Fundamentals of Amorphous Materials and Devices" was held during 1982-83 with distinguished speakers from universities and industry. These events were free and open to the public ,and were attended by many representatives of the scientific community. The lectures themselves were highly successful inasmuch as they provided not only formal instruction but also an opportunity for vigorous and stimulating debate. That last element could not be captured within the pages of a book I but the lectures concentrated on the latest advances in the field I which is why their essential contents are he re reproduced in collective form. Together they constitute an interdisciplinary status report of the field. The speakers brought many different viewpoints and a variety of back ground experiences io bear on the problems involved I but though language and conventions vary I the essential unity of the concerns is very clear I as indeed are the ultimate benefits of the many-sided approach.

Author:
Publisher:
ISBN: 9781845850050
Category : Sewage
Languages : en
Pages : 932

View

Book Description