Author: Vanessa VervischPublisher:
ISBN:
Category :
Languages : fr
Pages : 284
Book Description
Ce travail présente la technique d'implantation d'ions par immersion plasma (PIII) comme un outil prometteur pour la réalisation des jonctions ultra fines (USJ). Le prototype PIII appelé PULSION® utilisé dans cette étude, a été conçu et développé par la société IBS. Les profils SIMS de bore obtenus sur des échantillons implantés par PULSION® montrent des profondeurs d'implantation variant de quelques nanomètres à une trentaine de nanomètres avant activation. Ces résultats nous ont amené à concentrer nos efforts sur l'optimisation des recuits d'activation post implantation afin d'obtenir le meilleur compromis X/Rsq. Différents recuits tels que le RTA, le Spike et le LASER ont ensuite été associés à l'implantation PIII et comparés entre eux. Les caractérisations électriques et physico-chimiques présentent le recuit laser comme une technologie prometteuse associée à l'implantation PIII. Afin de limiter l'effet de canalisation des atomes de bore lors des implantations PIII, plusieurs pré-amorphisations (PAI) ont été étudiées. Parmi elles, la PAI d'ions germanium montre des résultats intéressants. L'amorphisation du silicium (estimée à 20 nm à partir d'imagerie TEM) permet de diminuer la profondeur de jonction de 30 nm à 24 nm après activation. Une application de la technique PIII à la conception de l'émetteur d'une photodiode a été effectuée. Les caractéristiques électriques du composant ainsi réalisé sont comparables à des cellules standards. De plus, la faible épaisseur de la jonction permet une amélioration du rendement quantique interne dans les courtes longueurs d'onde, ce qui permettrait l'utilisation de telles cellules dans le domaine spatial.
Author: Vanessa Vervisch