Book Description
Le développement de transistors bipolaires dédiés aux applications hautes fréquences a mis en évidence les limites des modèles électriques de ce dispositif. Le transistor étant utilisé dans des conditions de fonctionnement fortement non-linéaires, le modèle employé Lors de la conception du circuit doit pouvoir décrire le comportement physique du transistor sur une large gamme de polarisations. Après avoir défini les besoins des utilisateurs ainsi que les modèles disponibles dans le domaine publique, le choix de l'étude du modèle HICUM a été fait. La physique du transistor bipolaire est rappelée afin de décrire ce modèle. La compréhension des origines physiques du modèle a permis, par la suite, de développer un modèle dit paramétré. Ce modèle paramétré prend en compte les variations géométriques des paramètres physiques du transistor. Cette étude est complétée par la description des étapes d'extraction des paramètres du modèle HICUM ainsi que ceux du modèle paramétré. La mise en place de ces méthodes a permis de valider les deux modèles sur des transistors a hétérojonctions SiGe les plus rapides.
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De nos jours, l'industrie de la microélectronique développe des nouvelles technologies qui permettent l'obtention d'applications du quotidien alliant rapidité, basse consommation et hautes performances. Pour cela, le transistor, composant actif élémentaire et indispensable de l'électronique, voit ses dimensions miniaturisées à un rythme effréné suivant la loi de Moore de 1965. Cette réduction de dimensions permet l'implémentation de plusieurs milliards de transistors sur des surfaces de quelques millimètres carrés augmentant ainsi la densité d'intégration. Ceci conduit à une production à des coûts de fabrication constants et offre des possibilités d'achats de produits performants à un grand nombre de consommateurs. Le MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor), transistor à effet de champ, aussi appelé MOS, représente le transistor le plus utilisé dans les différents circuits issus des industries de la microélectronique. Ce transistor possède des longueurs électriques de 14 nm pour les technologies industrialisables les plus avancées et permet une densité intégration maximale spécialement pour les circuits numériques tels que les microprocesseurs. Le transistor bipolaire, dédié aux applications analogiques, fut inventé avant le transistor MOS. Cependant, son développement correspond à des noeuds technologiques de génération inférieure par rapport à celle des transistors MOS. En effet, les dimensions caractéristiques des noeuds technologiques les plus avancés pour les technologies BiCMOS sont de 55 nm. Ce type de transistor permet la mise en oeuvre de circuits nécessitant de très hautes fréquences d'opération, principalement dans le secteur des télécommunications, tels que les radars anticollisions automobiles fonctionnant à 77 GHz. Chacun de ces types de transistors possède ses propres avantages et inconvénients. Les avantages du transistor MOS reposent principalement en deux points qui sont sa capacité d'intégration et sa faible consommation lorsqu'il est utilisé pour réaliser des circuits logiques. Sachant que ces deux types de transistors sont, de nos jours, comparables du point de vue miniaturisation, les avantages offerts par le transistor bipolaire diffèrent de ceux du transistor MOS. En effet, le transistor bipolaire supporte des niveaux de courants plus élevés que celui d'un transistor MOS ce qui lui confère une meilleure capacité d'amplification de puissance. De plus, le transistor bipolaire possède une meilleure tenue en tension et surtout possède des niveaux de bruit électronique beaucoup plus faibles que ceux des transistors MOS. Ces différences notables entre les deux types de transistors guideront le choix des concepteurs suivant les spécifications des clients. L'étude qui suit concerne la fiabilité de ces deux types de transistors ainsi que celle de circuits pour les applications radio fréquences (RF) et aux longueurs d'ondes millimétriques (mmW) pour lesquels ils sont destinés. Il existe dans la littérature de nombreuses études de la fiabilité des transistors MOS. Concernant les transistors bipolaires peu d'études ont été réalisées. De plus peu d'études ont été menées sur l'impact de la fiabilité des transistors sur les circuits. L'objectif de ce travail est d'étudier le comportement de ces deux types de transistors mais aussi de les replacer dans le contexte de l'utilisateur en étudiant la fiabilité de quelques circuits parmi les plus usités dans les domaines hyperfréquence et millimétrique. Nous avons aussi essayé de montrer qu'il était possible de faire évoluer les règles de conception actuellement utilisées par les concepteurs tout en maintenant la fiabilité attendue par les clients.
Author: Emma Carlson Berne Publisher: Referencepoint Press ISBN: 9781601520197 Category : Science Languages : en Pages : 118
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Throughout the world, the cause and impact of global warming and climate change is being passionately debated. While many claim that a climate crisis is imminent if greenhouse gases are not curbed, others argue that the effects have been overblown. Through objective overviews, primary sources, and full-color illustrations, this title will examine What Is Global Warming and Climate Change? What Are the Consequences of Global Warming? What Are the Controversies Surrounding Global Warming? What Are the Solutions for Global Warming?
Author: Dominique Berger
Author: Bart Van Haaren
Author: Salim Ighilahriz
Author: Emma Carlson Berne