Author: Boulanouar ZerroukPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 91
Book Description
Etude et réalisation d'un traceur automatique de caractéristiques de transistors
Author: Boulanouar ZerroukRéalisation d'un traceur de caractéristiques statiques de transistors, assisté par microcalculateur
Author: Jean-Marie FOUGNIONRéalisation et étude des propriétés électriques d'un transistor à effet tunnel 'T-FET' à nanofil Si/SiGe
Author: Virginie BrouzetPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 0
Book Description
La demande d'objets connectés dans notre société est très importante, au vu du marché florissant des smartphones. Ces nouveaux objets technologiques ont pour avantage de regrouper plusieurs fonctions en un seul objet ultra compact. Cette diversité est possible grâce à l'avènement des systèmes-sur-puce (SoC, System-on-Chip) et à la miniaturisation extrême des composants. Les SoC s'intègrent dans l'approche « More than Moore » et demande une superficie importante des puces. Celle-ci peut-être réduite par l'utilisation d'une autre approche appelée « More Moore » qui fut largement utilisée ces dernières années pour miniaturiser la taille des transistors. Cependant cette approche tend vers ses limites physiques puisque la réduction drastique de la taille des MOSFETs (« Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor ») ne pourra pas être poursuivie à long terme. En outre, les transistors de taille réduite présentent des effets parasites, liés aux effets de canaux courts et à une mauvaise dissipation de la chaleur dégagée lors du fonctionnement des MOSFETs miniaturisés. Les effets de canaux courts peuvent-être minimisés grâce à de nouvelles architectures, telles que l'utilisation de nanofils, qui permettent d'obtenir une grille totalement enrobante du canal. Mais le problème de la puissance de consommation reste un frein pour le passage au prochain nœud technologique et pour l'augmentation des fonctions dans les appareils nomades. En effet, la puissance de consommation des MOSFETs ne fait qu'augmenter à chaque nouvelle génération, ce qui est en partie dû à l'accroissement des pertes énergétiques induites par la puissance statique de ces transistors. Pour diminuer celle-ci, la communauté scientifique a proposée plusieurs solutions, dont une des plus prometteuses est le transistor à effet tunnel (TFET). Car ce dispositif est peu sensible aux effets de canaux courts, et il peut fonctionner à de faibles tensions de drain et avoir un inverse de pente sous le seuil inférieur à 60mV/dec. L'objectif de la thèse est donc de fabriquer et de caractériser des transistors à effet tunnel à base de nanofil unique en silicium et silicium germanium. Nous présenterons la croissance et l'intégration des nanofils p-i-n en TFET. Puis nous avons étudié l'influence de certains paramètres sur les performances de ces transistors, et en particulier, l'effet du niveau de dopage de la source et du contrôle électrostatique de la grille sera discuté. Ensuite, l'augmentation des performances des TFETs sera montrée grâce à l'utilisation de semiconducteur à petit gap. En effet, nous insérons du germanium dans la matrice de silicium pour en diminuer le gap et garder un matériau compatible avec les techniques de fabrication de l'industrie de la microélectronique. Un modèle de simulation du courant tunnel bande à bande a été réalisé, se basant sur le modèle de Klaassen. Les mesures électriques des dispositifs seront comparées aux résultats obtenus par la simulation, afin d'extraire le paramètre B de la transition tunnel pour chacun des matériaux utilisés. Enfin nous présenterons les améliorations possibles des performances par une intégration verticale des nanofils.
Dictionary of Building and Civil Engineering
Author: Don MontaguePublisher: Taylor & Francis
ISBN: 9780419199106
Category : Architecture
Languages : en
Pages : 472
Book Description
This dual-language dictionary lists over 20,000 specialist terms in both French and English, covering architecture, building, engineering and property terms. It meets the needs of all building professionals working on projects overseas. It has been comprehensively researched and compiled to provide an invaluable reference source in an increasingly European marketplace.
UCRL.
Author: U.S. Atomic Energy CommissionPublisher:
ISBN:
Category : Government publications
Languages : en
Pages : 26
Book Description
The Structure of Atmospheric Turbulence
Author: John Leask LumleyPublisher:
ISBN:
Category : Atmosphere
Languages : en
Pages : 264
Book Description
Science Past, Science Future
Author: Isaac AsimovPublisher: Doubleday Books
ISBN:
Category : Nature
Languages : en
Pages : 372
Book Description
A collection of 43 essays on many subjects, from the various sciences to essays about society.
Stored-grain Insects
Author: United States. Agricultural Research ServicePublisher:
ISBN:
Category : Grain
Languages : en
Pages : 64
Book Description
Proceedings of the First International Congress of Radiation Protection
Author: Historical Dictionary of Iran
Author: John Henry LorentzPublisher: Historical Dictionaries of Asia, Oceania, and the Middle East
ISBN:
Category : History
Languages : en
Pages : 570
Book Description
Provides an overview of specific events, movements, people, political and social groups, places, trends, and chronology. Allows for considerable exploration of a number of historical and contemporary topics and issues. The modern period, defined as 1800-present, is covered extensively.